本实用新型专利技术的离子注入装置，包括用于发生离子束的离子源、质量分析单元、遮挡单元和基板，质量分析单元设置于离子束发射方向上，且质量分析单元的入口与离子束相对，对射入质量分析单元进行分选，质量分析单元的侧壁上还设置有分析狭缝，离子束经过分选后射出质量分析单元；遮挡单元设置于质量分析单元上，且与分析狭缝共处于同一侧壁上，遮挡单元可紧贴侧壁移动，能够遮挡经由分析狭缝射出的离子束；基板设置于与分析狭缝相对的位置；本实用新型专利技术的离子注入装置通过在质量分析单元的分析狭缝处设置遮挡单元，来调整射出分析狭缝的离子束的宽度，从而调整射出分析狭缝的离子束剂量，从而实现了连续离子注入过程中对注入剂量进行自动调整。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及离子注入
，尤其涉及一种离子注入装置。
技术介绍
近年来，随着离子注入技术的发展，用于离子注入的基板的尺寸越来越大，这样能够实现在单次扫描周期内实现多种剂量的离子注入，从而可以满足很多的生产和实验要求，例如，可以在同一张基板上制作不同的产品。目前的离子注入装置用于在同一张基板上制作不同产品时，所注入的离子束为带状离子束，可是，用这种带状离子束照射基板过程中，如果需要调整离子注入剂量时，只能中断当前的离子注入过程，重新设置关键参数来调整束流大小。但离子注入中断后需要重新调整束流以及记录中断位置，该种方式实现起来过程较为繁琐。可见，现有技术无法实现连续离子注入过程中对注入剂量进行自动调整。
技术实现思路
本技术提供一种离子注入装置，以克服现有技术中无法实现连续离子注入过程中对注入剂量进行自动调整的技术问题。本技术提供一种离子注入装置，包括用于发生离子束的离子源、质量分析单元、遮挡单元和基板，其中，所述质量分析单元设置于所述离子束发射方向上，且所述质量分析单元的入口与所述离子束相对，所述质量分析单元的侧壁上还设置有用于离子束射出的分析狭缝；所述遮挡单元滑动地设置于所述质量分析单元上，且与所述分析狭缝处于同一侧壁；所述基板设置于与所述分析狭缝相对的位置。进一步可选地，所述质量分析单元内设置有使所述离子束偏转的磁场。进一步可选地，所述装置还包括工艺腔室，所述基板位于所述工艺腔室内，所述工艺腔室包括入射口，所述工艺腔室的入射口与所述质量分析单元的分析狭缝相对，经分析狭缝射出的离子束由入射口进入工艺腔室到达基板，对所述基板进行离子注入。进一步可选地，所述遮挡单元包括用于遮挡所述离子束的挡板、设置于所述挡板上用于驱动所述挡板紧贴所述侧壁移动的第一驱动单元、设置于所述挡板的朝向所述工艺腔室的面上的法拉第杯和设置于所述法拉第杯朝向所述工艺腔室的面上的法拉第冷却单元。进一步可选地，所述法拉第杯为杯状长方体，紧密地排列于所述挡板的朝向所述工艺腔室的面上。进一步可选地，所述基板划分为至少一个离子注入区域，所述基板的下方设置有用于放置基板的移动载台，所述移动载台还设置有第二驱动单元。进一步可选地，所述装置还包括控制单元，所述控制单元分别与所述基板和所述遮挡单元连接。进一步可选地，所述控制单元与所述第二驱动单元和所述第一驱动单元连接。本技术的离子注入装置，包括用于发生离子束的离子源、质量分析单元、遮挡单元和基板，其中，所述质量分析单元设置于所述离子束发射方向上，且所述质量分析单元的入口与所述离子束相对，所述离子束能够射入所述质量分析单元进行分选，所述质量分析单元的侧壁上还设置有分析狭缝，使所述离子束经过分选后射出所述质量分析单元，对所述基板进行离子注入；所述遮挡单元设置于所述质量分析单元上，且与所述分析狭缝共处于同一侧壁上，并且所述遮挡单元紧贴所述侧壁移动，以遮挡经由所述分析狭缝射出的离子束，以减小射出的离子束的密度；所述基板设置于与所述分析狭缝相对的位置；本技术的技术方案通过在质量分析单元的分析狭缝处设置遮挡单元，来调整射出分析狭缝的离子束的宽度，从而调整射出分析狭缝的离子束剂量，从而实现了连续离子注入过程中对注入剂量进行自动调整。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术的离子注入装置的俯视图；图2为本技术的离子注入装置的实施例一的示意图；图3为本实施例的离子注入装置调整离子注入剂量的示意图；图4为本技术的离子注入装置的实施例二的示意图。