【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
磁控溅射法制备TiCoSb半导体薄膜，其特征在于不需要使用多靶材共溅射法，而是通过一种特殊设计的复合靶材，在普通磁控溅射仪得到成分分布均匀的符合化学计量比的多元素化合物薄膜。TiCoSb不易利用常规的粉末冶金法或真空熔炼法制备成可供磁控溅射使用的大直径化合物靶材，而多靶材共溅射法设备成本又较高。其工艺步骤依次为：1）特殊设计的Ti?Co?Sb复合靶材各组元构成的优化；2）利用优化后的复合靶在常温下溅射制备Ti?Co?Sb复合薄膜；3）在300?600?oC温度下对复合薄膜进行快速热退火处理或常规热处理，得到单相的多晶TiCoSb薄膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：秦娟，孙纽一，王国华，张敏，吴纯清，史伟民，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：
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