基板掩膜对位方法技术

本发明专利技术属于对位方法技术领域，公开了一种基板掩膜对位方法，首先在一掩膜版上形成多组对位标记图案，并选取若干个大尺寸基板作为样本基板，通过该掩膜版分别在每块样本基板上形成多组对位标记图案，将样本基板分为多个子基板区域，然后对样本基板实施掩膜工艺，通过样本基板上的多组对位标记图案可实现对每个子基板区域的对位，且至少通过两组对位标记图案可对位一个子基板区域，在对位过程中记录并存储每组对位标记图案的位置，根据存储的多组对位标记图案的位置参数对非样本基板实施掩膜工艺，保证了非样本基板上同层图案间的缝合度和不同层图案间的重合度，能够实现良好品质大尺寸基板的大量生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对位方法
，特别是涉及一种。
技术介绍
光刻是薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor LiquidCrystal Display,简称为“TFT-IXD”)生产中的必须环节，曝光机进行曝光时为了实现各层之间图形的重合度符合要求，必须保证对位精确，但大尺寸(即基板的尺寸大于掩膜版的尺寸)的基板内部是像素区域，不能设置对位标记，如果曝光直接采用基板周边的对位标记(如图I所示)，就大大降低了对位的精度，很难保证曝光的缝合度和各层之间图形的重合度符合要求，导致制作的基板次品率很高。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术提供一种，用以解决如何在大尺寸基板掩膜工艺中实现曝光精确对位的问题。(二)技术方案为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种，包括SI、在一掩膜版上形成至少一组对位标记图案；S2、选取一定数量的基板作为样本基板，利用所述掩膜版，分别在每块所述样本基板上形成多组对位标记图案，所述多组对位标记图案将所述样本基板分为多个子基板区域；S3、对多个所述样本基板实施掩膜工艺，通过所述样本基板上的多组对位标记图案可实现对每个子基板区域的对位，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板掩膜对位方法，其特征在于，包括：S1、在一掩膜版上形成至少一组对位标记图案；S2、选取一定数量的基板作为样本基板，利用所述掩膜版，分别在每块所述样本基板上形成多组对位标记图案，所述多组对位标记图案将所述样本基板分为多个子基板区域；S3、对多个所述样本基板实施掩膜工艺，通过所述样本基板上的多组对位标记图案可实现对每个所述子基板区域的对位，且至少通过两组所述对位标记图案可对位一个所述子基板区域，在对位过程中记录并存储所述样本基板上每组对位标记图案的位置，然后根据存储的多组对位标记图案的位置参数对非样本基板实施掩膜工艺。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：路光明，许朝钦，金基用，周子卿，贠向南，罗丽平，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：