一种阵列基板及其制备方法和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开的多膜层基板的制备方法包括：在衬底上形成第一膜层，并在第一膜层的对位区域中形成一组特定对位标识；在第一膜层上依次形成多层后续膜层和一顶层膜层。针对每一层后续膜层的构图工艺：将掩膜板中的对位标识与特定对位标识对位，进行曝光，且在构图过程中，清除在特定对位标识的图形位置形成的光刻胶图形；针对顶层膜层的构图工艺：将掩膜板中的对位标识与特定对位标识进行对位，进行曝光。本发明专利技术提供的基板制备方法，所有后续膜层使用同一组对位标识进行对位，提高了形成的后续膜层图形之间的对位精度。本发明专利技术还提供了一种采用上述制备方法制备的阵列基板，和包括上述阵列基板的显示装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体构图工艺
，特别涉及一种阵列基板及其制备方法和显示装置。
技术介绍
目前，在半导体加工中，一个产品的制作过程往往包括十几次甚至是几十次的光刻构图工艺，其中，除了第一次光刻构图以外，其余层次的光刻构图中，在曝光前都要将该层次的图形与以前层次留下的图形对准。以液晶显示装置中的薄膜晶体管TFT (Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列基板的曝光工艺为例，TFT阵列基板包括衬底和依次形成在衬底上的多个膜层，在多个膜层的光刻构图过程中，其曝光工艺中采用的传统的对位方法为:首先在直接生成于衬底上的第一膜层的对位区域A内形成多组对位标识(mark)，作为后续膜层与第一膜层形成的图形对位的基准标尺；以其中一层后续膜层的对位曝光为例，如图1所示，图1中所示的一组对位markl为该后续膜层的掩膜板的对位标识，在对第一膜层之上的第二膜层进行曝光对位时，掩膜板的一组对位mark2与第一膜层中的该组对位markl进行对位，以实现对第二膜层形成的图形与第一膜层中图形的精确对位，掩膜板中具有的对位mark2如图2所示。通过上述对位方法进行对位之后，对第二膜层进行曝光显影，其使用的掩膜板的mark2会在markl中形成mark2的图形,进而使第一膜层形成的对位区域A中的图形变为markl和mark2的组合图形，如图3所示；因此，在第二膜层光刻构图完成后，位于第二膜层之后的后续膜层在光刻构图中无法再次使用markl进行对位，而必须使用其它位置的一组mark进行对位，从而导致第一膜层之后的每一层膜层在光刻构图时只能使用第一膜层中不同组的mark进行对位，会造成各膜层之间的对位偏移量和对位偏移方向不一致，从而造成层层之间曝光之后形成的图形之间的对位误差较大，增加了 TFT阵列基板产品不良的产生。
技术实现思路
本专利技术提供了一种基板制备方法，在多层后续膜层的光刻构图工艺中，提高多层膜层形成的图形之间的对准精度，降低产品不良，提高产品质量。本专利技术还提供了一种通过上述基板制备方法制备的阵列基板以及具有上述阵列基板的显示装置。为达到上述目的，本专利技术提供以下技术方案:一种阵列基板的制备方法，包括:在衬底上形成第一膜层，并在第一膜层的对位区域中形成一组特定对位标识；在所述第一膜层上依次形成多层后续膜层和一顶层膜层，其中针对每一层所述后续膜层的构图工艺:将掩膜板中的对位标识与所述第一膜层上的所述特定对位标识进行对位，对后续膜层上涂覆的光刻胶进行曝光；且在构图过程中，清除在对后续膜层进行曝光时掩膜板中的对位标识在特定对位标识的图形位置形成的光刻胶图形；针对所述顶层膜层的构图工艺:将掩膜板中的对位标识与所述第一膜层上的所述特定对位标识进行对位，对顶层膜层上涂覆的光刻胶进行曝光。优选地，所述针对顶层膜层的构图工艺的步骤中，还包括:在构图工艺中，清除在对顶层膜层进行曝光时掩膜板中的对位标识在特定对位标识的图形位置形成的光刻胶图形。优选地，所述在构图过程中，清除在对后续膜层进行曝光时掩膜板中的对位标识在特定对位标识的图形位置形成的光刻胶图形，具体包括:对所述第一膜层的对位区域内的光刻胶图形进行曝光显影，移除光刻胶图形。优选地，所述对所述第一膜层的对位区域内的光刻胶图形进行曝光显影，移除光刻胶图形，具体包括:使用曝光机的打标单元对所述第一膜层的对位区域进行单点曝光，并经过显影将该区域的光刻胶图形移除。