嵌入式闪存的失效测试方法技术

本发明专利技术提供了一种嵌入式闪存的失效测试方法，包括：步骤一：提供一嵌入式闪存，所述嵌入式闪存包括一存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多条字线和与所述字线交叉设置的多条位线；以及步骤二：逐个测试所述存储单元阵列的一条对角线上的每个存储单元。采用上述嵌入式闪存的失效测试方法，只需要测试存储单元阵列对角线上的存储单元，就可以测试到所有的字线和位线的组合了。相对于现有技术来说，可以有效减少测试时间，从而实现了提高测试效率降低测试成本的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造
，特别涉及一。
技术介绍
众所周知，存储芯片的市场竞争中非常激烈，大部份国内外芯片制造厂都具备存储芯片制造的能力，从目前的趋势来看，测试是影响价格的关键因素之一。在兼顾测试可靠性的前提下，如何提高测试效率并降低测试成本，是一个非常重要的问题。如图1所示,嵌入式闪存的存储单元阵列100由数条字线(word line)101与数条位线(bit line)102交叉所构成。为了检查所述字线101与交叉的位线102之间是否存在漏电或者短路。需要对存储单元阵列100进行早期失效测试(insert mortality test, IMtest)。具体来说，早期失效测试的方法如下:步骤一:在对存储单元阵列100进行多次擦除后，对其中一条位线102a施加电压，并对所有字线101施加电压以开启所有与所述位线102a交叉的存储单元的沟道，然后对位于所述位线102a上的所有存储单元逐个进行编程和读取，如果每次读取都是O的话，说明每一条字线101和位线102a都不存在短路；步骤二:对其中一条字线IOla施加电压以开启所述有所述字线IOla交叉的存储单元的沟道，并对所有位线本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种嵌入式闪存的失效测试方法，包括：步骤一：提供一嵌入式闪存，所述嵌入式闪存包括一存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多条字线和与所述字线交叉设置的多条位线；以及步骤二：逐个测试所述存储单元阵列的一条对角线上的每个存储单元。

【技术特征摘要】
1.一种嵌入式闪存的失效测试方法，包括: 步骤一:提供一嵌入式闪存，所述嵌入式闪存包括一存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多条字线和与所述字线交叉设置的多条位线；以及 步骤二:逐个测试所述存储单元阵列的一条对角线上的每个存储单元。2.按权利要求1所述的嵌入式闪存的失效测试方法，其特征在于，所述步骤二之前还包括:对所述存储单元阵列进行多次擦除动作。3.按权利要求2所述的嵌入式闪存的失效测试方法，其特征在于，对所述存储单元阵列进行200次擦除动作。4.按权利要求1所述的嵌入式闪存的失效测试方法，其特征在于，所述步骤二包括: 逐个对所述存储单元阵列的一条对角线上的每个存储单元进行编程；以及 逐个对所述存储单元阵列的一条对角线上的每个存储单元进行读取； 如果某个存储单元的读取结果为0，则判断该存储单元所对应的字线和位线没有短路； 如果某个存储单元的读取结果为1，则判断该存储单元所对应的字线和位线发生了短路。5.按权利要求4所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴玮，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：