蒸镀装置以及蒸镀方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种蒸镀装置以及蒸镀方法，该蒸镀装置包括：海尔贝克磁铁阵列和掩膜版设置区域；海尔贝克磁铁阵列的至少部分的磁化方向沿顺时针方向或逆时针方向旋进，使得海尔贝克磁铁阵列两侧形成磁场强度大小不同的磁场；掩膜版设置区域设置于海尔贝克磁铁阵列任一侧的磁场内。将铁磁性材料的掩模版置于本发明专利技术实施例提供的蒸镀装置内，掩膜版会受到来自海尔贝克磁铁阵列对其的吸引力。在该吸引力与重力的共同作用下掩模版几乎不发生形变，解决了现有的蒸镀装置中掩膜版因其自身重力作用造成形变影响蒸镀效果的问题，实现了防止掩膜版因其自身重力作用而发生形变的不良现象产生，避免了掩膜版的受损以及PS柱的擦伤的目的。

【技术实现步骤摘要】
蒸镀装置以及蒸镀方法
本专利技术实施例涉及蒸镀技术，尤其涉及一种蒸镀装置以及蒸镀方法。
技术介绍
蒸镀是将待成膜的物质置于真空中进行蒸发或升华，使之在工件或基板表面析出的过程。将蒸镀材料加热并镀到基板上称为真空蒸镀，或叫真空镀膜。真空镀膜工艺大量应用于设备(如显示面板)的制造过程中。在显示面板的蒸镀制程中，掩膜版被用来对玻璃基板特定区域进行遮挡，以使蒸镀材料在未遮挡区域析出成膜。理论上掩膜版表面应与玻璃基板平行，此时蒸镀结果与掩膜版应完全对应，和设计相符。但实际情况是，由于掩膜版的边缘被固定于支撑架上，掩膜版极薄(厚度为数十微米)，掩膜版因自身重力作用造成的形变不可忽略。在该形变的影响下，玻璃基板上得到的膜与预期情况产生偏差，进而使得蒸镀装置的蒸镀效果不佳。此外，蒸镀装置在固定掩膜版的过程中，如果掩膜版在竖直方向上受力的变化很大，则掩膜版会以很大的速度撞击玻璃基板，造成玻璃基板损伤以及掩膜版受损，此外，还可能造成位于玻璃基板上PS柱(photo-spacer，也称柱状隔垫物)的擦伤问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种蒸镀装置以及蒸镀方法，以达到防止掩膜版因其自身重力作用而发生形变的不良现象产生，提高蒸镀装置的蒸镀效果的目的。第一方面，本专利技术实施例提供了一种蒸镀装置，该蒸镀装置包括海尔贝克磁铁阵列和掩膜版设置区域；所述海尔贝克磁铁阵列的至少部分的磁化方向沿顺时针方向或逆时针方向旋进，使得所述海尔贝克磁铁阵列两侧形成磁场强度大小不同的磁场；所述掩膜版设置区域设置于所述海尔贝克磁铁阵列任一侧的磁场内。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种蒸镀方法，该蒸镀方法包括：提供一蒸镀腔室；提供一蒸镀装置，所述蒸镀装置包括：海尔贝克磁铁阵列和掩膜版设置区域，所述海尔贝克磁铁阵列的至少部分的磁化方向沿顺时针方向或逆时针方向旋进，使得所述海尔贝克磁铁阵列两侧形成磁场强度大小不同的磁场，所述掩膜版设置区域设置于所述海尔贝克磁铁阵列任一侧的磁场内；将掩膜版运送至所述掩膜版设置区域内的预设位置，所述掩膜版的材料为铁磁材料；所述蒸镀装置将所述掩膜版固定；利用所述蒸镀腔室进行蒸镀。本专利技术实施例通过利用海尔贝克磁铁阵列在其两侧形成特定分布的磁场，掩膜版设置区域设置于该海尔贝克磁铁阵列任一侧的磁场内。在该掩膜版设置区域内，铁磁性材料的掩模版会受到沿远离海尔贝克磁铁阵列方向大小变化缓慢的吸引力。在该吸引力与重力的共同作用下，掩模版几乎不发生形变，解决了现有的蒸镀装置中掩膜版因其自身重力作用造成形变，影响蒸镀效果的问题，实现了防止掩膜版因其自身重力作用而发生形变的不良现象产生，提高了蒸镀装置的蒸镀效果的目的。