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图1所示，为本专利技术的离子注入装置的俯视图，本专利技术的离子注入装置包括离子源11、质量分析单元12和工艺腔室13。离子源11、质量分析单元12和工艺腔室13均为竖直放置，且共同设置于同一水平面上。离子源11用于产生离子束，质量分析单元12设置于离子束发射方向上，且质量分析单元12的入口与离子束相对，使离子束能够射入质量分析单元12进行分选得到所希望的离子束，质量分析单元12的侧壁上还设置有分析狭缝14，使所希望的离子束角度发生偏转后通过分析狭缝14射出质量分析单元12；工艺腔室13设置于能够使工艺腔室13的入射口与分析狭缝14相对的位置。工艺腔室13内还设置有基板15，同样，基板15也为竖直放置，且基板15与工艺腔室13的入射口相对，以使通过入射口的离子束能够注入基板15。图2为本技术的离子注入装置实施例一的示意图，如图2所示，本实施例的离子注入装置，具体可以包括离子源11、质量分析单元12、遮挡单元16和基板15。其中，离子源11用于发生离子束；质量分析单元12设置于离子束发射方向上，且质量分析单元12的入口与离子束相对，使离子束能够射入质量分析单元12进行分选，质量分析单元12的侧壁上还设置有分析狭缝14，使离子束经过分选后射出质量分析单元12；遮挡单元16设置于质量分析单元12上，且与分析狭缝14共处于同一侧壁上，并且遮挡单元16可紧贴侧壁移动，以遮挡经由分析狭缝14射出的离子束，以减小射出的离子束的宽度；基板15设置于与分析狭缝14相对的位置。在具体实施时，从离子源11发生的离子束包含所希望的离子种类的离子束，该离子束通过质量分析单元12设置于离子束发射的方向上，使离子束射入质量分析单元12。质量分析单元12对射入的离子束进行分选，分选出的离子束并通过分析狭缝14射出，到达基板15。在实际应用中，分析狭缝14设置在质量分析单元12的一个侧壁上，为达到遮挡离子束的效果，遮挡单元16也应当设置于与分析狭缝14所处的侧壁上。当需要调整离子束的剂量时，遮挡单元16紧贴该侧壁移动，遮挡住部分分析狭缝14射出本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种离子注入装置，其特征在于，包括用于发生离子束的离子源、质量分析单元、遮挡单元和基板，其中，所述质量分析单元设置于所述离子束发射方向上，且所述质量分析单元的入口与所述离子束相对，所述质量分析单元的侧壁上还设置有用于离子束射出的分析狭缝；所述遮挡单元滑动地设置于所述质量分析单元上，且与所述分析狭缝处于同一侧壁；所述基板设置于与所述分析狭缝相对的位置。
【技术特征摘要】
1.一种离子注入装置，其特征在于，包括用于发生离子束的离子源、质量分析单元、遮挡单元和基板，其中，
所述质量分析单元设置于所述离子束发射方向上，且所述质量分析单元的入口与所述离子束相对，所述质量分析单元的侧壁上还设置有用于离子束射出的分析狭缝；
所述遮挡单元滑动地设置于所述质量分析单元上，且与所述分析狭缝处于同一侧壁；
所述基板设置于与所述分析狭缝相对的位置。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述质量分析单元内设置有使所述离子束偏转的磁场。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括工艺腔室，所述基板位于所述工艺腔室内，所述工艺腔室包括入射口，所述工艺腔室的入射口与所述质量分析单元的分析狭缝相对，经分析狭缝射出的离子束由入射口进入工艺腔室到达基板，对所述基板进行离子注入。
4.根据权利要求3所...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡明，陈浩，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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