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本发明涉及一种用于转换半导体层的方法，尤其是用于将非晶硅层转换成晶体硅层的方法，其中转换通过利用等离子体对半导体层进行处理来进行，该等离子体由配备有等离子体喷嘴（1）的等离子体源来产生。此外，本发明还涉及根据该方法制造的半导体层、包括这样的...
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