一种掩膜板组及应用掩膜板组确定对位精度范围的方法技术

本发明专利技术公开了一种掩膜板组及应用掩膜板组确定对位精度范围的方法，方法步骤如下：通过曝光将第一掩膜板上的至少一个第一标记转移至显示基板上需要对位的第一层上形成至少一个第一对位标记；通过曝光将至少一个第二掩膜板的第二标记转移到显示基板上需要对位的当前层形成与第一对位标记相对应的第二对位标记，第二对位标记包括一正方形；根据第二对位标记的正方形与第一对位标记的正方形和多个形状相同但大小不同的图案的位置确定当前光刻的对位精度范围。通过本发明专利技术，在无法建立测量坐标系或测量工具无法准确测量的情况下，可以确定光刻对位精度的范围，进一步还可以对光刻对位精度是否符合标准进行确定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光刻エ艺，尤其涉及ー种掩膜板组及应用掩膜板组确定对位精度范围的方法。
技术介绍
光刻是通过对准、曝光等一系列步骤将掩模图形转移到显示面板(例如阵列基板、彩膜基板)上的エ艺过程，通常需要在显示基板上进行多层光刻，各层需要进行光刻的膜层之间需要对位以保证形成的各层图案符合エ艺精度的要求，对于不同层的多次光刻，如何保证层与层之间的对位精度是光刻エ艺的关键问题之一，对位精度是显示面板上需要对位的层与层的光刻图形的位置对准误差。 为了测量两层间的光刻对位精度，需要在测试设备上建立坐标系，通过测量对位盒记号确定对位精度是否符合需要。但是在实际生产中，会出现测量设备无法测量的情況，比如光刻层的表面有凹凸、或有多个层次或其它原因造成的对位盒记号部分缺失或不清楚，从而导致对产品生产过程中的对位精度不能及时准确的測量，影响生产的进度和良品率。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种用于在測量设备无法测量的情况下，确定光刻对位精度是否符合要求的掩膜板组及应用该掩膜板组确定对位精度范围的方法。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现，一种掩膜板组，包括同规格的第一掩膜板和至少ー个第二掩膜板；所述第一掩膜板上设置有至少ー个第一标记，所述第一标记包括一正方形及正方形内以正方形中心为中心的多个形状相同但大小不同的图案；所述第二掩膜版上设置有至少ー个第二标记，所述第二标记与第一掩膜版上的第ー标记对应，，所述第二标记包括一正方形，所述第二标记的正方形小于所述第一标记的正方形；且在同一坐标系中，所述第二标记的正方形的中心与所述第一标记的正方形的中心的坐标相同。进而提供一种应用上述掩膜板组确定对位精度范围的方法，步骤如下通过曝光将所述第一掩膜板上的所述至少ー个第一标记转移至显示基板上需要对位的第一层上形成至少ー个第一对位标记，所述第一对位标记包括一正方形及正方形内以正方形中心为中心的多个形状相同但大小不同的图案；通过曝光将所述至少ー个第二掩膜板的第二标记转移到显示基板上需要对位的当前层形成与所述第一对位标记相对应的第二对位标记，所述第二对位标记包括一正方形；根据所述第二对位标记的正方形与所述第一对位标记的正方形和多个形状相同但大小不同的的位置确定当前光刻的对位精度范围。本专利技术实施例取得如下有益效果在无法建立测量坐标系或测量工具无法准确测量的情况下，可以确定光刻对位精度的范围，进一步还可以对光刻对位精度是否符合标准进行确定。附图说明图IA是本专利技术实施例一种掩膜板组中第一掩膜板不意图；图IB是本专利技术实施例一种掩膜板组中第二掩膜板示意图；图2是本专利技术实施例第一掩膜板的第一标记放大示意图； 图3是本专利技术实施例第二掩膜板的第二标记放大示意图；图4是本专利技术另一实施例第一掩膜板不意图；图5A是本专利技术另一实施例第二掩膜板不意图；图5B是本专利技术另一实施例另一第二掩膜板不意图；图5C是本专利技术另一实施例另一第二掩膜板不意图；图6是本专利技术实施例一种确定对位精度范围的方法流程图；图7A是本专利技术实施例一种确定对位精度范围的方法中第二对位标记在第一对位标记中偏移的放大示意图；图7B本专利技术实施例中一种第二对位标记放大示意图；图8是本专利技术实施例另一种确定对位精度范围的方法中第二对位标记在第一对位标记中偏移的放大示意图。具体实施例方式下面结合说明书附图，对本专利技术实施例进行详细说明。