外延缺陷分析结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种外延缺陷分析结构，包括：半导体衬底，半导体衬底的一部分表面形成有外延生长区域，暴露出阻挡层保护区域保护的半导体衬底的另一部分表面；外延层，形成于外延生长区域上。本实用新型专利技术对外延缺陷分析结构中的阻挡层保护区域所保护的半导体衬底和外延生长区域中形成的外延层进行缺陷相关性分析对比，判断形成外延层中的外延缺陷来自于外延工艺、外延前半导体制造工艺、还是半导体衬底，避免进行缺陷相关性分析对比时，形成有外延的半导体衬底与未做外延的半导体衬底不是同一半导体衬底，导致在材料选取和外延加工过程中所选取样品存在不完全一致的问题。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于半导体制造工艺
，具体涉及一种外延缺陷分析结构。
技术介绍
集成电路制造中外延工艺是在具有一定晶向的衬底上，在一定的条件下采用化学气相沉积生长等方法，沿着衬底原来的结晶轴方向，生长出导电类型、电阻率、厚度、晶格结构、完整性等参数都符合产品结构要求的新单晶体层的过程，这层单晶层叫做外延层。外延淀积过程中，受衬底和外延工艺的影响，在外延层中会出现外延缺陷(Epitaxy Defect)。从外延缺陷在外延中的位置可分为两大类:一类是在表面的外延缺陷，一般都可以通过金相显微镜可以观察到，如角体锥，圆锥体、月牙、鱼尾、橘皮，云雾状表面等；另一类是存在外延层内部的晶格结构缺陷，如层错、滑移位错、析出杂质等。外延缺陷的存在，使严格按晶体排列规律结合的单晶体发生改变，半导体结构制作在具有缺陷的硅片上会出现漏电、良率失效、功能失效等异常。外延缺陷产生的原因，一般都是由衬底材料、衬底表面、外延前工艺、外延生长过程中引入的。在实际中，有些外延缺陷起源于外延层内部，而有些外延缺陷却起源于衬底内部甚至衬底表面，但由外延生长规律和特性，在非晶体键位衔接的位置不会生长晶体，起源于衬底内部甚至衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种外延缺陷分析结构，包括：一半导体衬底，所述半导体衬底的一部分表面形成有一外延生长区域，暴露出一阻挡层保护区域保护的所述半导体衬底的另一部分表面；一外延层，形成于所述外延生长区域上。

【技术特征摘要】
1.一种外延缺陷分析结构，包括: 一半导体衬底，所述半导体衬底的一部分表面形成有一外延生长区域，暴露出一阻挡层保护区域保护的所述半导体衬底的另一部分表面； 一外延层，形成于所述外延生长区域上。2.如权利要求1所述的外延缺陷分析结构，其特征在于，还包括一半导体结构，分别形成于所述外延生长区域中以及部分所述阻挡层保护区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨彦涛，赵仲镛，蒋敏，蒋墨染，谢波，
申请(专利权)人：杭州士兰集成电路有限公司，成都士兰半导体制造有限公司，
类型：实用新型
国别省市：