一种TFT像素结构及其点缺陷修复方法技术

本发明专利技术公开了一种TFT像素结构及其点缺陷修复方法，所述TFT像素结构增加了在绝缘层与钝化层之间的通过通孔与像素电极电连接的第二金属层(数据线层)，并且所述第二金属层与设置于底层的栅极金属层Gate?metal及共通电极层COM都存在空间交叠，在对其进行亮点修复时，在所述第二金属层标识图形修复位置，激光熔接所述第二金属层与所述栅极金属层Gate?metal，或激光熔接所述第二金属层与所述共通电极层COM，以实现像素电极层拉至低电位，亮点变暗点，且亮点修复率高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示领域，尤其涉及一种TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)像素结构及其点缺陷修复方法。
技术介绍
TFT-LCD(Thin film transistor liquid crystal display，薄膜晶体管液晶显示器)，是一种典型的有源矩阵类型液晶显示器。液晶显示器上的每一个液晶像素点由集成在其后的TFT驱动。TFT是场效应晶体管的种类之一，制造方式是在基板上沉积各种不同的薄膜，如半导体层、介电层和金属电极层。在制造过程中，会发生因断线或短路等而不能进行正常的开关动作的缺陷。这时由于与发生缺陷的TFT连接的像素电极构成的像素成为不被施加电压的缺陷像素。对于常白模式的液晶显示装置，该缺陷像素特别在电源断开状态下将显示画面设定为白色的显示动作模式即常白显示模式，在液晶显示装置中，会成为常使光透过的状态的亮点缺陷。在现有的像素结构和亮点修复方法中，对于宽长比比较大的I型TFT，修复点的位置1如图1所示，修复方法为用激光将TFT的漏极和该像素本身的扫描线熔接在一起，可使像素电极处于低电位，亮点变暗点。对于宽长比比较小的I型TFT，或者漏极和像素本身的扫描线很难用激光熔接的U型等TFT，当修复点的位置2如图2所示，修复方法为将本像素的像素电极ITO(Indium Tin Oxide，铟锡氧化物半导体透明导电膜)与前一个像素的扫描线进行交叠，修复时直接用激光将其短接，可使像素电极处于低电位，当修复点位置3如图3所示，对其进行修复时还可将TFT的公共线和CF(Color Filter，彩色滤光片)的公共线分开，将TFT的公共线接地，修复亮点时将像素电极ITO与TFT的公共线熔接在一起，像素电压被拉到0V，亮点变暗点。但是，对于第一种修复方式，只能应用在宽长比较大的TFT结构中，对于后两种修复方式，修复时需要用激光将像素电极层ITO21和栅极金属层Gate metal24熔接在一起，由于像素电极层ITO21和栅极金属层Gate metal 24之间有6000A的氮化硅SiNx层即钝化层P-SiNx22和绝缘层G-SiNx23，结构如图4所示，而且像素电极层ITO21为透明电极吸收激光能力很小，导致两层熔接比较困难，修复率低，另外由于ITO透明，为了定位准确和操作规范需要在Gate metal层24上做图形标识修复位置，影响走线。由上述可见，对于现有的TFT像素结构进行点缺陷修复时，修复方法受本身像素结构的限制，像素点缺陷修复率低。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种TFT像素结构及其亮点修复方法，以解决对现有的TFT像素结构进行亮点修复时受本身像素结构的限制，从而造成像素亮点修复率低的问题。为了达到上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种薄膜晶体管TFT像素结构，所述TFT像素结构包括：设置于底层的栅极金属层和共通电极层；由底层至上依次设置的绝缘层、第二金属层、钝化层及像素电极层；所述第二金属层与所述像素电极层通过通孔相电连接，与所述栅极金属层和/或所述共通电极层在空间上交叠。优选地，所述通孔位于第二金属层与像素电极层相交叠区域的任意位置。一种薄膜晶体管TFT像素结构的点缺陷修复方法，所述的TFT像素结构，包括：设置于底层的栅极金属层和共通电极层；由底层至上依次设置的绝缘层、第二金属层、钝化层及像素电极层；所述第二金属层与所述像素电极层通过通孔电连接，与所述栅极金属层在空间上交叠，或者同时与所述栅极金属层和所述共通电极层在空间上交叠部分；所述TFT像素结构的亮点修复方法中包括：激光熔接所述第二金属层与所述栅极金属层；电连接所述像素电极层与所述栅极金属层，拉低所述像素电极层至低电位。