【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
,尤其涉及一种离子注入装置。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)是目前液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay,LCD)和有机电致发光显示装置(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)中的主要驱动元件,直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。TFT器件制作在器件层中,其主要结构包括:有源区、源极、漏极和栅极,在TFT器件制造过程中,需要多次使用离子注入装置进行离子注入制程,例如:离子注入形成多晶硅层,多晶硅层可用于刻蚀形成所述有源区,以及在有源区的两侧中离子注入形成源极和漏极接触区等,每个工序中离子注入的能量是不同的,而且离子注入时只需要在预定的位置进行注入,其他位置则需要用光刻胶(Photoresist,PR)进行覆盖,以防止离子的注入损伤半导体器件的功能。如图1所示,通常离子注入装置包括:离子源系统、真空系统、引出系统、及设置有法拉第杯3和靶片的靶室,所述真空系统为所述的离子源系统、所述的引出系统及靶室提供真空条件,所述的离子源系统是用于生成欲注入至基板或晶片的离子的部分,是将气体离子化为等离子状态的部分;所述引出系统包括引出电极结构1、分析筛选结构,所述分析筛选结构包括分析筛选板2、磁场源、以及控制装置,所述引出电极结构1用于提供引出电压V,使所述离子源系统产生的离子沿着一定的方向运动而形成离子束,所述磁场源用于提供筛选磁场B’,根据法拉第电磁感应原理,由于不同离子在筛选磁场B’内所受到的作用力不同而将分别沿不同角度发生偏转,因此可在所述筛选磁场B’ ...
【技术保护点】
一种离子注入装置,其特征在于,包括离子源系统、引出系统、及设置有法拉第杯(400)的靶室;所述引出系统包括一次引出电极结构(100)、分析筛选结构、及二次引出电极结构(200);所述一次引出电极结构(100)用于使所述离子源系统产生的离子沿着一定的方向运动而形成离子束,分析筛选结构包括具有引出缝(311)的分析筛选板(310),离子源系统产生的离子经由所述一次引出电极结构(100)作用而沿着一定的方向进行加速运动后,再通过分析筛选板(310)的引出缝(311)进行筛选后引出;所述法拉第杯(400)位于穿过所述分析筛选板(310)的离子束的运动方向上,用于接受离子束的冲击并且检测所述离子束的属性;所述二次引出电极结构(200)包括二次引出电源(230)、位于所述分析筛选板(310)面向法拉第杯(400)一侧并连接二次引出电源(230)的第一引出电极(210)、及位于所述法拉第杯(400)远离分析筛选板(310)一侧并连接二次引出电源(230)的第二引出电极(220),其中,第一、第二引出电极(210、220)分别连接二次引出电源(230)的正负两电极中不同的一个,所述二次引出电极结构(2 ...
【技术特征摘要】
1.一种离子注入装置,其特征在于,包括离子源系统、引出系统、及设置有法拉第杯(400)的靶室;所述引出系统包括一次引出电极结构(100)、分析筛选结构、及二次引出电极结构(200);所述一次引出电极结构(100)用于使所述离子源系统产生的离子沿着一定的方向运动而形成离子束,分析筛选结构包括具有引出缝(311)的分析筛选板(310),离子源系统产生的离子经由所述一次引出电极结构(100)作用而沿着一定的方向进行加速运动后,再通过分析筛选板(310)的引出缝(311)进行筛选后引出;所述法拉第杯(400)位于穿过所述分析筛选板(310)的离子束的运动方向上,用于接受离子束的冲击并且检测所述离子束的属性;所述二次引出电极结构(200)包括二次引出电源(230)、位于所述分析筛选板(310)面向法拉第杯(400)一侧并连接二次引出电源(230)的第一引出电极(210)、及位于所述法拉第杯(400)远离分析筛选板(310)一侧并连接二次引出电源(230)的第二引出电极(220),其中,第一、第二引出电极(210、220)分别连接二次引出电源(230)的正负两电极中不同的一个,所述二次引出电极结构(200)用于构成一个具有特定指向方向的平行电场,引导经过分析筛选结构的离子束轰击在特定区域;所述第一引出电极(210)包括对应位于所述引出缝(311)两侧的两电极板(211),所述两电极板(211)为并联连接,具有等电位,在使用时为平行设置,用于对穿过所述分析筛选板(310)的离子束起到收缩作用。2.如权利要求1所述的离子注入装置,其特征在于,所述第一引出电极(210)还包括位于所述两电极板(211)之间并对应位于所述引出缝(311)两侧的两第一石墨防护板(212)、分别连接设于所述两电极板(211)下方的两绝缘管(213)、分别连接设于所述两绝缘管(213)下方的两旋转头(214)、将两电极板(211)与所述二次引出电源(230)进行连接的第一电源线(215)、及用于对所述两电极板(211)进行冷却的冷却水管道(216);所述绝缘管(213)和旋转头(214)共同用于使得对应的电极板(211)在0-10度范围内旋转;所述离子注入装置在使用时,所述冷却水管道(216)内通入的冷却水为去离子水,该冷却水的电阻值大于16兆欧,温度在20-23℃之间。3.如权利要求1所述的离子注入装置,其特征在于,所述电极板(211)的材料为铝合金。4.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员:李书晓,
申请(专利权)人:武汉华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北;42
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