掩模板制造技术

一种掩模板，用于形成显示面板中的薄膜晶体管，包括用于形成薄膜晶体管各组件的主图形，还包括位于所述主图形端部两侧的补偿部，用于补偿光刻过程对所述组件的损耗。以本发明专利技术提供的掩模板形成的薄膜晶体管，其显示面板具有良好的显示效果并且具有较高的开口率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及平板显示领域，尤其涉及一种掩模板。
技术介绍
液晶显示装置以轻、薄、占地小、耗电小、辐射小等优点，广泛应用于各种数据处理设备中，例如电视、笔记本电脑、移动电话、个人数字 助理等。液晶显示面板是液晶显示装置中最主要的组成部分,所述液晶显示面板包括阵列基板、与所述阵列基板相对的彩膜基板、填充于阵列基板和彩膜基板之间的液晶，其中，所述阵列基板和彩膜基板上的电极通过控制液晶分子的旋转，以调节外界光的通过率，同时，与彩膜基板相配合达到彩色显示的目的。薄膜晶体管液晶显示面板(Thin FilmTransistor Liquid Crystal Display, TFT-IXD)是最常见的液晶显示面板之一。而随着消费者对高分辨率和高画质需求的提高,低温多晶娃(Low TemperaturePoly-Silicon, LTPS)薄膜晶体管由于具有较高的载流子迁移率，在减小开口率、提高画面品质和清晰度等方面具有绝对的优势，所以被视为显示技术的主要发展方向。参考图1，示出了现有技术LTPS薄膜晶体管液晶显示面板一像素单元的示意图。所述像素单元包括源极11、漏极12、位于源极11和漏极12之间的低温多晶硅层14、位于低温多晶硅层14上方的栅极10，所述低温多晶硅层14和栅极10相交叠的区域为沟道13。所述源极11、漏极12、栅极10、沟道13构成薄膜晶体管。所述薄膜晶体管为一多层结构，现有技术在形成薄膜晶体管的过程中，通常采用多步光刻工艺以形成所述多层结构的薄膜晶体管，具体地，所述光刻工艺使用掩模板，用于将掩模板上的图形转移到衬底上或者衬底上的各层材料上，以形成薄膜晶体管的各个组件。然而在光刻工艺的过程中，各组件边缘或边角会有部分损失，这会影响液晶显示器的显示效果，下面以栅极组件为例进行说明。参考图2,示出了图I所示像素单元的薄膜晶体管的示意图,如图所示为理想状态下，完成各光刻工艺后的薄膜晶体管的示意图。在制造薄膜晶体管的过程中，通常在低温多晶硅层14上沉积金属层，并通过对金属层进行光刻以形成栅极10。所述栅极10与低温多晶硅层14交叠区域为沟道13，所述交叠区域的宽度W为沟道13的宽度，所述交叠区域的长度L为沟道13的长度。参考图3，示出了现有技术实际形成的一薄膜晶体管的示意图。如图3所示，由于在光刻过程中，栅极10的边缘会有一部分损失(如图3中虚线圆圈标示处)，因此栅极10和低温多晶硅层14的交叠区域面积会减小，具体地，本实施例中由于栅极10边缘处有部分损失，栅极10和低温多晶硅层14的交叠区域在靠近栅极10的边缘处的长度为1/，所述1/小于设计值L，从而使沟道13的长度小于设计值，这会影响器件特性，从而影响像素单元的显示效果。为了解决上述问题，现有技术对栅极进行了改进，参考图4，示出了现有技术薄膜晶体管另一实施例的示意图。所述薄膜晶体管中，栅极10具有较大的长度，所述栅极10自低温多晶硅层14延伸出的长度A较大，通常为2 3 μ m，这样，即使在工艺过程中栅极10边缘处有部分损失，也不会影响栅极10和低温多晶硅层14的交叠区域的长度和宽度，进而不会影响沟道13的长度和宽度，但是较大长度的栅极会占据多余的空间，对像素单元的设计带来不便，同时还会减小开口率
