The invention relates to a processing method of high efficiency low attenuation zone melting silicon solar battery, comprising the following steps: the first step, the second step surface structure; diffusion; the third step, the fourth step wet etching; oxygen; the fifth step, sixth step, PECVD deposition; printing; seventh step sintering. The utility model mainly solves the defects existing in the prior raw material and technology, and after processing, the output power of the solar cell is obviously improved, and the attenuation of the solar cell is reduced simultaneously.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池，特别是一种低衰减高效率区融硅太阳能电 池加工方法。
技术介绍
区融硅指高纯度硅(FZ Silicon),接近100000 ohm-cm，有很高的 少子寿命t〉60us，相对于我们现行的硅片(CZ Silicon) t >10us高出 很多，是目前制造低衰减高效率太阳能电池片的首选材料。如何在提高转化效率的同时，控制区融硅太阳能电池的制造成本以 便在日后能够得到更加广泛的应用是我们亟待解决的问题。区融硅太阳能电池的制备工艺要求在制造中的各个环节加以改善 提高，在保证高效率的同时，最大程度的降低其在实际环境中的衰减。现有制作工艺如下-减薄、制绒、扩散、刻蚀、制作减反射膜(即PECVD)、印刷、烧结。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种低衰减高效率区融硅太阳能电池加工 方法，主要解决上述现有原材料和技术中所存在的缺陷，经过处理，太 阳能电池的输出功率有了明显的提高，同时降低其衰减。本专利技术的技术方案是一种高效低衰减区融硅太阳能电池的加工方法，其特征在于它包括 如下步骤-第一步，表面结构处理，即在硅片表面制作金字塔结构，降低光的 ...
【技术保护点】
一种高效低衰减区融硅太阳能电池的加工方法，其特征在于它包括如下步骤： 第一步，表面结构处理，即在硅片表面制作金字塔结构，降低光的反射； 第二步，扩散，即在第一步完成好的硅片表面进行ｐ－ｎ结制作和表面湿氧处理； 第三步，刻蚀 ，即将第二步完成的硅片进行边缘处理，保证光生电流的输出； 第四步，湿氧，即在第三步完成的硅片表面进行氧化，提高其稳定性； 第五步，ＰＥＣＶＤ沉积，即在第四步中做好的硅片进行氮化硅沉积； 第六步，印刷，即在第五步做好的硅片上 下表面进行电极制作，保证光生电流的收集； 第七步，烧结，即将第六...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李文男，郭文林，许盛浪，
申请(专利权)人：展丰能源技术上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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