半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术以高成品率提供即使具有微型的结构也具有高电特性的晶体管。本发明专利技术在包括该晶体管的半导体装置中也实现高性能化、高可靠性化及高生产化。在具有依次层叠有氧化物半导体层、栅极绝缘层及在侧面设置有侧壁绝缘层的栅电极层的晶体管的半导体装置中，以与氧化物半导体层及侧壁绝缘层接触的方式设置源电极层及漏电极层。在该半导体装置的制造工序中，以覆盖氧化物半导体层、侧壁绝缘层及栅电极层上的方式层叠导电层及层间绝缘层，通过化学机械抛光法去除栅电极层上的层间绝缘层及导电层，来形成源电极层及漏电极层。在形成栅极绝缘层之前，对氧化物半导体层进行洗涤处理。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法
所公开的专利技术涉及一种半导体装置及其制造方法。注意，在本说明书等中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置，因此电光装置、发光显示装置、半导体电路及电子设备都是半导体装置。
技术介绍
通过利用形成在具有绝缘表面的衬底上的半导体薄膜来构成晶体管(也称为薄膜晶体管(TFT))的技术受到关注。该晶体管被广泛地应用于如集成电路(IC)及图像显示装置(显示装置)等的电子设备。作为可以应用于晶体管的半导体薄膜，硅类半导体材料是众所周知的。作为其他材料，氧化物半导体受到关注。例如，公开了作为晶体管的活性层使用包含铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的非晶氧化物的晶体管(参照专利文献1)。[专利文献1]日本专利申请公开2006-165528号公报为了实现晶体管的工作的高速化、晶体管的低耗电量化、低价格化等，必须要实现晶体管的微型化。但是，伴随着晶体管的微型化，容易产生所谓的电特性的劣化，诸如晶体管的阈值电压的降低、阈值电压偏差的增大、截止电流的增大等。另外，伴随着晶体管的微型化，容易受到干蚀刻工序中的损伤或杂质元素扩散到半导体层中导致的影响，由此容易产生成品率的降本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在绝缘表面上形成氧化物半导体层；对所述氧化物半导体层的一部分进行蚀刻来形成岛状氧化物半导体层；对所述岛状氧化物半导体层的顶面及侧面进行洗涤；以及在所述洗涤工序之后，在所述岛状氧化物半导体层上形成源电极层及漏电极层。

【技术特征摘要】
2011.11.30 JP 2011-2630271.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在绝缘表面上形成氧化物半导体层；对所述氧化物半导体层的一部分进行蚀刻来形成岛状氧化物半导体层；对所述岛状氧化物半导体层的顶面及侧面进行洗涤；以及在所述洗涤工序之后，在所述岛状氧化物半导体层上形成源电极层及漏电极层；还包括如下步骤：形成具有所述绝缘表面的氧化物绝缘层；在所述洗涤工序之后，在所述岛状氧化物半导体层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成栅电极层；在所述栅电极层上形成与该栅电极层重叠的绝缘层；以所述栅电极层及所述绝缘层为掩模将掺杂剂引入到所述岛状氧化物半导体层的一部分中；在所述栅极绝缘层上形成覆盖所述栅电极层的侧面及所述绝缘层的侧面的侧壁绝缘层；在所述岛状氧化物半导体层、所述栅极绝缘层、所述栅电极层、所述绝缘层及所述侧壁绝缘层上形成导电层；在所述导电层上形成层间绝缘层；以及通过化学机械抛光法，直到使所述栅电极层上的所述绝缘层露出为止去除所述层间绝缘层的一部分及所述导电层的一部分，来形成所述源电极层及所述漏电极层。2.根据权利要求1所述的方法，其中通过使用酸性的溶液进行所述洗涤工序。3.根据权利要求1所述的方法，还包括将氧引入到所述氧化物绝缘层中的工序。4.根据权利要求1所述的方法，还包括将氧引入到所述氧化物半导体层中的工序。5.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述绝缘层、所述源电极层、所述漏电极层、所述侧壁绝缘层及所述层间绝缘层上形成包含氧化铝的层的工序。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻是干蚀刻。7.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在绝缘表面上形成氧化物半导体层；对所述氧化物半导体层的一部分进行蚀刻来形成岛状氧化物半导体层；通过使用包含稀氢氟酸的溶液对所述岛状氧化物半导体层的顶面及侧面进行洗涤；以及在所述洗涤工序之后，在所述岛状氧化物半导体层上形成源电极层及漏电极层；还包括如下步骤：形成具有所述绝缘表面的氧化物绝缘层；在所述洗涤工序之后，在所述岛状氧化物半导体层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成栅电极层；在所述栅电极层上形成与该栅电极层重叠的绝缘层；以所述栅电极层及所述绝缘层为掩模将掺杂剂引入到所述岛状氧化物半导体层的一部分中；在所述栅极绝缘层上形成覆盖所述栅电极层的侧面及所述绝缘层的侧面的侧壁绝缘层；在所述岛状氧化物半导体层、所述栅极绝缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：恵木勇司，须泽英臣，笹川慎也，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：