平面开关控制模式的薄膜晶体管液晶显示器及其制作方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种平面开关控制模式的薄膜晶体管液晶显示器及其制作方法。所述平面开关控制模式的薄膜晶体管液晶显示器包括：栅极扫描线，所述栅极扫描线沿第一方向设置在第一金属层；透明像素电极，所述透明像素电极设置在第一透明电极层；透明公共电极，所述透明公共电极设置在第二透明电极层；其中，所述栅极扫描线位于所述透明像素电极下方，所述透明公共电极位于所述透明像素电极上方，且所述透明像素电极与所述栅极扫描线和透明公共电极同时交叠。本发明专利技术所提供的平面开关控制模式的薄膜晶体管液晶显示器，不仅具有足够大的存储电容，而且提高了像素的开口率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种平面开关控制模式的薄膜晶体管液晶显示器及其制作方法。
技术介绍
早期的平面开关控制模式的薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD，Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)的结构示意图如图1所示，其结构包括：栅极扫描线1、数据线4、源极6、漏极5、公共电极3a、像素电极2a；其中，像素电极2a与公共电极3a为非同层的金属，像素电极2a与公共电极3a之间形成侧向平面电场，且像素电极2a与公共电极3a的交叠电容构成该平面开关控制模式的TFT-LCD的存储电容。由于像素电极2a与公共电极3a都由金属制成，因此，像素开口率较小，即光的透过率较低。随着平面开关控制模式液晶显示技术的不断发展，已经开始采用透明电极代替不透明的金属电极，如图2中所示的平面开关控制模式的TFT-LCD结构。图2中公共电极3b与像素电极2b由非同层的透明材料制成，两者构成了线电极与线电极之间的平面电场。非同层的像素电极2b与公共电极3b之间的侧向电容很小，因此，如图2中所示，会额外做出一个金属公共电极3c，所述金属公共电极3c与漏极5之间形成交叠电容，这样像素的存储电容就主要由金属公共电极3c与漏极5之间的交叠电容组成。存储电容是影响TFT-LCD面板特性的重要因素，足够的存储电容可以降低液晶电容及TFT的漏电流。因此，图2中所示器件结构可以得到较好的显示效果，且开口率较图1中结构有所提升，但由于金属公共电极3c的引入导致开口率仍然不够大，不能满足高透过率的要求。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种平面开关控制模式的薄膜晶体管液晶显示器及其制作方法，以解决像素开口率低的问题，且保证器件具有足够的存储电容。为解决上述问题，本专利技术实施例提供了如下技术方案：一种平面开关控制模式的薄膜晶体管液晶显示器，该薄膜晶体管液晶显示器包括：栅极扫描线，所述栅极扫描线沿第一方向设置在第一金属层；透明像素电极，所述透明像素电极设置在第一透明电极层；透明公共电极，所述透明公共电极设置在第二透明电极层；其中，所述栅极扫描线位于所述透明像素电极下方，所述透明公共电极位于所述透明像素电极上方，且所述透明像素电极与所述栅极扫描线和透明公共电极同时交叠。优选的，上述薄膜晶体管液晶显示器中，所述栅极扫描线上设置有栅极绝缘层，所述透明像素电极通过所述栅极绝缘层与所述栅极扫描线交叠。优选的，上述薄膜晶体管液晶显示器中，所述透明像素电极上设置有层间绝缘膜，所述透明像素电极通过所述层间绝缘膜与所述透明公共电极交叠。优选的，上述薄膜晶体管液晶显示器还包括：数据线，所述数据线沿第二方向设置在第二金属层；源极，所述源极与所述数据线为一体结构；漏极，所述漏极设置在第二金属层，且所述漏极与所述透明像素电极电连接。优选的，上述薄膜晶体管液晶显示器中，所述第一方向和第二方向相互垂直。优选的，上述薄膜晶体管液晶显示器中，所述第一透明电极层和第二透明电极层的材料均包括ITO、In2O3、SnO2、ZnO、CdO、AZO或IZO。本专利技术还提供了一种平面开关控制模式的薄膜晶体管液晶显示器的制作方法，该方法包括：在基板上形成第一金属层，对所述第一金属层进行刻蚀形成栅极扫描线；在所述栅极扫描线和基板表面上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成第一透明电极层，对所述第一透明电极层进行刻蚀形成透明像素电极，所述透明像素电极通过所述栅极绝缘层与栅极扫描线交叠；在所述透明像素电极和栅极绝缘层上形成层间绝缘膜；在所述层间绝缘膜上形成第二透明电极层，对所述第二透明电极层进行刻蚀形成透明公共电极，所述透明公共电极通过所述层间绝缘膜与透明像素电极交叠。