蒸镀用狭长沟槽掩模板的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种蒸镀用狭长沟槽掩模板的制备方法，主要解决现有OLED制造技术中，蒸镀时有机颗粒由于掩模板开口壁的遮蔽而无法达到基板的技术问题，本发明专利技术通过采用一种蒸镀用狭长沟槽掩模板的制备方法，采用双面蚀刻工艺，包括如下几个步骤：从掩模板材料的ITO面蚀刻形成ITO面狭长沟槽状开口(1)；从掩模板的蒸镀面刻蚀形成狭长沟槽开口(2)，并使狭长沟槽开口(2)与ITO面狭长沟槽状开口(1)中心重合，且狭长沟槽开口(2)中心对称；且开口孔壁具有一定凹弧度，形成了30～50°蒸镀锥角；通过蚀刻工艺，制得具有ITO面小尺寸狭长沟槽状开口(1)与蒸镀面大尺寸狭长沟槽开口(2)相贯通形成葫芦状开口的掩模板的技术方案，较好地解决了该问题，可用于有机发光二级管的工业生产中。?

Method for preparing narrow groove mask for evaporation

The invention relates to a preparation method of evaporation with narrow grooves of the mask, which mainly solves the existing OLED manufacturing technology, evaporation of organic particles due to shadowing mask opening wall technology problems and could not reach the substrate, the invention adopts a preparation method of evaporation with narrow grooves of the mask, the the double-sided etching process includes the following steps: the ITO surface etching mask material formed on the ITO surface narrow long grooves shaped opening (1); from the mask evaporation surface etched to form a narrow trench opening (2), and the narrow trench opening (2) opening and ITO surface narrow groove (1) long at the same point, and narrow trench opening (2) center of symmetry; and the opening hole has a concave arc, the formation of 30 ~ 50 DEG evaporation angle; through the etching process, prepared with ITO small size narrow gap groove opening (1) with large size and narrow surface evaporation The utility model is characterized in that the groove opening (2) is connected with the technical scheme of forming a mask plate with a gourd shaped opening, which solves the problem and can be used in the industrial production of the organic light emitting diode (two). ?

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及OLED制造过程中所需的。
技术介绍
