【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体构图工艺
,特别涉及一种阵列基板及其制备方法和显示装置。
技术介绍
目前,在半导体加工中,一个产品的制作过程往往包括十几次甚至是几十次的光刻构图工艺,其中,除了第一次光刻构图以外,其余层次的光刻构图中,在曝光前都要将该层次的图形与以前层次留下的图形对准。以液晶显示装置中的薄膜晶体管TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶体管)阵列基板的曝光工艺为例,TFT阵列基板包括衬底和依次形成在衬底上的多个膜层,在多个膜层的光刻构图过程中,其曝光工艺中采用的传统的对位方法为:首先在直接生成于衬底上的第一膜层的对位区域A内形成多组对位标识(mark),作为后续膜层与第一膜层形成的图形对位的基准标尺;以其中一层后续膜层的对位曝光为例,如图1所示,图1中所示的一组对位markl为该后续膜层的掩膜板的对位标识,在对第一膜层之上的第二膜层进行曝光对位时,掩膜板的一组对位mark2与第一膜层中的该组对位markl进行对位,以实现对第二膜层形成的图形与第一膜层中图形的精确对位,掩膜板中具有的对位mark2如图2所示。通过上述对位方法进行对位之后 ...
【技术保护点】
一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:在衬底上形成第一膜层,并在第一膜层的对位区域中形成一组特定对位标识;在所述第一膜层上依次形成多层后续膜层和一顶层膜层,其中针对每一层所述后续膜层的构图工艺:将掩膜板中的对位标识与所述第一膜层上的所述特定对位标识进行对位,对后续膜层上涂覆的光刻胶进行曝光;且在构图过程中,清除在对后续膜层进行曝光时掩膜板中的对位标识在特定对位标识的图形位置形成的光刻胶图形;针对所述顶层膜层的构图工艺:将掩膜板中的对位标识与所述第一膜层上的所述特定对位标识进行对位,对顶层膜层上涂覆的光刻胶进行曝光。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:郭建,
申请(专利权)人:北京京东方光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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