本实用新型提供了一种承片台，包括基台和支撑件；所述基台的下表面设置有若干个支撑槽，所述支撑槽内具有第一平面和第一曲面，所述第一曲面指向第一平面的方向与所述基台旋转时的转动方向一致；所述支撑件包括若干个与各所述支撑槽一一配合的支撑杆，所述...

本申请公开了一种承片台及晶圆加工系统，以解决晶圆外延后的背面硅渣问题，提升晶圆外延后的产品质量，该承片台包括承载面，承载面包括凹槽，凹槽的直径与晶圆的直径相匹配，使晶圆位于承载面上时，晶圆的背面仅部分位置直接与承载面相接触，晶圆背面的边...

本申请公开了一种承片台及晶圆加工系统，以解决晶圆外延后的背面硅渣问题，提升晶圆外延后的产品质量，该承片台包括第一承载台和第二承载台，其中，所述第一承载台和所述第二承载台通过连接结构相连，所述第一承载台和所述第二承载台中的一个承载待加工的...

本发明提供了一种恒流二极管结构及其形成方法，在P型衬底正面上形成P型外延层，在P型外延层中形成N型基区，在N型基区中形成P型栅极区、N型源区、N型漏区、P型发射区，并形成包围N型基区的P型隔离。本发明通过在P型外延层中增设P型发射区，所...

本实用新型涉及流体控制系统。在一方面中，公开了一种用于半导体生产设备的流体控制系统。所述半导体生产设备包括炉本体，所述炉本体包括适于在其中生成半导体层的反应腔室和适于在其中容纳旋转传动部件的旋转腔室，所述流体控制系统包括适于将工艺流体供...

本发明提供一种半导体结构及其形成方法，通过在半导体衬底的边缘区域形成阻止层，使得在外延生长过程中半导体衬底边缘区域无法长单晶，确保半导体衬底边沿由于倒角质量等存在的晶体缺陷不会在外延中被放大形成缺口、裂缝、崩边甚至碎片，也不会存在外延冠...

本实用新型提供一种半导体结构，通过在半导体衬底的边缘区域形成阻止层，使得在外延生长过程中半导体衬底边缘区域无法长单晶，确保半导体衬底边沿由于倒角质量等存在的晶体缺陷不会在外延中被放大形成缺口、裂缝、崩边甚至碎片，也不会存在外延冠等异常，...

本发明提供了一种半导体器件及其形成方法，在具有特定掺杂类型的半导体衬底上形成沟槽后，采用与半导体衬底的掺杂类型相反的乳胶掺杂源进行涂布、烘烤以及扩散工艺，所述乳胶掺杂源填满所述沟槽并覆盖修复氧化层表面，同时在所述沟槽周围的半导体衬底中形...

本发明提供了一种半导体器件及其形成方法，在特定掺杂类型的半导体衬底上形成沟槽后，采用与半导体衬底的掺杂类型相反的液态掺杂源进行扩散，所述液态掺杂源覆盖阻挡层表面，并在沟槽周围的半导体衬底中形成与半导体衬底的掺杂类型相反的掺杂区，无需采用...

本实用新型提供了一种半导体器件，在具有特定掺杂类型的半导体衬底上形成沟槽后，采用与半导体衬底的掺杂类型相反的乳胶掺杂源进行涂布、烘烤以及扩散工艺，所述乳胶掺杂源填满所述沟槽并覆盖修复氧化层表面，同时在所述沟槽周围的半导体衬底中形成与所述...

本实用新型提供了一种半导体器件，在特定掺杂类型的半导体衬底上形成沟槽后，采用与半导体衬底的掺杂类型相反的液态掺杂源进行扩散，所述液态掺杂源覆盖阻挡层表面，并在沟槽周围的半导体衬底中形成与半导体衬底的掺杂类型相反的掺杂区，无需采用工艺复杂...

本发明提供了一种沟槽器件的制作方法，进行化学机械抛光直至外延层与阻止层的表面齐平为止，然后测量获得硅衬底上方的阻止层的实际厚度，并根据硅衬底上方的阻止层的实际厚度进行热氧化生长，以将沟槽中硅衬底表面高度以上的外延层全部氧化为二氧化硅层，...

本发明提供了一种沟槽器件的制作方法，进行化学机械抛光直至外延层与阻止层的顶面齐平为止，然后测量半导体衬底上方的阻止层的实际厚度，并根据半导体衬底上方的阻止层的实际厚度刻蚀沟槽内的外延层，直至使外延层与半导体衬底顶面齐平，该方法既可以去除...