同心圆掩膜版、图形化衬底及制造方法技术

本发明专利技术提供一种同心圆掩膜版，包括：一光刻板，所述光刻板上具有同心圆阵列，每个所述同心圆由内向外依次具有内圆、中间环和外圆环，每个所述同心圆的内圆和外圆环对应的部分不透光。本发明专利技术还提供一种利用所述的同心圆掩膜版制造的图形化衬底，所述图形化衬底具有阵列分布的皇冠型结构，所述皇冠型结构的中心顶部为三角圆锥形。以及本发明专利技术还提供一种图形化衬底的制造方法。本发明专利技术利用同心圆掩膜版可以简化皇冠型结构的图形化衬底的制造流程，降低成本的同时，避免量产时由于光刻图形套刻无法准确控制所造成的刻蚀后皇冠形貌差异、甚至变形所带来的片间重复性问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体装置领域，尤其涉及一种。
技术介绍
目前，GaN基(氮化镓基)LED(发光二极管)已经广泛应用于全色显示、交通信号灯、液晶背光显示，并逐步进入照明领域。为了满足下一代投影仪、汽车大灯和高端市场的要求，人们一直在努力提高光功率和外量子效率。通常LED的亮度可以表示为内量子效率和外量子效率的乘积(假设电流注入效率为100%)。一方面，由于晶格失配和热膨胀系数较大，蓝宝石衬底上通过GaN基形成的外延层仍然具有很高的线位错密度(ThreadingDislocation Densities, TDD) (IO8 10lclcnT2),这会导致内量子效率的衰竭。为了改善GaN基在蓝宝石衬底上的外延质量,人们提出了各种生长技术，比如横向外延过生长(Epitaxyof Lateral Over-growth, EL0G)、微米级SiNx (氮化娃)或SiOx (氧化娃)图形化掩膜和图形化蓝宝石基板(Patterned Sapphire Substrate, PSS)。另一方面，GaN基的高折射率限制了发射光的逃逸角度只为23°，导致光提取效率(LEE)低。为了改善光提取效率，人本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种同心圆掩膜版，包括：一光刻板，所述光刻板上具有同心圆阵列，每个所述同心圆由内向外依次具有内圆、中间环和外圆环，每个所述同心圆的内圆和外圆环对应的部分不透光。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：缪炳有，黄宏嘉，张汝京，
申请(专利权)人：西安神光安瑞光电科技有限公司，西安神光皓瑞光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：