研磨中的终点检测制造技术

用于实施研磨的方法包括：选择用于晶圆研磨工艺的目标轮载荷；以及对晶圆实施研磨工艺。随着研磨工艺的进行，测量研磨工艺的轮载荷。在达到目标轮载荷之后停止研磨工艺。该方法可选地包括：选择晶圆研磨工艺的目标反射率；以及对晶圆实施研磨工艺。随着研磨工艺的进行，测量从晶圆表面反射的光的反射率。在一个反射率达到目标反射率之后停止研磨工艺。本发明专利技术还提供了一种研磨中的终点检测。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般地涉及半导体领域，更具体地来说，涉及研磨中的终点检测。
技术介绍
在制造集成电路的过程中，研磨是通用的技术。在研磨工艺中，研磨轮被放置在晶圆的上方。研磨轮和晶圆都旋转，使得由于通过研磨轮去除表面层而使晶圆的厚度减小。在制造器件晶圆的过程中，例如，可以在形成硅通孔(TSV)的过程中，将研磨用于硅衬底的背面减薄中。存在可以使用研磨技术的其他工艺。在扇出芯片级封装件的形成中，可以切割器件晶圆，并且已知良好的管芯被选择和附接至载具，已知良好的管芯彼此隔离。已知良好的管芯包括用于形成扇出连接的铜柱。然后，将模塑料填充到已知良好的管芯之间的间隙中以及已知良好的管芯上方以形成扇出晶圆。在固化模塑料之后，可以实施研磨工艺以去除模塑料的多个部分和铜柱上方的其他介电材料。在露出铜柱之后，可以制造电连接件以连接至铜柱，使得与扇出晶圆的连接延伸到大于已知良好的管芯区域的区域中。由于经受研磨的层通常为薄层，所以在正确的时间精确停止研磨工艺对于集成制造工艺的产量来说极其重要。例如，在扇出晶圆的制造中，当遍及扇出晶圆的基本所有的已知良好管芯中的铜柱被完全露出并且基本上没有进行过研磨时，需要停止研磨本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：选择用于晶圆研磨工艺的目标轮载荷；对晶圆实施研磨工艺，并且随着所述研磨工艺的进行，测量所述研磨工艺的轮载荷；以及在达到所述目标轮载荷之后停止所述研磨工艺。

【技术特征摘要】
2011.11.07 US 13/290,8791.一种方法，包括: 选择用于晶圆研磨工艺的目标轮载荷； 对晶圆实施研磨工艺，并且随着所述研磨工艺的进行，测量所述研磨工艺的轮载荷；以及 在达到所述目标轮载荷之后停止所述研磨工艺。2.根据权利要求1所述的方法，还包括:当达到所述目标轮载荷时，实施扩展研磨以去除具有预定厚度的晶圆的层，其中，一旦完成所述扩展研磨，就实施停止所述研磨工艺的步骤。3.根据权利要求1所述的方法，还包括:当达到所述目标轮载荷时，在预定的时间周期内实施扩展研磨，其中，一旦完成所述扩展研磨，就实施停止所述研磨工艺的步骤。4.根据权利要求1所述的方法，其中，选择所述目标轮载荷的步骤包括: 研磨样本晶圆，所述样本晶圆具有与所述晶圆相同的结构； 在研磨所述样本晶圆的步骤期间，监测用于研磨所述样本晶圆的轮载荷； 检查所述样本晶圆，从而确定所述研磨工艺的最优终点；以及 记录与所述最优终点相对应的一个轮载荷作为所述目标轮载荷。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述晶圆包括: 多个器件管芯；以及 模塑料，设置在所述多个器件管芯之间的间...

【专利技术属性】
技术研发人员：茅一超，洪瑞斌，林俊成，郑心圃，余振华，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：