利用μ-PCD法的薄膜半导体的结晶性评价装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及薄膜半导体的结晶性评价装置(1)及结晶性评价方法，其中，通过对薄膜半导体(2a)的样品(2)的测定部位照射激发光及电磁波，并检测来自样品(2)的反射电磁波的强度来对样品(2)的结晶性进行评价。而且，样品(2)的薄膜半导体(2a)形成在导电性膜(2b)上，并且还在样品(2)和放射电磁波的波导管(13)之间设置有对于激发光具有透光性的介电体(3)。因此，具有该构成的薄膜半导体的结晶性评价装置(1)及方法，即使在如上述那样在半导体薄膜(2a)下形成有导电性膜(2b)的情况下，也能够进行该半导体薄膜的结晶性评价。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及薄膜半导体的结晶性评价装置及方法，特别涉及利用微波光电导衰减法(以下称作μ-PCD法)来评价例如硅半导体薄膜的结晶性而合适地被实施的薄膜半导体的结晶性评价装置及方法。
技术介绍
近年来，使用硅等的半导体薄膜的太阳能电池的开发盛行。自以往，在半导体领域中，所述μ -PCD法作为用以进行杂质污染或缺陷评价的非接触、非破坏评价手法而被广泛使用(例如专利文献I的硅晶片的寿命测定方法)。所述μ -PCD法中，电磁波照被射到半导体样品上，由此，该半导体样品中的自由电子基于所述电磁波的电场而运动(移动)。由于该运动状态会因该半导体样品中的杂质、缺陷等的存在而受到影响，因此，照射到该半导体样品上的电磁波的反射波的强度(相对于照射波的强度的变化)，能够作为该半导体样品的结晶性的指标予以利用。所述μ-PCD法是利用此种机制来评价半导体样品的结晶性的。而且，该μ-PCD法还有以下的优点:所述反射波的强度的检测(测定)为非破坏且为非接触，能够在极短的时间内进行。然而，由于电磁波(微波)的波长长而达数毫米以上，因此存在无法评价微小区域的结晶性的问题。此外，在半导体样品为数nm至数十nm左右的多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.22 JP 2010-2115241.一种薄膜半导体的结晶性评价装置，包括: 激发光照射部，对薄膜半导体的样品的测定部位照射具有所述薄膜半导体的能带间隙以上的能量的激发光； 电磁波照射部，向所述激发光的照射位置照射电磁波； 检测部，检测基于所述激发光的照射而变化的来自所述样品的反射电磁波的强度； 评价部，根据所述检测部的检测结果来评价所述样品的结晶性； 该薄膜半导体的结晶性评价装置的特征在于: 所述样品的所述薄膜半导体形成在导电性膜上， 该薄膜半导体的结晶性评价装置还包括: 介电体，设置在所述样品与所述电磁波照射部之间，且对于所述激发光具有透光性。2.根据权利要求1所述的薄膜半导体的结晶性评价装置，其特征在于: 满足d= λ/4(e)2的关系，其中，ε为所述介电体的介电常数，d为所述介电体的厚度，λ为所照射的电磁波的波长。3.根据权利要求1或2所述的薄膜半导体的结晶性评价装置，其特征在于: 所述评价部基于由所述检测部所检测的所述反射电磁波的强度的峰值来评价结晶性。4.根据权利要求1至3中任一项所述的薄膜半...

【专利技术属性】
技术研发人员：迫田尚和，高松弘行，乾昌广，尾岛太，
申请(专利权)人：株式会社神户制钢所，株式会社钢臂功科研，
类型：
国别省市：