【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体离子注入工艺,具体地,涉及对衬底离子注入掺杂剂量的监控。
技术介绍
制造金属化物半导体(MOS)器件的方法发展的已经很成熟。制作工艺中,会以P型或N型杂质掺杂硅衬底。在离子注入工艺中,监视离子注入从而确保正确数量的离子数量被注入到硅衬底中,非常重要。对离子注入的监控,常规的技术是以退火的方式对监测晶圆进行测量,通过测量退火后晶圆的电阻来达成。但在某些情况下,快速热退火无法确定注入情况,例如在注入中断作业记录无法确定的情况下。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供一种,以有效解决上述问题。本专利技术所述的,其包括以热波测量晶圆表面从而获得热波值;以及根据预先确定的热波值与晶圆退火后电阻的关系,确定晶圆的电阻从而监测晶圆的离子注入。本专利技术所述的,优选地,所述预先确定的热波值与晶圆退火后电阻的关系是通过对晶圆进行退火处理并获得同一注入条件下对应多个偏差的多个电阻值;对该晶圆进行热波处理,以获得所述同一注入条件下的对应所述多个偏差的热波值;以及获得所述热波值与所述电阻值之间的关系。本专利技术所述的,优选地,所述热波值与所述电阻值之间呈线性关系。优选地,所述晶圆为监测晶圆。本专利技术所述的,由于已获知电阻与热波值关系,从而可以通过热波处理晶圆,从而通过热波值直接获得晶圆电阻,进而获知离子注入情况,使得退火处理可以避免,改进了注入生产线的监控机制,节约了测试时间。附图说明图1是根据本专利技术所述的的流程示意图;以及图2是根据表I所得出的热波值与电阻值的关系图。具体实施例方式以下结合附图进一步说明本专利技术。本领域技术人员可以理解到,以下只是结合 ...
【技术保护点】
一种离子注入监测方法,其特征在于,所述方法包括:以热波测量晶圆表面从而获得热波值;以及根据预先确定的热波值与晶圆退火后电阻的关系,确定晶圆的电阻从而监测晶圆的离子注入。
【技术特征摘要】
1.一种离子注入监测方法,其特征在于,所述方法包括: 以热波测量晶圆表面从而获得热波值;以及 根据预先确定的热波值与晶圆退火后电阻的关系,确定晶圆的电阻从而监测晶圆的离子注入。2.根据权利要求1所述的离子注入监测方法,其特征在于,所述预先确定的热波值与晶圆退火后电阻的关系是通过以下步骤确定的: 对晶圆进行退火处理并获得同...
【专利技术属性】
技术研发人员:苏小鹏,龚榜华,郭楠,
申请(专利权)人:无锡华润上华科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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