优选地，对所述第一膜层的对位区域内的光刻胶图形进行曝光显影，移除光刻胶图形，具体包括:后续膜层中顺序相邻的两个与曝光机的镜头区域对应的曝光区中，前曝光区完成曝光，对后曝光区进行曝光时，曝光机将前曝光区内的对位区域中靠近后曝光区的区域进行曝光；采用曝光机的打标单元对所述第一膜层的对位区域剩余的区域进行单点曝光；对所述第一膜层的对位区域进行显影，移除对位区域内的光刻胶图形。优选地，所述对所述第一膜层的对位区域内的光刻胶图形进行曝光显影，移除光刻胶图形过程中:完成对一层后续膜层的曝光步骤之后，再进行所述采用曝光机的打标单元对所述第一膜层的对位区域剩余的区域进行单点曝光的步骤。优选地，对后曝光区进行曝光时，前曝光区的遮光区域靠近后曝光区的一侧具有开口，将前曝光区的对位区域靠近后曝光区的对位标识区域露出，在对后曝光区进行曝光时，对前曝光区露出的对位标识区域进行曝光。优选地，所述在构图过程中，清除在对后续膜层进行曝光时掩膜板中的对位标识在特定对位标识的图形位置形成的光刻胶图形，具体包括:后续膜层曝光显影时在对位区域内形成的光刻胶图形的宽度小于其刻蚀中刻蚀液对光刻胶的刻蚀偏量；后续膜层进行刻蚀时将该后续膜层曝光之后在对位区域形成的光刻胶图形移除。本专利技术还提供了一种阵列基板，该阵列基板采用上述技术方案中提供的任一种阵列基板制备方法制造。本专利技术还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述技术方案中提供的阵列基板。本专利技术提供的多膜层基板的制备方法，包括:在衬底上形成第一膜层，并在第一膜层的对位区域中形成一组特定对位标识；在所述第一膜层上依次形成多层后续膜层和一顶层膜层，其中针对每一层所述后续膜层的构图工艺:将掩膜板中的对位标识与所述第一膜层上的所述特定对位标识进行对位，对后续膜层上涂覆的光刻胶进行曝光；且在构图过程中，清除在对后续膜层进行曝光时掩膜板中的对位标识在特定对位标识的图形位置形成的光刻胶图形；针对所述顶层膜层的构图工艺:将掩膜板中的对位标识与所述第一膜层上的所述特定对位标识进行对位，对顶层膜层上涂覆的光刻胶进行曝光。本专利技术提供的基板制备方法，在后续膜层的构图过程中，每一层后续膜层在构图时，均将在第一膜层形成的一组特定对位标识中形成的光刻胶图形清除，从而使每一层后续膜层以及顶层膜层在构图时均可以采用这一组特定对位标识进行对位；所有后续膜层以及顶层膜层使用上述的一组特定对位标识进行对位，可以使这些后续膜层以及顶层膜层形成的图形之间的对位偏移量和对位偏移方向一致，提高了后续膜层以及顶层膜层形成的图形之间的对位精度。因此，本专利技术提供的基板制备方法能够提高多层膜层形成的图形之间的对准精度，降低产品不良，提高产品质量。附图说明图1为现有技术基板中衬底上生成的第一膜层形成的对位区域中一组对位标识的一种不意图；图2为与图1中所示的一组对位标识对应的掩膜板及其对位标识的示意图；图3为使用图2所示的掩膜板对覆盖在图1所示的第一膜层曝光后对位区域内的图形不意图；图4为本专利技术提供的阵列基板基板制备方法的流程图；图5为本专利技术提供的基板中衬底上生成的第一膜层中特定对位标识的一种示意图；图6为图5所不的第一膜层中相邻两个曝光区中前曝光区曝光后的不意图；图7为图6所不的弟一I旲层中相邻两个曝光区中后曝光区曝光后的不意图。具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例一在阵列基板制备过程中，需要在衬底上制备第一膜层，且在第一膜层上依次制备多层后续膜层和一层顶层膜层；如图4所示，本实施例提供的阵列基板的制备方法包括:步骤S401:在衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成第一膜层，并在第一膜层的对位区域中形成一组特定对位标识；在所述第一膜层上依次形成多层后续膜层和一顶层膜层，其中针对每一层所述后续膜层的构图工艺：将掩膜板中的对位标识与所述第一膜层上的所述特定对位标识进行对位，对后续膜层上涂覆的光刻胶进行曝光；且在构图过程中，清除在对后续膜层进行曝光时掩膜板中的对位标识在特定对位标识的图形位置形成的光刻胶图形；针对所述顶层膜层的构图工艺：将掩膜板中的对位标识与所述第一膜层上的所述特定对位标识进行对位，对顶层膜层上涂覆的光刻胶进行曝光。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭建，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：