【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种氧化物薄膜晶体管，尤其涉及一种制造氧化物薄膜晶体管的方法，其中通过由氧化物半导体形成的有源层的表面处理，制造具有改善性能的氧化物薄膜晶体管。
技术介绍
平板显示装置中的液晶显示装置是通过使用液晶的光学各向异性显示图像的装置，并用于笔记本计算机、台式显示器等。液晶显示装置包括滤色器基板、薄膜晶体管基板和夹在滤色器基板与薄膜晶体管基板之间的液晶层。有源矩阵模式是用于液晶显示装置的驱动模式，其使用非晶硅薄膜晶体管作为开关元件。用于前述液晶显示装置的非晶硅薄膜晶体管可通过低温工艺制造，但是其具有非常小的迁移率。另一方面，尽管多晶硅薄膜晶体管具有高迁移率，但会发生下述问题，即由于很难获得均匀的特性，所以很难实现大面积，而且需要高温处理。在这方面，已提出了其中由氧化物半导体形成有源层的氧化物薄膜晶体管。图1是显示一般的氧化物薄膜晶体管的结构的剖面图。如图1中所示，一般的氧化物薄膜晶体管包括形成在基板10上的栅极电极21、形成在栅极电极21上的栅极绝缘膜22、在栅极绝缘膜22上由氧化物半导体形成的有源层30、分别与有源层30的预定区域电连接的源极电极41和漏...
【技术保护点】
一种制造氧化物薄膜晶体管的方法，所述方法包括下述步骤：在基板上形成由氧化物半导体制成的有源层；对所述有源层进行等离子体表面处理，以使氧渗透进所述有源层中。
【技术特征摘要】
2011.11.22 KR 10-2011-01222481.一种制造氧化物薄膜晶体管的方法，所述方法包括下述步骤: 在基板上形成由氧化物半导体制成的有源层； 对所述有源层进行等离子体表面处理，以使氧渗透进所述有源层中。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述进行等离子体表面处理的步骤包括进一步使氟渗透进所述有源层中。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成有源层的步骤包括在基板上形成氧化物半导体层、在所述氧化物半导体层上形成光刻胶图案、以及通过使用所述光刻胶图案来蚀刻所述氧化物半导体层， 其中，在所述形成氧化物半导体层的步骤与所述形成光刻胶图案的步骤之间执行所述进行等离子体表面处理的步骤。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成有源层的步骤包括在基板上形成氧化物半导体层、在所述氧化物半导体层上形成光刻胶图案、以及通过使用所述光刻胶图案来蚀刻所述氧化物半导体层， 其中，在所述蚀刻氧化物半导体层的步骤之后执行所述进行等离子体表面处理的步骤。5.根据权利要求4所述的方法，在所述蚀刻氧化物半导体层的步骤之后进一步包括干法剥离所述光刻胶图案的步骤， 其中与所...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔桂澈，金峰澈，河灿起，朴相武，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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