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本发明涉及半导体器件和场电极。一种产生半导体器件的方法包括提供半导体本体，其具有第一表面和布置在第一表面上的介电层，以及在介电层中形成至少一个第一沟槽，该至少一个第一沟槽延伸到半导体本体并且限定介电层中的电介质台面区。该方法进一步包括在电介...
该专利属于英飞凌科技奥地利有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英飞凌科技奥地利有限公司授权不得商用。

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