低温多晶硅晶体管的制作方法技术

本发明专利技术提供一种低温多晶硅晶体管的制作方法，包括以下步骤：步骤1、在基板上形成低温多晶硅层，并图案化该低温多晶硅层；步骤2、在低温多晶硅层上形成第一绝缘层；步骤3、在第一绝缘层上依次形成第一、第二与第三金属层，并通过光罩制程形成栅极；步骤4、活化该低温多晶硅层，其活化温度介于20℃-370℃之间。本发明专利技术的低温多晶硅晶体管的制作方法，其通过小于370℃的温度对低温多晶硅层进行活化，使得栅极可为钼/铝/钼或钛/铝/钛的叠层结构，有效降低栅极的电阻阻值，进而极大地提高晶体管的响应速率，且，利于平面显示器的解析度的提高与平面显示器的尺寸的扩大。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及平面显示领域，尤其涉及ー种。
技术介绍
液晶显示装置(LCD, Liquid Crystal Display)具有机身薄、省电、无福射等众多优点，得到了广泛的应用。现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板中放置液晶分子，通过给玻璃基板的电路通电来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。请參阅图1，所述液晶显示面板一般包括:TFT (薄膜晶体管)基板100、与TFT基板100相对贴合设置的CF基板300及设于TFT基板100与CF基板300之间的液晶500。请參阅图2，现有的薄膜晶体管主要包括:基板102、形成于基板102上的第一绝缘层104、形成于第一绝缘层104上的有源层(active layer) 106、形成于有源层106上的栅极绝缘层108、形成于栅极绝缘层108上的栅极110、形成于栅极110上的第二绝缘层112及形成于第二绝缘层112上的源/漏极114，其中有源层106和栅极绝缘层108是决定薄膜晶体管性能的两个关键层。根据有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温多晶硅晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、在基板上形成低温多晶硅层，并图案化该低温多晶硅层；步骤2、在低温多晶硅层上形成第一绝缘层；步骤3、在第一绝缘层上依次形成第一、第二与第三金属层，并通过光罩制程形成栅极；步骤4、活化该低温多晶硅层，其活化温度介于20℃?370℃之间。

【技术特征摘要】
1.ー种低温多晶硅晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤: 步骤1、在基板上形成低温多晶硅层，并图案化该低温多晶硅层； 步骤2、在低温多晶硅层上形成第一绝缘层； 步骤3、在第一绝缘层上依次形成第一、第二与第三金属层，并通过光罩制程形成栅极； 步骤4、活化该低温多晶硅层，其活化温度介于20°C _370°C之间。2.如权利要求1所述的低温多晶硅晶体管的制作方法，其特征在于，所述所述第二金属层为铝层，第一与第三金属层为钥层或钛层。3.如权利要求2所述的低温多晶硅晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤4中，该低温多晶硅层的活化时间为1-2小吋。4.如权利要求2所述的低温多晶硅晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤4中，在室温下，通过准分子激光晶化工艺对低温多晶硅层进行活化。5.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐源竣，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：