半导体器件和场电极制造技术

本发明专利技术涉及半导体器件和场电极。一种产生半导体器件的方法包括提供半导体本体，其具有第一表面和布置在第一表面上的介电层，以及在介电层中形成至少一个第一沟槽，该至少一个第一沟槽延伸到半导体本体并且限定介电层中的电介质台面区。该方法进一步包括在电介质台面区中形成远离该至少一个第一沟槽的第二沟槽，在该至少一个第一沟槽中在半导体本体的暴露区上形成半导体层，以及在该第二沟槽中形成场电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例涉及一种用于产生具有场电极的半导体器件的方法。
技术介绍
诸如功率MOS (金属氧化物半导体)晶体管或功率二极管的功率半导体器件包括漂移区以及漂移区和诸如MOS晶体管中的本体区和二极管中的发射极区的另一器件区之间的pn结。漂移区的掺杂浓度低于该另一器件区的掺杂浓度，使得当器件阻断时，即pn结反向偏置时，耗尽区(空间电荷区)主要在漂移区中扩展。器件的电流流动方向上的漂移区的尺寸(长度)以及漂移区的掺杂浓度主要限定了半导体器件的电压阻断能力。在诸如功率MOSFET的单极型器件中，漂移区的掺杂浓度还限定了器件的导通电阻，即半导体器件在导通状态下的电阻。当pn结被反向偏置时，掺杂剂原子在pn结的两侧离子化，导致了与电场相关联的空间电荷区。该电场的场强度幅值的积分对应于反向偏置pn结的电压,而电场的最大值出现在pn结处。当电场的最大值达到临界场强度时发生雪崩击穿，其中临界场强度取决于用于实现漂移区的半导体材料的类型。当pn结被反向偏置时，当在漂移区中提供可以用作漂移区中的离子化掺杂剂原子的反电荷的电荷时，可以在不减少器件的电压阻断能力的情况下增加漂移区的掺杂浓度。根据已知的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种产生半导体器件的方法，所述方法包括：提供半导体本体，其具有第一表面和布置在所述第一表面上的介电层；在所述介电层中形成至少一个第一沟槽，所述至少一个第一沟槽延伸到所述半导体本体并且限定所述介电层中的电介质台面区；在所述电介质台面区中形成远离所述至少一个第一沟槽的第二沟槽；在所述至少一个第一沟槽中在所述半导体本体的暴露区上形成半导体层；以及在所述第二沟槽中形成场电极。

【技术特征摘要】
2011.11.30 US 13/3074651.一种产生半导体器件的方法，所述方法包括: 提供半导体本体，其具有第一表面和布置在所述第一表面上的介电层； 在所述介电层中形成至少一个第一沟槽，所述至少一个第一沟槽延伸到所述半导体本体并且限定所述介电层中的电介质台面区； 在所述电介质台面区中形成远离所述至少一个第一沟槽的第二沟槽； 在所述至少一个第一沟槽中在所述半导体本体的暴露区上形成半导体层；以及 在所述第二沟槽中形成场电极。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体层是单晶半导体层。3.根据权利要求2所述的方法，其中形成所述半导体层包括选择性外延生长工艺。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个第一沟槽和所述第二沟槽通过共同的工艺步骤形成。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二沟槽被形成为使得所述第二沟槽的底部布置在所述电介质台面区内。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二沟槽被形成为延伸到所述半导体本体。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个第一沟槽和所述第二沟槽具有垂直侧壁。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个第一沟槽和所述第二沟槽中的至少一个具有锥形侧壁。9.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述至少一个第一沟槽包括形成限定所述电介质台面区的环形第一沟槽。10.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述至少一个第一沟槽包括形成两个远离的第一沟槽，其中所述电介质台面区在所述两个远离的第一沟槽之间形成。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体层完全填充所述至少一个第一沟槽。12.根据权利要求1所述的方法，其中通过选择性外延生长工艺来外延生长所述半导体层...

【专利技术属性】
技术研发人员：O布兰克，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：