【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种、尤其是用于将非晶硅层转换成晶体硅层的方法，涉及这样制造的半导体层、包括这样的半导体层的电子和光电子产品以及等离子体源。
技术介绍
在制造硅层时，根据方法首先形成非晶硅。然而，非晶硅在以后在薄膜太阳能电池中的应用中仅达到为约7%的效率。因而，非晶硅常规地事先被转变或被转换为晶体硅。半导体层的转换可以通过半导体层的能量输送、例如半导体层的通过热处理、通过半导体层的照射、例如通过利用激光辐射或者红外辐射来照射半导体层或者通过半导体层的等离子体处理来实现。出版文献CN 101724901描述了一种用于制造多晶硅层的方法，其中多层硅系统在炉中在450°C到550°C以及0.2托到0.8托的情况下被回火并且通过添加氢气产生氢等离子体。出版文献CN 101609796描述了一种用于制造薄膜太阳能电池的方法，其中非晶娃构成的层在100 atm到800 atm的氢气压力下被回火。在公开文献“Low-temperatur crystallization of amorphous silicon byatmospheric-pressure plasma trea...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：P施滕纳，M帕茨，M克勒，S韦伯，
申请(专利权)人：赢创德固赛有限公司，
类型：
国别省市：
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