同时本专利技术实施例提供的蒸镀装置在将掩膜版吸引至预设位置的过程中，沿远离海尔贝克磁铁阵列方向海尔贝克磁铁阵列对掩膜版的吸引力的变化较小，沿平行于海尔贝克磁铁阵列所在平面方向海尔贝克磁铁阵列对掩膜版的吸引力几乎为零，掩膜版不会以很大的速度撞击玻璃基板，避免了掩膜版的受损以及PS柱的擦伤。附图说明图1a为现有的一种蒸镀装置在蒸镀过程中理想的结构示意图；图1b为现有的一种蒸镀装置在蒸镀过程中实际的结构示意图；图2a为现有的另一种蒸镀装置的结构示意图；图2b为置于现有的蒸镀装置中，掩膜版z方向加速度随掩膜版与磁铁阵列之间的距离的变化关系示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种蒸镀装置的结构示意图；图4为磁化单元需满足条件的推导示意图；图5a为置于图4蒸镀装置中的掩膜版z方向加速度的分布情况示意图；图5b为置于图4蒸镀装置中的掩膜版x方向加速度的分布情况示意图；图6为本专利技术实施例提供的另一种蒸镀装置的结构示意图；图7为磁铁阵列单元需满足条件的推导示意图；图8a为置于图7蒸镀装置中的掩膜版z方向加速度的分布情况示意图；图8b为置于图7蒸镀装置中的掩膜版x方向加速度的分布情况示意图；图9为本专利技术实施例提供的一种蒸镀方法的流程图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。图1a为现有的一种蒸镀装置在蒸镀过程中理想的结构示意图，图1b为现有的一种蒸镀装置在蒸镀过程中实际的结构示意图。参见图1a和图1b，该蒸镀装置包括支撑架11和掩膜版12，掩膜版12的边缘被固定于支撑架11上，在掩膜版12位于玻璃基板13的一侧。蒸镀源141位于掩膜版12远离玻璃基板13的一侧。其中掩膜版12为镂空结构，其对玻璃基板13特定区域131进行遮挡，并将玻璃基板13待蒸镀区132暴露出来，以使蒸镀材料从蒸镀源141中喷出后在待蒸镀区132析出成膜142。对比图1a和图1b，在实际使用中，由于仅掩膜版12的边缘被固定于支撑架11上，在掩膜版12自身重力的作用下，掩膜版12会产生不可忽略的形变，使得掩膜版12和玻璃基板13之间存在缝隙。当蒸镀材料在玻璃基板13待蒸镀区132析出成膜142时，会在掩膜版12和玻璃基板13之间的缝隙少量析出，进而使得蒸镀装置的蒸镀效果不佳。若利用现有的蒸镀装置通过蒸镀形成红、绿、蓝像素阵列的各膜层，由于各膜层在蒸镀过程中均会出现上述偏差，会使得显示面板像素单元边缘交叠。无疑，这将影响显示面板的显示效果，甚至使得显示面板报废。图2a为现有的另一种蒸镀装置的结构示意图。参见图2a，该蒸镀装置包括用于将掩膜版12吸引至预设位置15的磁铁阵列14。该磁铁阵列14包括多个磁化方向与z轴正向相同的第一磁铁块141和多个磁化方向与z轴逆向相同的第二磁铁块142(图2a中该磁铁阵列14示例性地仅包括两个第一磁铁块141和两个第二磁铁块142)。第一磁铁块141与第二磁铁块142交替排列形成多行多列的阵列结构。现有的磁铁阵列14在其两侧形成的磁场的磁场强度相同，且其对掩膜版12的吸引力衰减极快。在实际蒸镀时，在利用该磁铁阵列14将掩膜版12吸引至预设位置15处的过程中，随着掩膜版12位置的不断变化，掩膜版12与磁铁阵列14之间的距离不断变化，掩膜版12受到来自磁铁阵列14的吸引力随着掩膜版12与磁铁阵列14之间的距离的变化成指数形式增加。掩膜版12受到来自磁铁阵列14的吸引力越大，掩膜版12的加速度越大。