作为本专利技术的第一个技术方案，掩膜板组，包括同规格的第一掩膜板和至少一个第二掩膜板；第一掩膜板上设置有至少一个第一标记，第一标记包括一正方形及正方形内以正方形中心为中心的多个形状相同但大小不同的图案；第二掩膜版上设置有至少一个第二标记，第二标记与第一掩膜版上的第一标记对应，第二标记包括一正方形，第二标记的正方形小于第一标记的正方形；且在同一坐标系中，第二标记的正方形的中心与第一标记的正方形的中心的坐标相同。多个形状相同但大小不同的图案可以为同心圆，正方形及其他便于对位的图案。作为本专利技术的第二个技术方案，在第一个技术方案的基础上，以正方形中心为中心的多个相同图案优选为以正方形中心为圆心的多个同心圆。下述附图及实施例都以同心圆进行说明，但是利用其他相同图案进行对位精度的方法与同心圆相似，比如正方形，但是因为第二对位标记也是正方形，如果通过设备观察可能会导致识别不清楚。本专利技术的第三个技术方案，在上述任一技术方案的基础上，第一掩膜板上设置有复数个第一标记时，第二掩膜板上设置有与第一标记其中之一位置对应的第二标记。当然,如本专利技术第一个技术方案，第一掩膜板上可设置有一个第一标记，第二掩膜版上的第二标记都与这一个第一标记进行对位；或第一掩膜版上有两个第一标记，三个第ニ掩膜版上的ー个第二标记与ー个第一标记对位，其余两个第二标记与另ー个第一标记分别进行对位，可以理解的是，复数个第一标记与复数个第二掩膜版上的第二标记对位方式可以有多种排列，在此不说明。作为本专利技术的第四个技术方案，在上述任一技术方案的基础上，第一标记的多个同心圆的半径按照需要对位的膜层间的结构特性确定，其中半径最大的同心圆与第一标记的正方形内切。本技术方案中的膜层间的结构特性是指膜层形成图案所需要的对位精 度来确定多个同心圆的半径，比如在阵列基板上形成过孔时，需要的对位精度要求非常高，若第一标记正方形的边长为2a，则位于正方形之内与其相切的同心圆半径为a，此时可将多个同心圆的最大半径设置为a/4，以满足要求严格的对位精度要求。作为本专利技术的第五个技术方案，在上述任一技术方案的基础上，第一标记的最小同心圆的半径等于第二标记的正方形的外接圆半径。作为本专利技术的第六个技术方案，在上述任一技术方案的基础上，第二掩膜板有N个，每个第二掩膜板上的第二标记与第一掩膜板上的处于不同位置的N个第一标记一一对应；其中，N彡I。作为本专利技术的第七个技术方案，在上述任一技术方案的基础上，N个第一标记的特征相同。作为本专利技术的第八个技术方案，ー种利用上述任一技术方案的掩膜版确定对位精度范围的方法，通过曝光将第一掩膜板上的至少ー个第一标记转移至显不基板上需要对位的第一层上形成至少ー个第一对位标记，第一对位标记包括一正方形及正方形内以正方形中心为中心的多个形状相同但大小不同的图案；通过曝光将至少ー个第二掩膜板的第二标记转移到显示基板上需要对位的当前层形成与第一对位标记相对应的第二对位标记，第二对位标记包括一正方形；根据第二对位标记的正方形与第一对位标记的正方形和多个相同图案的位置确定当前光刻的对位精度范围。作为本专利技术的第九个技术方案，在第八个技术方案的基础上，多个相同图案为以正方形中心为圆心的多个同心圆。作为本专利技术的第十个技术方案，在第八个或第九个技术方案的基础上，根据第二对位标记的正方形与第一对位标记的正方形和多个同心圆的位置确定光刻对位精度范围，包括判断第二对位标记的正方形在相对于对应的第一对位标记的正方形中心的偏移方向；确定在偏移方向上距离对应的第一对位标记的正方形中心最远的第二对位标记的正方形的两个边，根据两个边处于对应的第一对位标记的多个同心圆的位置，得到当前光刻的对位精度范围。作为本专利技术的第十个技术方案，在第九个技术方案的基础上，进ー步还包括若第二对位标记的正方形超出对应的第一对位标记的正方形范围，则当前光刻的对位精度范围不符合要求；若第二对位标记的正方形未超出对应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩膜板组，其特征在于，包括：同规格的第一掩膜板和至少一个第二掩膜板；所述第一掩膜板上设置有至少一个第一标记，所述第一标记包括一正方形及正方形内以正方形中心为中心的多个形状相同但大小不同的图案；所述第二掩膜版上设置有至少一个第二标记，所述第二标记与第一掩膜版上的第一标记对应，所述第二标记包括一正方形，所述第二标记的正方形小于所述第一标记的正方形；且在同一坐标系中，所述第二标记的正方形的中心与所述第一标记的正方形的中心的坐标相同。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张玉虎，汪雄，王军帽，李丽丽，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：