一种半导体器件制造技术

本实用新型专利技术的实施例公开了一种半导体器件，包括：基底，该基底包括本体层；位于本体层表面内的主结和场限环，主结的深度大于场限环的深度。本实用新型专利技术实施例提供的半导体器件通过在不同的光刻步骤下，先后形成主结和场限环，并使主结结深大于场限环结深，从而降低了主结处的峰值电场，同时使主结对氧化层中各类电荷的敏感度下降，最终提高了器件的耐压性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体器件。
技术介绍
高压功率半导体器件，如Trench MOS (沟槽半导体场效应管)、VDMOS (垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT (绝缘栅双极型晶体管)等，由于其工作频率高、开关速度快、控制效率高等特点，在电カ电子领域得到越来越广泛的应用。功率半导体器件最主要的特点之一是其阻断高压的能力。根据应用场合的不同，其击穿电压的范围可以从用于电源的25V以下到用于电カ传输和分配的6.5kV以上。器件阻断高压的能力主要取决于器件结构中特定PN结de印well (深阱)的反偏击穿电压。在功率半导体器件中，受PN结弯曲或PN结终止处表面非理想因素的影响，反偏击穿电压受限于发生在表面附近或结弯曲处局部区域相对于体内平行平面结提前出现的击穿现象。終端保护结构就是为了减小局部电场、提高表面击穿电压及可靠性、使器件实际击穿电压更接近平行平面结理想值而设计的特殊结构。现有技术中的終端结构的设计是在器件边缘设置与主结一起扩散形成的场限环(Field Limiting Ring,简称FLR),其结构如图1所示,包括本体层100、位于本体层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括本体层； 位于所述本体层表面内的主结和场限环，所述主结的深度大于所述场限环的深度。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括: 基底，所述基底包括本体层； 位于所述本体层表面内的主结和场限环，所述主结的深度大于所述场限环的深度。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述主结和场限环是在不同的光刻步骤中形成的。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述主结的深度比所述场限环的深度大2 IOu m。4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述主结和场限环的掺杂类型相同。5.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述主结的掺杂浓度大于、小于或等于场限环的掺杂浓度。6.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述场限环掺杂类型与...

【专利技术属性】
技术研发人员：褚为利，朱阳军，吴振兴，卢烁今，田晓丽，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：新型
国别省市：北京;11