—般地,OLED器件为一种发射显不器件,其通过电激发突光有机化合物发光。依据可以排列为矩阵的NXM像素的驱动方式，OLED器件可以看作无源矩阵OLED (PMOLED)器件或有源矩阵OLED (AMOLED)器件。AMOLED器件与PMOLED器件相比，由于其低功耗和高分辨率，适合于大尺寸显示器。依据光从有机化合物发出的方向，OLED器件可为顶发射OLED器件、底发射OLED器件或顶和底发射OLED器件。顶发射OLED器件在与设置有像素的衬底的相反方向上发光且与底发射OLED不同,其具有高开口率(Aperture ratio)。对于既包含用于主要显示窗口的顶发射型又包含用于次要窗口的底发射型OLED器件的需求正在增长，因为此器件可以被小型化且其消耗很少的功率。这样的OLED器件可以主要用于包括外部次要显示窗口和内部主要显示窗口的移动电话。次要显示窗口消耗的功率少于主要显示窗口，且当移动电话处于呼叫等待状态时它可以保持开的状态，从而允许在任何时候观察接收状态、电池余量、时间等。有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,0LED)是在一定电场驱动下，电子和空穴分别从阴极 和阳极注入到阴极修饰层和空穴注入层，并在发光层中相遇，形成的激子最终导致可见光的发射。对于有机电致发光器件，我们可按发光材料将其分成两种:小分子OLED和闻分子0LED。上述有机电致发光装置包括第一电极、有机发光层及第二电极。制造有机发光装置时，通过光刻法，通过腐蚀剂在ITO上构图。光刻法再用来制备第二电极时，湿气渗入有机发光层和第二电极之间，会显著地缩短有机发光装置的寿命，降低其性能。为了克服以上问题，采用蒸镀工艺将有机发光材料沉积在基板上，形成有机发光层，该方法需配套高精度蒸镀用荫罩。第二电极的制作同发光层的制作方法。在蒸镀过程中，随着时间的延长，温度也在不断上升，高温可达到60°C，由于荫罩开口尺寸以微米级衡量，并且需要蒸镀到ITO玻璃上的有机材料的厚度很薄，以纳米级单位进行衡量，所以对开口尺寸精度、开口形貌以及板厚需严格要求。由于传统工艺使用的蒸镀用狭长沟槽掩模板(也称为荫罩)的开口一般为单层的，荫罩上的开口也无具无锥度，所以会造成有机材料颗粒的遮挡，影响蒸镀层的均匀性，降低蒸镀质量，增加了制造成本。传统工艺采用单层开口的OLED掩模板，且开口无锥度，如图1所示，有机材料颗粒从各个角度穿过掩模板并贴附于基板上，开口 I无锥度，当颗粒倾斜射入角度小于或等于Θ时，这部分颗粒会碰到开口壁而被遮蔽，无法到达基板。这种现象会产生以下问题:使倾斜射入的颗粒出现部分缺失，致使辉度下降，并且在基板上不能形成希望的厚度和形状。一般蒸镀用荫罩的厚度在100 μ m左右，而蒸镀的有机材料膜厚只在IOOnm左右，荫罩上的开口尺寸最小可以是10 μ m，所以无锥度开口的侧壁势必会在蒸镀过程中产生遮挡，但另一方面，如果只减薄荫罩的厚度来降低有机材料的遮挡程度，又会影响荫罩的使用寿命，因为荫罩过薄，易变形，影响的荫罩的使用，降低蒸镀质量。传统的蒸镀用狭长沟槽掩模板的开口种类有三种:点状荫罩板(Invar-ShadowMask)、栅格式 / 狭缝荫罩板(Aperture Grille Mask/Slit Mask)、狭槽荫罩板(SlotMask)。都具有如图1开口 11所述的单面无锥度的开口缺陷。本专利技术提供一种OLED制造过程中所需的，该方法制备的掩模板具有锥度开口设计，解决了有机颗粒由于开口壁的遮蔽而无法达到基板的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是现有OLED制造技术中，蒸镀时有机颗粒由于开口壁的遮蔽而无法达到基板的技术问题，提供一种新的，使用该方法制备的掩模板具有有机材料的使用率高、成膜率高、掩模板使用寿命长、节约成本的优点。为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案如下:一种，采用双面蚀刻工艺，包括如下几个步骤: a)选取厚度为15 200μ m金属或合金薄板作为掩模板材料，掩模板材料的一个面为和IT0半导体玻璃接触的ITO面，另一个面作为蒸镀面； b)从掩模板材料的ITO面蚀刻形成ITO面狭长沟槽状开口(I)； c)从掩模板的蒸镀面刻蚀形成 狭长沟槽开口(2)，并使狭长沟槽开口(2)与ITO面狭长沟槽状开口(I)中心重合，且狭长沟槽开口(2)中心对称；且开口孔壁上具有30 