一种掩膜板及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种掩膜板，包括掩膜板本体，掩膜板本体具有的透光区具有由光刻胶制备而成的透光膜，透光膜的吸光率由其中线向两侧非透光区的方向逐渐增大。透光膜的吸光率由其中线向两侧非透光区的方向逐渐增大，降低了透光区的光向非透光区方向的衍射效应，同时，透光膜的吸光率由其中线向两侧非透光区的方向具有一个渐变的过程，而透光区中心区域的光向透光区的两侧位置衍射，所以，整个透光区射在基板表面光刻胶上的光线强度比较均匀，曝光显影时能够较好地控制基板上残留的光刻胶两侧的宽度，且光刻胶的两个侧边的均匀度较好，毛刺较少，提高了对得到结构的线宽的控制精度。本发明专利技术还提供了一种上述掩膜板的制备方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示面板加工
，特别涉及。
技术介绍
在显示面板
，随着高分辨率显示技术的发展，显示面板中，单位尺寸内的像素个数在逐渐增加，像素尺寸在不断的减小，为了保持开口率，阵列基板中像素阵列的电极走线与彩膜基板中黑矩阵的线宽也要随之减小。在窄线宽的制备过程中，光的本质为电磁波，且电磁波本身的衍射效应，在传统的曝光显影工艺中，很难实现窄线宽工艺。 为了克服上述光的衍射效应的影响，目前实现窄线宽制备中使用的掩膜板主要有以下几种方式Wing pattern掩模设计,如图I所示,掩膜板的非透光区01的两侧设计为锯齿状凸起011,锯齿状的外边缘宽度为b,齿根部的宽度为c,曝光显影之后,基板04上得到的光刻胶012的宽度介于b和c之间，该类型的掩膜板能够通过锯齿状边缘来降低透过透光区的光在基板04上残留的光刻胶边缘处的衍射效应，能够较好地控制基板上残留的光刻胶两侧的宽度，而且该掩膜板可以通过调节b和c的值实现对得到的黑矩阵等结构线宽大小的调节。采用这种掩膜板制备窄线宽的优点是只需要更改掩模板中非透光区的锯齿设计就能实现窄线宽的效果，但是，使用该掩膜板得到的结构两侧的毛刺较多，不够平滑。SSM(Slit Shot mask)掩模设计,如图2所示，图2所示的掩膜板是通过减小其非透光区02的宽度a来调节曝光量，进而得到线宽较窄的光刻胶，这种方法刚好利用了光的衍射，但是曝光显影之后基板04上残留光刻胶021的线宽较难控制，进而最终得到的结构的线宽很难控制。GTM掩模设计，如图3所示，图3所示的掩膜板掩时通过阶梯状非透光区来改变非透光区各部分的透过率，如非透光区的中间部位032的透光率小于边缘部位031的透光率，进而实现窄线宽的效果，图3中所示的非透光区中，其透光率如折线034所示；该掩膜板虽然也能得到窄线宽的光刻胶033，但是，使用该掩膜板曝光时，其非透光区边缘处的光的衍射效应也难以控制，得到的线宽也比较难控制。
技术实现思路
本专利技术提供了一种掩膜板，该掩膜板能够较好地控制其透射区的光在非透光区边缘处的衍射效应，进而增大得到结构的线宽的控制精度。本专利技术还提供了一种上述掩膜板的制备方法。为达到上述目的，本专利技术提供以下技术方案一种掩膜板，包括掩膜板本体，所述掩膜板本体具有非透光区和透光区，所述透光区具有由光刻胶制备而成的透光膜，所述透光膜的吸光率由其中线向两侧非透光区的方向逐渐增大。优选地，所述透光膜中部具有弧形凹面，由所述透光膜的中线向两侧非透光区的方向，所述透光膜的厚度由中间向两侧逐渐增大。优选地，所述光刻胶为正性光刻胶或者负性光刻胶。优选地，所述透光膜位于所述掩膜板本体的一侧。优选地，所述透光膜位于所述透光区的透光狭缝内。本专利技术还提供了一种上述技术方案中提到的任一种掩膜板的制备方法，包括在所述掩膜板本体上涂覆一层光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光显影，在所述掩膜板本体的透光区形成所述透光膜。优选地，所述光刻胶为正性光刻胶。·优选地，步骤对光刻胶进行曝光显影中包括遮住所述掩膜板的透光区对所述光刻胶层进行第一次曝光显影，在所述透光区形成中间厚两侧薄的剩余光刻胶；沿所述剩余光刻胶的宽度方向，遮住剩余光刻胶的两侧，对所述剩余光刻胶进行第二次曝光显影，形成中间薄两侧厚的透光层。