优选地，在进行激光熔接之前还包括：在所述第二金属层上标识激光熔接标识。一种薄膜晶体管TFT像素结构的点缺陷修复方法，所述TFT像素结构包括：设置于底层的栅极金属层和共通电极层；由底层至上依次设置的绝缘层、第二金属层、钝化层及像素电极层；所述第二金属层与所述像素电极层通过通孔电连接，与所述共通电极层在空间上交叠部分，或者同时与所述栅极金属层和所述共通电极层在空间上交叠部分；所述TFT像素结构的点缺陷修复方法中包括：激光熔接所述第二金属层与所述共通电极层；电连接所述像素电极层与所述共通电极层，拉低所述像素电极层至低电位。优选地，在进行激光熔接之前还包括：在所述第二金属层上标识激光熔接标识。通过上述技术方案可知，本专利技术具有如下有益效果：本专利技术公开的TFT像素结构及其点缺陷修复方法，基于在绝缘层与钝化层之间设置一层第二金属层(数据线层)，且通过通孔方式与位于钝化层之上的像素电极层电连接，且所述第二金属层与所述栅极金属层和/或所述共通电极层在空间上交叠。基于该结构，在进行激光熔接时，只需穿透3000A左右的绝缘层与底层的栅极金属层和/或共通电极层熔接，以实现像素电极层拉至低电位，亮点变暗点的目的。对于常黑模式的液晶显示装置可以基于以上原理修复暗点。同时，因为所述第二金属层不透光，在对激光熔接的过程中对激光能量吸收高，使得熔接更加容易，从而实现提高点缺陷修复率的目的。附图说明图1是现有技术中宽长比比较大的I型TFT中缺陷像素的修复方法的一个像素的平面图；图2是现有技术中宽长比比较小的I型TFT或漏极和像素本身的扫描线难用激光熔接的U型等TFT的一个缺陷像素的平面图；图3是现有技术中宽长比比较小的I型TFT或漏极和像素本身的扫描线难用激光熔接的U型等TFT的又一缺陷像素的平面图；图4是现有技术中的TFT像素结构；图5是本专利技术实施例公开的图6TFT像素结构A-A′剖面图；图6是本专利技术实施例提供的TFT的一个缺陷像素的平面图。具体实施方式本专利技术公开了一种TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)像素结构及其点缺陷修复方法，本专利技术公开的TFT像素结构增加了在绝缘层G-SiNx与钝化层P-SiNx之间设置的一层通过通孔与像素电极电连接的第二金属层，并且所述第二金属层与设置于底层的栅极金属层Gate metal、共通电极层COM或者两者之间都存在空间交叠。对于常白模式的液晶显示装置，缺陷像素特别在电源断开状态下将显示画面设定为白色的显示动作模式即常白显示模式，在液晶显示装置中，会成为常使光透过的状态的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管TFT像素结构，其特征在于，所述TFT像素结构包括：设置于底层的栅极金属层和共通电极层；由底层至上依次设置的绝缘层、第二金属层、钝化层及像素电极层；所述第二金属层与所述像素电极层通过通孔相电连接，与所述栅极金属层和/或所述共通电极层在空间上交叠。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管TFT像素结构，其特征在于，所述TFT像素结构包
括：
设置于底层的栅极金属层和共通电极层；
由底层至上依次设置的绝缘层、第二金属层、钝化层及像素电极层；
所述第二金属层与所述像素电极层通过通孔相电连接，与所述栅极金属
层和/或所述共通电极层在空间上交叠。
2.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管TFT像素结构，其特征在于，
所述通孔位于第二金属层与像素电极层相交叠区域的任意位置。
3.一种薄膜晶体管TFT像素结构的点缺陷修复方法，其特征在于，所述
的TFT像素结构，包括：
设置于底层的栅极金属层和共通电极层；
由底层至上依次设置的绝缘层、第二金属层、钝化层及像素电极层；
所述第二金属层与所述像素电极层通过通孔电连接，与所述栅极金属层
在空间上交叠，或者同时与所述栅极金属层和所述共通电极层在空间上交叠
部分；
所述TFT像素结构的亮点修复方法中包括：
激光熔接所述第二金属层与所述栅极金属层；
电连接所述像素电...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏志强，
申请(专利权)人：上海中航光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：