电子器件、制造方法和电子器件制造装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种电子器件、制造方法和电子器件制造装置。根据本公开内容，所述制造方法包括：使第一电子元件的第一电极的顶表面暴露于有机酸，利用紫外光照射第一电极的暴露于有机酸的顶表面，以及通过对第一电极和第二电子元件的第二电极进行加热和相互压制来接合第一电极和第二电极。

【技术实现步骤摘要】

本文讨论的实施方案涉及电子器件、制造该电子器件的方法以及电子器件制造装置。
技术介绍
倒装芯片安装是在电路板上安装半导体元件的方法之一。在倒装芯片安装中，电路板和半导体元件通过回流和连接形成在电路板和半导体元件的表面上的钎料凸点而彼此电连接和机械连接。随着钎料凸点的小型化，相邻钎料凸点之间的距离变短。这可能导致通过回流而熔化的凸点之间的电短路。此外，由于钎料凸点的直径随着小型化而减小，所以流过钎料凸点的电流的密度增加。这可以显著地引起其中钎焊材料沿着电流流动的电迁移。为了避免该问题，代替使用这种使用钎料凸点的连接方法，提出了一种通过在电极上进行热压接合而使电极(如铜凸点)接合，从而引起金属材料在电极中的固相扩散的方法。这种接合方法也被称为固相扩散接合。与使用钎料凸点的连接方法不同，在固相扩散接合中不需要通过回流来使电极熔化。因此，甚至当相邻电极之间的距离减小时，电极也不可能电短路。因此，固相扩散接合有利于电子器件的小型化。然而，在固相扩散接合的过程中，为了促进电极间的原子的扩散而向半导体元件施加高温和高压。这可能损坏半导体元件。与以下公开内容相关的技术公开在日本公开特许公报号04-本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造电子器件的方法，所述方法包括：使第一电子元件的第一电极的顶表面暴露于有机酸；利用紫外光照射所述第一电极的暴露于所述有机酸的所述顶表面；以及通过对所述第一电极和第二电子元件的第二电极进行加热和相互压制来接合所述第一电极和所述第二电极。

【技术特征摘要】
2012.01.20 JP 2012-009728;2012.07.03 JP 2012-14941.一种制造电子器件的方法，所述方法包括: 使第一电子兀件的第一电极的顶表面暴露于有机酸； 利用紫外光照射所述第一电极的暴露于所述有机酸的所述顶表面；以及通过对所述第一电极和第二电子元件的第二电极进行加热和相互压制来接合所述第一电极和所述第二电极。2.根据权利要求1所述的制造电子器件的方法，所述方法还包括: 使所述第二电极的顶表面暴露于所述有机酸；以及 利用紫外光照射所述第二电极的暴露于所述有机酸的所述顶表面。3.根据权利要求1或2所述的制造电子器件的方法，所述方法还包括: 在接合所述第一电极和所述第二电极之前，使用临时性接合材料来临时地接合所述第一电子元件和所述第二电子元件。4.根据权利要求3所述的制造电子器件的方法，其中 所述临时性接合材料是在接合所述第一电极和所述第二电极的过程中因加热而挥发、熔化或分解的材料。5.根据权利要求1所述的制造电子器件的方法，所述方法还包括: 在使所述第一电极的所述顶表面暴露于所述有机酸之前，对所述第一电极的所述顶表面进行热氧化。6.根据权利要求1所述的制造电子器件的方法，其中接合所述第一电极和所述第二电极在排除氧的气氛或包含有机酸的气氛中进行。7.根据权利要求1所述的制造电子器件的方法，所述方法还包括: 在接合所述第一电极和所述第二电极之前，使所述第一电极的顶表面和所述第二电极的顶表面中的至少之一暴露于紫外光或氧等离子体。8.根据权利要求1所述的制造电子器件的方法，其中 在接合所述第一电极和所述第二电极的过程中...

【专利技术属性】
技术研发人员：酒井泰治，今泉延弘，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：