由于掩膜版12加速度的大小可以反映掩膜版12受到的来自磁铁阵列14的吸引力的大小，所以可以把掩膜版12受到的来自磁铁阵列14的吸引力折合为加速度，并将该加速度分解在z轴和x轴方向上，进而可以得到掩膜版12在z轴方向上的加速度的分量(记作z方向加速度)。图2b为置于现有的蒸镀装置中，掩膜版z方向加速度随掩膜版与磁铁阵列之间的距离的变化关系示意图。图2b中横坐标表示掩膜版z方向加速度，单位为米每二次方秒(m/s2)。纵坐标表示掩膜版距磁铁阵列的距离Z0，单位为毫米(mm)。参见图2b，从点M移动到点N(距离为5mm)，掩膜版z方向加速度由9.8m/s2增加至227m/s2。从点N移动到点P(距离为2mm)掩膜版z方向加速度由227m/s2增加至811m/s2。结合图2a和图2b，在这样大的加速度下，掩膜版12会以极大的速度撞击到玻璃基板上，这会造成掩膜版12褶皱。另外玻璃基板上包括PS柱，这会造成PS柱擦伤本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蒸镀装置，其特征在于，包括：海尔贝克磁铁阵列和掩膜版设置区域；所述海尔贝克磁铁阵列的至少部分的磁化方向沿顺时针方向或逆时针方向旋进，使得所述海尔贝克磁铁阵列两侧形成磁场强度大小不同的磁场；所述掩膜版设置区域设置于所述海尔贝克磁铁阵列任一侧的磁场内。

【技术特征摘要】
1.一种蒸镀装置，其特征在于，包括：海尔贝克磁铁阵列和掩膜版设置区域；所述海尔贝克磁铁阵列的至少部分的磁化方向沿顺时针方向或逆时针方向旋进，使得所述海尔贝克磁铁阵列两侧形成磁场强度大小不同的磁场；所述掩膜版设置区域设置于所述海尔贝克磁铁阵列任一侧的磁场内。2.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，还包括掩膜版，所述掩膜版的材料为铁磁材料。3.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，所述海尔贝克磁铁阵列的磁化方向沿顺时针方向或逆时针方向以恒定旋转角频率旋进。4.根据权利要求3所述的蒸镀装置，其特征在于，所述海尔贝克磁铁阵列包含至少一个磁化单元；每一个所述磁化单元所对应的所述海尔贝克磁铁阵列部分的磁化方向沿顺时针方向或逆时针方向连续旋进360度。5.根据权利要求4所述的蒸镀装置，其特征在于，所述磁化单元长度T满足下述公式：其中，Br为所述磁化单元的剩余磁化强度，ρ是掩膜版的密度，g为重力加速度，μ0为真空磁导率，χm是掩膜版的磁化系数。6.根据权利要求5所述的蒸镀装置，其特征在于，所述磁化单元的厚度L满足下述公式：其中，ω为所述磁化方向旋转角频率，其满足ω＝2π/T。7.根据权利要求3所述的蒸镀装置，其特征在于，所述海尔贝克磁铁阵列包括至少一个磁铁阵列单元，所述磁铁阵列单元由多个磁化方向不同的磁铁块组成；所述磁铁阵列单元内，各所述磁铁块的磁化方向不同，沿各所述磁铁块的排列方向，各所述磁铁块的磁化方向沿顺时针方向或逆时针方向连续旋进360度。8.根据权利要求7所述的蒸镀装置，其特征在于，所述磁铁阵列单元内包括至少三个所述磁铁块。9.根据权利要求8所述的蒸镀装置，其特征在于，所述磁铁阵列单元的长度T满足下述公式：其中，Br为所述磁铁块剩余磁化强度，ρ是掩膜版的密度，g为重力加速度，μ0为真空磁导率，χm是掩膜版的磁化系数。10.根据权利要求9所述的蒸镀装置，其特征在于，所述磁铁块的厚度L满足下述公...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐健，刘耀阳，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31