本专利技术提供的掩膜板，包括掩膜板本体，所述掩膜板本体具有非透光区和透光区，所述透光区具有由光刻胶制备而成的透光膜，所述透光膜的吸光率由其中线向两侧非透光区的方向逐渐增大。由于上述掩膜板中，其透光区具有的透光膜的吸光率由其中线向两侧非透光区的方向逐渐增大，因此，透光区与非透光区交接位置处的光会相对较弱，因此，降低了透光区的光向非透光区方向的衍射效应，同时，透光膜的吸光率由其中线向两侧非透光区的方向具有一个渐变的过程，而透光区中心区域的光向透光区的两侧位置衍射，所以，整个透光区射在基板表面光刻胶上的光线强度比较均匀，曝光显影时能够较好地控制基板上残留的光刻胶两侧的宽度，且光刻胶的两个侧边的均匀度较好，从而最终得到的结构的宽度均匀性较好，毛刺较少。所以，本专利技术提供的掩膜板能够较好地控制其透射区的光在非透光区边缘处的衍射效应，从而提高对得到结构的线宽的控制精度。本专利技术还提供了一种上述掩膜板的制备方法，包括在所述掩膜板本体上涂覆一层光刻胶层；对所述光刻胶进行曝光显影，在所述掩膜板本体的透光区形成所述透光膜。通过上述的掩膜板的制备方法能够制备出能够较好地控制其透射区的光在非透光区边缘处的衍射效应、从而提高对得到结构的线宽的控制精度的掩膜板。附图说明图I为现有技术中Wing pattern掩模设计的掩膜板的曝光原理示意图；图2为现有技术中SSM(Slit Shot mask)掩模设计的掩膜板的曝光原理示意图；图3为现有技术中GTM掩模设计的掩膜板的曝光原理示意图；图4为本专利技术提供的掩膜板的就够示意图；图5为图4所不掩膜板的曝光原理不意图；图6为本专利技术提供的掩膜板制备方法的流程图7为图6所示流程图中步骤S602的一种具体实施过程的流程图；图8为图7所示流程图中掩膜板的结构变化示意图。具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图4所示，本专利技术提供的掩膜板，包括掩膜板本体1，掩膜板本体I具有非透光区12和透光区11，透光区11具有由光刻胶制备而成的透光膜111，透光膜111的吸光率由其·中线向两侧非透光区的方向逐渐增大。请参考图5，由于上述掩膜板中，其透光区11具有的透光膜111的吸光率由其中线向两侧非透光区12的方向逐渐增大，因此，透光区11与非透光区12交接位置处的光会相对较弱，因此，降低了透光区11的光向非透光区12方向的衍射效应，同时，透光膜111的吸光率由其中线向两侧非透光区12的方向具有一个渐变的过程，而透光区11中心区域的光向透光区11的两侧位置衍射，所以，整个透光区11射在基板14表面光刻胶上的光线强度比较均匀，曝光显影时能够较好地控制基板上残留的光刻胶13两侧的宽度，且光刻胶13的两个侧边的均匀度较好，从而最终得到的结构的宽度均匀性较好，毛刺较少。所以，本专利技术提供的掩膜板能够较好地控制其透射区的光在非透光区边缘处的衍射效应，从而提高对得到结构的线宽的控制精度。如图5所示，在使用本专利技术提供的掩膜板进行曝光显影时，基板14上可以涂覆负性光刻胶，最终得到光刻胶13的形状。当然，还可以在基板上涂覆正性光刻胶，使用本专利技术提供的掩膜板进行曝光显影，同样可以对得到的光刻胶的宽度进行良好地控制，最终实现窄线宽设计，其工作过程这里不再赘述。上述技术方案中提供的透光膜111的具体结构可以有多种，如上下面平行的板状结构，但是，沿透光膜111的中线向两侧非透光区12的方向，透光膜111中光阻的密度逐渐增大。优选地，如图4所示，上述掩膜板的透光区11中设有的透光膜111中部具有弧形凹面，且由透光膜111的中线向两侧非透光区12的方向，透光膜111的厚度由中间向两侧逐渐增大。这样，透光膜111可以使用同一种光刻胶材料制备，只需要控制弧形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩膜板，其特征在于，包括掩膜板本体，所述掩膜板本体具有非透光区和透光区，所述透光区具有由光刻胶制备而成的透光膜，所述透光膜的吸光率由其中线向两侧非透光区的方向逐渐增大。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐向阳，邓立赟，金玟秀，杜雷，王凯，张敏，
申请(专利权)人：合肥京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：