50°的蒸镀锥角； d)通过对ITO面和蒸镀面蚀刻时间的控制，得到所需要的狭长沟槽开口(2)与ITO面狭长沟槽状开口⑴的开口深度；ITO面狭长沟槽状开口(I)深度为5 50μπι，横向尺寸为50 70 μ m，ITO面狭长沟槽状开口⑴的尺寸精度控制在±5 μ m ;狭长沟槽开口(2)深度为10 150 μ m,横向尺寸为80 140 μ m, e)通过蚀刻，制得具有ITO面小尺寸ITO面狭长沟槽状开口(I)与蒸镀面大尺寸狭长沟槽开口(2)相贯通形成葫芦状狭长沟槽的掩模板； 其中，所述掩模板形状为四边形，ITO面狭长沟槽状开口(I)横向和纵向之间均具有实桥；狭长沟槽开口(2)横向之间具有实桥；所述掩模板上在ITO面上的狭长沟槽状开口(I)尺寸小于在蒸镀面上的狭长沟槽开口(2)尺寸。上述技术方案中，所述ITO面开口通过横向和纵向若干个实桥，将开口连接起来，形成网格状；蒸镀面上的狭长沟槽开口通过横向实桥，将开口连接起来，狭长沟槽在掩模板上呈规则分布；所述掩模板为矩形，厚度为10 150μπι。ITO面狭长沟槽状开口和蒸镀面的狭长沟槽开口均具有倒锥角，ITO面的开口倒锥角的角度小于蒸镀面的狭长沟槽开口倒锥角的角度。掩模板材料为不锈钢、纯镍、镍钴合金、镍铁合金、因瓦合金中的任意一种金属板。掩模板厚度为20 100 μ m ;将其在掩模板的厚度方向上垂直剖开，其剖面图为葫芦状。ITO面和蒸镀面上的开口长尺寸边的方向为纵向，开口小尺寸边的方向为横向；ΙΤ0面开口横向尺寸小于蒸镀面网格开口的横向尺寸。ITO面狭长沟槽开口横向上的尺寸精度在±5 μ m ;ITO面的倒锥角开口的垂直深度在5 25 μ m。蒸镀面狭长沟槽开口侧壁为光滑锥壁，锥度在30 50°。ITO面的倒锥角开口的垂直深度小于等于蒸镀面锥角开口的垂直深度；所述掩模板使用时，ITO面与蒸镀基板ITO玻璃紧密贴紧，有机材料通过ITO面开口和蒸镀面狭长沟槽开口蒸镀到ITO玻璃基板上。ITO面狭长沟槽状开口侧壁为光滑倒锥壁，锥角为0-8°。本专利技术通过该专利技术的有益效果如下:该种制备工艺制作的掩模板具有锥度开口，即ITO面开口尺寸小于蒸镀面开口尺寸，解决了有机颗粒由于开口壁的遮蔽而无法达到基板的问题；在保证ITO面开口位置精度的同时提高了有机材料的成膜率；提高了有机材料的使用率，节约了成本。提高了蒸镀薄膜的均匀度；开口葫芦形的设计，保证了掩模板与ITO玻璃基板紧贴面(即ITO面)的开口尺寸精度控制在要求范围内；掩模板具有大开口设计的一定厚度的蒸镀面，保证在不影响蒸镀的情况下，对掩模板进行了加厚稳固的作用；扩大了荫罩的厚度范围，避免由于掩模板过薄导致的板面变形，提高了荫罩使用寿命，取得了较好的技术效果。附图说明图1为现有技术中掩模板结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蒸镀用狭长沟槽掩模板的制备方法，采用双面蚀刻工艺，包括如下几个步骤：a)?选取厚度为15～200μm金属或合金薄板作为掩模板材料，掩模板材料的一个面为和ITO半导体玻璃接触的ITO面，另一个面作为蒸镀面；b)从掩模板材料的ITO面蚀刻形成狭长沟槽状开口(1)；c)?从掩模板的蒸镀面刻蚀形成狭长沟槽开口(2)，并使狭长沟槽开口(2)?与ITO面狭长沟槽状开口(1)中心重合；且开口孔壁具有30～50°蒸镀锥角；d)?通过对ITO面和蒸镀面蚀刻时间的控制，得到所需要的蒸镀面狭长沟槽开口(2)与ITO面狭长沟槽开口(1)的开口深度；ITO面狭长沟槽状开口(1)深度为5～50μm，横向尺寸为50～70μm，ITO面狭长沟槽状开口(1)的尺寸精度控制在±5μm；狭长沟槽开口(2)深度为10～150μm，横向尺寸为80～140μm；e)?通过蚀刻，制得具有ITO面小尺寸ITO面狭长沟槽状开口(1)与蒸镀面大尺寸狭长沟槽开口(2)相贯通形成葫芦状狭长沟槽的掩模板；其中，所述掩模板形状为四边形，ITO面狭长沟槽状开口(1)?横向和纵向之间均具有实桥；狭长沟槽开口(2)横向之间具有实桥；所述掩模板上在ITO面上的狭长沟槽状开口（1）尺寸小于在蒸镀面上的狭长沟槽开口（2）尺寸。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：魏志凌，高小平，郑庆靓，
申请(专利权)人：昆山允升吉光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：