基于Si纳米线阵列太阳能电池及其制造方法技术

本发明专利技术是关于纳米线阵列太阳能电池制备和纳米加工方法，尤其是Ｓｉ纳米线阵列太阳能电池的纳米加工方法。包括：两个电极和在两个电极之间加工出Ｓｉ纳米线ｐｎ结阵列。本发明专利技术用纳米压印技术（Ｎａｎｏｉｍｐｒｉｎｔ　ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）和结合微电子工艺加工出来的Ｓｉ纳米线阵列太阳能电池（ＳｉＮｗｓ　ａｒｒａｙ　ｓｏｌａｒ　ｃｅｌｌｓ），纳米线分布均匀，成本较低和易于大面积加工，与传统的微电子工艺有较好的兼容性。这种纳电池在民用设备领域、生物恐怖主义监控领域和内科诊断领域等有重要的应用前景。

Nanowire array solar cell based on Si and manufacturing method thereof

The invention relates to a method for preparing and processing nano wire array solar cells, in particular to a nano processing method of Si nanowire array solar cells. The Si nanowire PN junction array is fabricated between two electrodes and between two electrodes. With the invention of nanoimprint lithography (Nanoimprint lithography) and combined with microelectronics technology processed Si nanowire array solar cell (SiNws array, solar cells) nanowires with uniform distribution, low cost and easy to large area processing, has good compatibility with the traditional microelectronic technology. This nano battery has important application prospects in the field of civilian equipment, biological terrorism monitoring and medical diagnosis.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到一种纳米线阵列太阳能电池的制造方法，尤其是大面积制备硅纳米线太阳 能电池方法，属于纳米制造、能源技术和纳电子器件领域。
技术介绍
随着世界性能源和环境的危机，太阳能以无污染、节能等独特的优势受到世界各国广泛重视。单晶Si第一代太阳能电池和多晶硅、非晶硅等第二代太阳能电池的缺点限制了它们的广泛应用如单晶硅的短缺和昂贵的价格，商用薄膜太阳能电池的只有6% 8%的光电转化效率。当前兴起的纳米技术有望为太阳能发展找到突破口，纳米技术的应用将能够极大地提 高太阳能电池(特别是微型电池)的光电转换效率，是降低电池的生产成本的最有希望的途 径。1991年，以瑞士洛桑高等工业学院M.Gmtzd教授为首的研究小组研制出一种纳米晶体 光电化学太阳能电池(Nanocrystalline Photoelectrochemical Cells,简称NPC电池)。随后2 年，制作出光电转换率达10%的染料敏化纳米太阳能电池。随着纳米技术的研究深入，量子 点、量子线和碳纳米管等纳米结构的纳米太阳能电池的研究受到极大重视。2007年4月美国 佐治亚技术研究所网站报道了一种全天候工作的碳纳米管太阳能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米线阵列太阳能电池的纳米制造技术，其特征在于，包括：纳米线ｐｎ结阵列以及ｐｎ结两端的金属电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周伟民，钮晓鸣，宋志棠，闵国全，刘彦伯，李小丽，张静，万永忠，封松林，
申请(专利权)人：上海市纳米科技与产业发展促进中心，中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]