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半导体装置的制造方法制造方法及图纸
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文档序号:8774997
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本发明以高成品率提供即使具有微型的结构也具有高电特性的晶体管。本发明在包括该晶体管的半导体装置中也实现高性能化、高可靠性化及高生产化。在具有依次层叠有氧化物半导体层、栅极绝缘层及在侧面设置有侧壁绝缘层的栅电极层的晶体管的半导体装置中,以与氧...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。
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