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种掩模板，提高使用所述掩模板形成的显示面板的显示效果。本专利技术提供一种掩模板，用于形成显示面板中的薄膜晶体管，包括用于形成薄膜晶体管各组件的主图形，还包括位于所述主图形端部两侧的补偿部，用于补偿光刻过程对所述组件的损耗。可选地，所述薄膜晶体管包括源极、漏极、位于所述源极和漏极之间的栅极，所述主图形为用于形成栅极的栅极图形，所述补偿部位于所述栅极图形端部的两侧。可选地，所述补偿部在沿源极和漏极连接线方向的长度大于或等于I μ m。可选地，所述补偿部为长方形。可选地，所述长方形沿源极和漏极连接线方向的长度等于Ιμπι。可选地，所述补偿部为正方形。可选地，所述正方形的边长等于Ιμπι。可选地，所述补偿部为等腰直角三角形，所述等腰直角三角形一直角边与栅极图形的边缘齐平，并且所述等腰直角三角形的另一直角边与栅极图形的端部相连。可选地，所述补偿部为半圆形，所述半圆形的底边与栅极图形的端部相连。可选地，所述薄膜晶体管还包括位于源极、漏极之间的有源层，利用所述栅极图形形成的栅极与所述有源层相交叠，所述栅极自有源层延伸出的长度小于或等于I μ m。可选地，所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，所述有源层为低温多晶硅层。与现有技术相比，本专利技术具有以下优点I.在光刻工艺过程中使用本专利技术提供的掩模板，与所述补偿部对应区域的材料会被部分去除或完全去除，这样可以使主图形对应区域的材料较为完整地保留，从而保证组件的完整性，使组件的尺寸符合设计值，进而使显示面板具有良好的显示效果。2.所述补偿部位于主图形端部的两侧，由于主图形端部两侧通常会保留有一定的闲置空间，因此所述补偿部未占据掩模板上有效图形的空间，不会给掩模板设计带来不便，并且可减小栅极的尺寸以提高显示装置的开口率。3.对于主图形为形成栅极的栅极图形而言，补偿部在沿源极和漏极连线的方向上的边长等于I μ m，补偿部对应的金属层可以在光刻工艺的过程被损耗，同时所述补偿部对应的金属层在光刻之后也不会有所残留，既能使包括所述栅极结构的显示面板具有良好的显示效果，也不会影响其开口率或沟道的尺寸。附图说明图I是现有技术液晶显示面板像素单元一实施例的示意图2是图I所示薄膜晶体管一实施例的示意图；图3是图I所示薄膜晶体管另一实施例的示意图；图4是图I所不薄I旲晶体管另一实施例的不意图；图5是本专利技术掩模板第一实施例的不意图；图6是本专利技术掩模板第二实施例的示意图；图7是本专利技术掩模板第三实施例的示意图。具体实施方式 为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。本专利技术以液晶显示面板为例说明本专利技术掩模板的作用，但本专利技术还可以用于其它薄膜晶体管驱动的显示装置，如有机电致发光显示装置(Organic ElectroluminesenceDisplay, 0ELD)等。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。为了解决现有技术的问题，本专利技术提供一种掩模板，用于形成液晶显示面板中的薄膜晶体管，包括用于形成薄膜晶体管各组件的主图形，还包括位于所述主图形端部两侧的补偿部，用于补偿光刻过程对所述组件的损耗。在光刻工艺过程中使用所述掩模板，与所述补偿部对应区域的材料会被部分去除或完全去除，这样可以使主图形对应区域的材料较为完整地保留，从而保证组件的完整性、使组件的尺寸符合设计值，进而使液晶显示面板具有良好的显示效果。下面结合具体实施例对本专利技术技术方案做进一步说明。参考图5，示出了本专利技术掩模板第一实施例的示意图。所述掩模板用于形成薄膜晶体管。需要说明的是，在形成薄膜晶体管的过程中会通常需要多个掩模板(例如，本
中在制造薄膜晶体管时包括4mask工艺或者5mask工艺)。本实施例的掩模板用于对栅极金属层进行光刻以形成栅极的工艺步骤，但是本专利技术对此不做限制。此外，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩模板，用于形成显示面板中的薄膜晶体管，其特征在于，包括用于形成薄膜晶体管各组件的主图形，还包括位于所述主图形端部两侧的补偿部，用于补偿光刻过程对所述组件的损耗。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：顾寒昱，曾章和，钱栋，丛姗姗，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：