TFT-LCD阵列基板及其制造方法以及显示屏技术

本发明专利技术提供了一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法以及显示屏。所述阵列基板包括：基板；形成于基板上的第一金属层，位于所述第一金属层上的栅极线及公共电极总线，所述栅极线与公共电极总线平行设置；形成于第一金属层之上的第二金属层，位于所述第二金属层上的数据线及公共电极线，所述数据线及公共电极线与所述栅极线及公共电极总线交叉设置，所述数据线与公共电极线平行设置，所述公共电极线与公共电极总线电连接。通过将公共电极总线与栅极线平行设置，从而使得公共电极总线与接入线交叉设置，由此，整条公共电极总线都可以用来与接入线连接，从而多点获取公共电压，提高了公共电压的获取效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示器
，特别涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法以及显示屏。
技术介绍
TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)具有低电压、微功耗、显示信息量大、易于彩色化等优点，在当前的显示器市场占据了主导地位。其已被广泛应用于电子计算机、电子记事本、移动电话、摄像机、高清电视机等电子设备中。TFT-LCD最基本的构件之一是显示屏，所述显示屏包括对盒而成的阵列基板和彩膜基板，以及充满在阵列基板和彩膜基板之间的间隙内的液晶层。所述显示屏显示图像的基本原理是：通过在所述阵列基板和彩膜基板上施加作用于液晶层上的电场，控制所述液晶层分子的取向，从而控制穿透过液晶层分子的照射光线的多少，即达到调制通过液晶层的光强的目的。请参考图1，其为现有的TFT-LCD阵列基板的结构示意图。如图1所示，阵列基板1包括：基板10；形成于基板10上的第一金属层，位于所述第一金属层上的栅极线(GA)及公共电极线(VA)；形成于第一金属层之上的第二金属层，位于所述第二金属层上的数本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT?LCD阵列基板，其特征在于，包括：基板；形成于基板上的第一金属层，位于所述第一金属层上的栅极线及公共电极总线，所述栅极线与公共电极总线平行设置；形成于第一金属层之上的第二金属层，位于所述第二金属层上的数据线及公共电极线，所述数据线及公共电极线与所述栅极线及公共电极总线交叉设置，所述数据线与公共电极线平行设置，所述公共电极线与公共电极总线电连接。

【技术特征摘要】
1.一种TFT-LCD阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
形成于基板上的第一金属层，位于所述第一金属层上的栅极线及公共电极
总线，所述栅极线与公共电极总线平行设置；
形成于第一金属层之上的第二金属层，位于所述第二金属层上的数据线及
公共电极线，所述数据线及公共电极线与所述栅极线及公共电极总线交叉设置，
所述数据线与公共电极线平行设置，所述公共电极线与公共电极总线电连接。
2.如权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，还包括形成于
所述第二金属层之上的透明导电层以及位于所述透明导电层上的像素电极，所
述公共电极线位于所述数据线及像素电极之间。
3.如权利要求2所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，还包括形成于
所述第二金属层及透明导电层之间的钝化层，所述钝化层上设置有开口，所述
开口位于所述公共电极线及栅极线交叉处，露出所述公共电极线。
4.如权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述公共电极
总线数量为两根，分别位于基板上靠近源极驱动电路的一侧及远离源极驱动电
路的另一侧。
5.如权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，通过多根接入
线将公共电压输入至公共电极总线。
6.如权利要求5所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述接入线的
数量为四根，且等距离分布于基板上。
7.一种如权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，
包括：
提供基板；
在所述基板上形成第一金属层，通过所述第一金属层形成栅极线及公共电
极总线，所述栅极线与公共电极总线平行设置；
在所述第一金属层之上形成第二金属层，通过所述第二金属层形成数据线
及公共电极线，所述数据线及公共电极线与所述栅极线及公共电极总线交叉设
置，所述数据线与公共电极线平行设置，所述公共电极线与公共电极总线电连

\t接。
8.如权利要求7所述的TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，还
包括在所述第二金属层之上形成透明导电层，通过所述透明导电层形成像素电
极，使得所述公共电极线位于所述数据线...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹兆铿，
申请(专利权)人：上海中航光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：