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本发明提供一种低温多晶硅晶体管的制作方法，包括以下步骤：步骤1、在基板上形成低温多晶硅层，并图案化该低温多晶硅层；步骤2、在低温多晶硅层上形成第一绝缘层；步骤3、在第一绝缘层上依次形成第一、第二与第三金属层，并通过光罩制程形成栅极；步骤4、...
该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。

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