一种光刻版制造技术

本发明专利技术提供一种光刻版，属于半导体光刻技术领域。该光刻版包括管芯区域块以及所述管芯区域块之间的划片槽，其中，管芯区域块包括多个第一管芯区域块以及一个或多个第二管芯区域块，所述第二管芯区域块用来设置所述光刻版的对位标记。该光刻版对光刻设备的性能要求低、可以低成本地实现管芯区域块数目的有效增加。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体光刻
，涉及光刻过程中所使用的光刻版，尤其涉及一种为提高有效管芯区域块的数目而将对位标记置于管芯区域块的位置处的光刻版。
技术介绍
光刻是半导体制造技术中主要用来构图的方法之一，其中，通过光刻版将图案转移至半导体衬底的光刻胶上，因此，光刻版是光刻过程的常用工具。图1所示为现有技术的光刻版的基本结构示意图。如图1所示，光刻版100的被曝光区域主要由形成于基板Iio上的多个管芯区域块130和划片槽150组成，多个管芯区域块130按行和列的形式等间距排列，相邻管芯区域块130之间的区域形成划片槽150。每个管芯区域块130用于构图形成管芯，划片槽150则可以用来放置一些半导体工艺中的测试图形，例如，参数测试图形、条宽测试标记，并且，一般地还将对位标记置放于划片槽150中。图2所示为图1所示光刻版的局部结构放大示意图。如图2所示,对位标记151置于划片槽150中。因此，划片槽150的在纵向(沿y方向)的宽度尺寸dl和在横向(沿X方向)的宽度尺寸d2都必须至少大于对位标记151的宽度尺寸。光刻版100的曝光区域是有限制的，其最大曝光区域通常是由光刻机的视场决定，不同本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻版，包括管芯区域块以及所述管芯区域块之间的划片槽，其特征在于，所述管芯区域块包括多个第一管芯区域块以及一个或多个第二管芯区域块，所述第二管芯区域块用来设置所述光刻版的对位标记。

【技术特征摘要】
1.一种光刻版，包括管芯区域块以及所述管芯区域块之间的划片槽，其特征在于，所述管芯区域块包括多个第一管芯区域块以及一个或多个第二管芯区域块，所述第二管芯区域块用来设置所述光刻版的对位标记。2.按权利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述光刻版的曝光区域中，其中仅有一个第二管芯区域块。3.按权利要求1或2所述的光刻版，其特征在于，所述划片槽的宽度的尺寸范围为40-100 微米。4.按权利要求3所述的光刻版，其特征在于，第二管芯区域块的数目小于或等于4个。5.按权利要求3所述的光刻版，其特征在于，所述对位标记的宽度大于或等于40微米并且小于或等于100微米。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：黄玮，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：