【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种微纳结构的制备方法，属于微纳加工领域。
技术介绍
随着电子设备向小型化、轻型化、低成本、多功能方向的发展，微纳结构的加工技术面临这愈来愈多的挑战。传统的光刻技术虽然技术成熟，但是光刻设备成本高，进一步缩小加工尺寸难度大，从而各种其他类型的微纳加工技术作为下一代光刻技术得到了蓬勃的发展，纳米压印技术就是其中之一。纳米压印是采用具有纳米图案的模板与基板上的聚合物薄膜接触压出纳米级图形，相比传统光刻有以下几个优点(1)纳米压印是靠接触施压而不是采用光刻胶曝光的方法完成模板图形的转移，从而纳米压印技术的分辨率不受曝光波长的限制，成本低更低、分辨率更高；(2)对于传统光刻技术，有机光刻胶层一般只是图 基板上，这种图形转移的方法对有机功能材料的微纳结构成型并不适用，因为无论是干法还是湿法刻蚀都会对有机功能材料本身的分子结构造成破坏或者污染，而纳米压抑技术在成型图形的过程中不破坏有机分子的分子链结构，从而能够保持功能材料本身的性能；(3)传统光刻技术成型的图形一般是二维平面图形，在制备三维纳米结构的时候需要采用套刻工艺，工艺比较复杂，成型难度大，而纳米压印工...
【技术保护点】
一种微纳结构的加工方法，其特征在于：采用聚合物或者聚合物/纳米粒子共混物溶液和软模板进行预成型，然后通过溶剂渗透方法去除溶剂使聚合物析出形成微纳结构图案，过程中无需紫外光或者加热固化过程。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王金合，闵国全，宋志棠，周伟民，张静，张燕萍，
申请(专利权)人：上海市纳米科技与产业发展促进中心，
类型：发明
国别省市：
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