【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及纳米尺寸高分辨率图形加工
,特别涉及一种紫外纳米压印系统。
技术介绍
光学刻蚀技术由于受到光波波长的限制,很难制作线宽小于IOOnm的图案。极紫外线光刻、X光光刻、电子束投影、离子束投影、微型电子束阵列等一系列改进的实施,虽然能实现线宽在IOOnm以下的图案加工,但加工设备复杂,制作成本昂贵。随着半导体产业的发展,对纳米加工技术的提出了更高的要求,迫切需要一种工艺简单、成本低廉、生产效率闻的纳米制造技术。从1995年美籍华人Stephen Y. Chou提出纳米压印技术至今,纳米压印技术得到 了快速发展,目前已成为最具前景的纳米制造技术之一。纳米压印技术主要包括紫外纳米压印技术和热压印技术。紫外纳米压印技术是一种在室温、低压环境下利用紫外光固化高分子聚合物的压印技术,相比于热压印技术的高温高压环境要求,紫外纳米压印技术加工温度低、压力小、模板和基片变形小、图形分辨率高。紫外纳米压印系统是紫外纳米压印制造的主要设施。随着纳米压印技术的快速发展,紫外纳米压印系统也向着高精度、自动化、智能化发展。为了实现模板与基片的平行,保证二者之间受力均匀,进行 ...
【技术保护点】
一种紫外纳米压印系统包括:压印系统箱体(1)、真空泵(2)、自动压力控制器(3)、自动真空度控制器(4)、自动曝光时间控制器(5)、真空工作室(6)、真空工作室门(7)、观察窗(8)、导气管(9)、气囊(10)、力传感器(11)、紫外光源(12)、气囊进气电磁阀(13)、气囊抽气电磁阀(14)、真空室抽气电磁阀(15)、上定位台(16)、下定位台(17)、定位销(18)、定位孔(19)、上微调旋钮(20)、下微调旋钮(21)、减压阀(22)、模板(23)、基片(24)。
【技术特征摘要】
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