优选的，上述方法中，在形成栅极绝缘层之后，形成透明像素电极之前，还包括：在所述栅极绝缘层上依次形成非晶硅层和欧姆接触层，对所述欧姆接触层和非晶硅层进行刻蚀形成硅岛；在所述硅岛和栅极绝缘层表面形成第二金属层，对所述第二金属层进行刻蚀形成数据线、源极和漏极，所述数据线和源极为一体结构，所述源极和漏极位于所述硅岛上。优选的，上述方法中，在形成层间绝缘膜之后，形成透明公共电极之前，还包括：在所述层间绝缘膜内形成过孔，所述过孔对应液晶显示器显示区外的区域。优选的，上述方法中，所述第一透明电极层和第二透明电极层的材料均包括ITO、In2O3、SnO2、ZnO、CdO、AZO或IZO。从上述技术方案可以看出，本专利技术实施例所提供的平面开关控制模式的薄膜晶体管液晶显示器，由于透明像素电极位于栅极扫描线和透明公共电极之间，且所述透明像素电极与所述栅极扫描线和透明公共电极同时交叠，因此在所述透明像素电极与栅极扫描线之间可形成第一存储电容，在所述透明像素电极与透明公共电极之间可形成第二存储电容，所述第一存储电容和第二存储电容并联构成了像素的总存储电容，即：像素的总存储电容等于所述第一存储电容和第二存储电容之和，因此，本专利技术所提供的平面开关控制模式的TFT-LCD具有足够大的存储电容，可增强器件工作的稳定性；除此之外，由于该平面开关控制模式的TFT-LCD不需要设置金属公共电极即可增大存储电容，且所述像素电极和公共电极均为透明电极，因此，极大地提高了像素的开口率，可以满足器件高透过率的要求。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术中一种平面开关控制模式的薄膜晶体管液晶显示器的结构示意图；图2为现有技术中另一种平面开关控制模式的薄膜晶体管液晶显示器的结构示意图；图3为本专利技术所提供的一种平面开关控制模式的薄膜晶体管液晶显示器的结构示意图；图4为沿图3中A-A’线切割后所得的器件的剖面结构图；图5为本专利技术所提供的一种平面开关控制模式的薄膜晶体管液晶显示器的制作方法流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平面开关控制模式的薄膜晶体管液晶显示器，其特征在于，包括：栅极扫描线，所述栅极扫描线沿第一方向设置在第一金属层；透明像素电极，所述透明像素电极设置在第一透明电极层；透明公共电极，所述透明公共电极设置在第二透明电极层；其中，所述栅极扫描线位于所述透明像素电极下方，所述透明公共电极位于所述透明像素电极上方，且所述透明像素电极与所述栅极扫描线和透明公共电极同时交叠。

【技术特征摘要】
1.一种平面开关控制模式的薄膜晶体管液晶显示器，其特征在于，包括：
栅极扫描线，所述栅极扫描线沿第一方向设置在第一金属层；
透明像素电极，所述透明像素电极设置在第一透明电极层；
透明公共电极，所述透明公共电极设置在第二透明电极层；
其中，所述栅极扫描线位于所述透明像素电极下方，所述透明公共电极
位于所述透明像素电极上方，且所述透明像素电极与所述栅极扫描线和透明
公共电极同时交叠。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器，其特征在于，所述栅
极扫描线上设置有栅极绝缘层，所述透明像素电极通过所述栅极绝缘层与所
述栅极扫描线交叠。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器，其特征在于，所述透
明像素电极上设置有层间绝缘膜，所述透明像素电极通过所述层间绝缘膜与
所述透明公共电极交叠。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器，其特征在于，还包括：
数据线，所述数据线沿第二方向设置在第二金属层；
源极，所述源极与所述数据线为一体结构；
漏极，所述漏极设置在第二金属层，且所述漏极与所述透明像素电极电
连接。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管液晶显示器，其特征在于，所述第
一方向和第二方向相互垂直。
6.根据权利要求1～5任一项所述的薄膜晶体管液晶显示器，其特征在于，
所述第一透明电极层和第二透明电极层的材料均包括ITO、In2O3、SnO2、ZnO、
CdO、AZO或IZO。
7.一种平面...

【专利技术属性】
技术研发人员：岳明彦，曹兆铿，
申请(专利权)人：上海中航光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：