一种基于缺陷地的传输线补偿结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于缺陷地的传输线补偿结构，包括焊盘本体，传输线，阻抗补偿结构，所述传输线连接所述焊盘本体，通过所述焊盘本体进行传输，所述传输线下具有第一介质层，所述阻抗补偿结构包括在所述第一介质层下部增加的预定厚度的第二介质层，用于通过增加第二介质层的厚度以增加所述传输线补偿结构的阻抗。本实用新型专利技术采用缺陷地方式来进行阻抗补偿，将第二介质层增加预定厚度，来改善由于突变引起的阻抗减小，通过这种方式增加了传输线的有效参考厚度、有效介电常数，从而减小了插入损耗、改善了噪声抖动、增大了带宽、减小了噪声。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电路传输线领域，特别涉及一种基于缺陷地的传输线补偿结构。
技术介绍
目高速互联电路中为获得最佳功率传输和最小损耗的平衡，一般会将传输线的特征阻抗设定到固定的一个值,如50Ω，这使得系统中的传输线必须保持固定的走线尺寸，但系统中的各集成元器件封装上的焊盘如BGA球形焊盘,QFN矩形焊盘、传输上上串并联耦合元件；以及各种互联器件：插座、SMA转接头、排阵，过孔、金手指等，使得传输线很难与这些器件电气尺寸匹配，即使尺寸上能匹配，焊接过程中，锡焊层对导体厚度的厚度增加也必然导致阻抗不连续，产生阻抗突变，进而影响系统中的信号质量。图1是现有技术的一种传输线方案，由于传输线上走线经过各种焊盘，导致系统中器件焊盘、过孔或互连器件的横向尺寸增大；图2是现有技术的另一种传输线方案，由于对互连器件进行焊接、封装、装配等，导致系统的导体厚度增加；综上，现有的方案均会具有如下缺陷：插入损耗增大、抖动劣化、带宽减小、系统噪声增大。
技术实现思路
本技术在于克服现有技术的上述不足，提供一种能够减小插入损耗、改善噪声抖动、增大带宽、减小噪声的基于缺陷地的传输线补偿结构。为了实现上述技术目的，本技术采用的技术方案是：一种基于缺陷地的传输线补偿结构，包括焊盘本体，传输线，阻抗补偿结构，所述传输线连接所述焊盘本体，通过所述焊盘本体进行传输，所述传输线下具有第一介质层，所述阻抗补偿结构包括在所述第一介质层下部增加的预定厚度的第二介质层，用于通过增加第二介质层的厚度以增加所述传输线补偿结构的阻抗。在本技术一个具体实施例方式中，所述第一介质层的介电常数大于所述第二介质层的介电常数。在本技术一个具体实施例方式中，所述传输线为微带线、平面耦合微带线、带状线、耦合带状线中的一种。在本技术一个具体实施例方式中，还包括回流过孔，所述回流过孔设置于所述阻抗补偿结构的前端或/和后端，用于减少所述第二介质层引起的寄生电容效应。与现有技术相比，本技术的有益效果本技术采用缺陷地方式来进行阻抗补偿，将第二介质层增加预定厚度，来改善由于突变引起的阻抗减小，通过这种方式增加了传输线的有效参考厚度、有效介电常数，从而减小了插入损耗、改善了噪声抖动、增大了带宽、减小了噪声。附图说明图1所示是现有技术一个方案中的传输线突变缺陷示意图。图2所示是现有技术另一个方案中的传输线突变缺陷示意图。图3所示是本技术的基于缺陷地的传输线补偿结构示意图。图4所示是本技术的阻抗补偿结构原理图。具体实施方式下面结合具体实施方式对本技术作进一步的详细描述。但不应将此理解为本技术上述主题的范围仅限于以下的实施例，凡基于本
技术实现思路
所实现的技术均属于本技术的范围。实施例1：图3、图4示出了本技术的基于缺陷地的传输线补偿结构示意图，包括焊盘本体1，传输线2，阻抗补偿结构3，所述传输线2连接所述焊盘本体1，通过所述焊盘本体1进行传输，所述传输线2下具有第一介质层4，所述阻抗补偿结构3包括在所述第一介质层4下部增加的预定厚度的第二介质层31，用于通过增加第二介质层31的厚度以增加所述传输线补偿结构的阻抗。通过对现有技术方案的分析，传输线突变一般是宽度上的突变或厚度上的突变，当突变发生时，线电流密度减小，磁能减小并导致电势能增加，这使得传输线上的寄生电容增加呈容性，由特征阻抗的定义可知，上述突变将造成特征阻抗的减小，因此，本技术通过缺陷地的方式来增加传输线的有效参考厚度、填充有效介电常数的介质。具体的，在一个实施例中，补偿前的传输线模型的介电常数为Er1，参考厚度为h1，采用本技术的方案，原有介质层下面增加介电常数为Er2，参考厚度为h2的第二介质层，因此，补偿后的有效介电常数变为Ere=（Er1*Er2）^1/2，有效参考厚度变为height=h1+h2。具体的厚度设计与介质层的设计根据传输线模型而确定，或者也可以借助全三维电磁场仿真工具来进行建模分析及扫描获得最佳修改尺寸，这属于现有技术，在此不再赘述。本技术采用缺陷地方式来进行阻抗补偿，将第二介质层增加预定厚度，来改善由于突变引起的阻抗减小，通过这种方式增加了传输线的有效参考厚度、有效介电常数，从而减小了插入损耗、改善了噪声抖动、增大了带宽、减小了噪声。在本技术一个具体实施例方式中，所述第一介质层的介电常数大于所述第二介质层的介电常数。在本技术一个具体实施例方式中，所述传输线为微带线、平面耦合微带线、带状线、耦合带状线中的一种。由于传输线的不同，其模型也就不同，在实际应用于中需要根据具体的传输线针对性的设计补偿中第二介质层的介电常数、厚度。在本技术一个具体实施例方式中，还包括回流过孔，所述回流过孔设置于所述阻抗补偿结构的前端或/和后端，用于减少所述第二介质层引起的寄生电容效应。上面结合附图对本技术的具体实施方式进行了详细说明，但本技术并不限制于上述实施方式，在不脱离本申请的权利要求的精神和范围情况下，本领域的技术人员可以作出各种修改或改型。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于缺陷地的传输线补偿结构，其特征在于，包括焊盘本体，传输线，阻抗补偿结构，所述传输线连接所述焊盘本体，通过所述焊盘本体进行传输，所述传输线下具有第一介质层，所述阻抗补偿结构包括在所述第一介质层下部增加的预定厚度的第二介质层，用于通过增加第二介质层的厚度以增加所述传输线补偿结构的阻抗。

【技术特征摘要】
1.一种基于缺陷地的传输线补偿结构，其特征在于，包括焊盘本体，传输线，阻抗补偿结构，所述传输线连接所述焊盘本体，通过所述焊盘本体进行传输，所述传输线下具有第一介质层，所述阻抗补偿结构包括在所述第一介质层下部增加的预定厚度的第二介质层，用于通过增加第二介质层的厚度以增加所述传输线补偿结构的阻抗。2.根据权利要求1所述的基于缺陷地的传输线补偿结构，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：江桓，彭奇，田永猛，
申请(专利权)人：索尔思光电成都有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51