闪存的制作方法技术

本申请提供了一种闪存的制作方法。该制作方法包括：提供半导体基底，半导体基底划分为逻辑电路区、高压电路区和快闪存储区；在半导体基底上依次沉积衬垫氧化层、氮化硅层和缓冲氧化层；形成浅沟槽隔离并去除氮化硅层和缓冲氧化层，在半导体基底上形成浅沟槽隔离结构；在快闪存储区和高压电路区形成N阱区；在高压电路区形成P阱区；对快闪存储区欲设置控制栅极的第一位置以及欲设置选择栅极的第二位置进行离子注入；在快闪存储区形成浮栅、在第一位置上形成选择栅极、在第二位置上形成控制栅极；以及形成逻辑电路区的晶体管结构和高压电路区的晶体管结构。解决了现有工艺难以满足小尺寸闪存器件制作需要的问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体制造
，具体而言，涉及一种。
技术介绍
在目前的半导体产业中，集成电路产品主要可分为三大类型：逻辑电路、存储器和 模拟电路，其中存储器在集成电路产品中占了相当大的比例，而且近年来快闪存储器(又称 闪存）已经成为非挥发性存储器的主流，根据结构不同，闪存可分为或非闪存（NORFlash) 和与非闪存（NANDFlash)，其中，或非闪存因为读取速度快而适合手机或主板等需要记录 系统编码的应用。 目前，闪存的制作工艺在行业内还没有统一，各企业会根据功能要求设计不同闪 存结构、并制定不同的制作工艺流程，其中，一种同时集成有逻辑区、存储区和高压电路区 的快闪存储器的制造方法大致包括： 提供衬底，在衬底上形成低压栅极结构、高压栅极结构和存储栅极结构，并在高压 栅极结构的周围形成内侧墙、在存储栅极结构的周围形成内侧墙，低压栅极结构为单层栅 极结构，高压栅极结构和存储栅极结构为双层栅极结构； 然后，形成ONO介质层，具体为：形成氧化层，覆盖所述衬底、低压栅极结构、高压 栅极结构、存储栅极结构以及内侧墙、内侧墙，在氧化层上形成氮化硅层，在氮化硅层上形 成氧化硅层； 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种闪存的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：步骤S1，提供半导体基底（100），所述半导体基底（100）划分为逻辑电路区（Ⅰ）、高压电路区（Ⅱ）和快闪存储区（Ⅲ）；步骤S2，在所述半导体基底（100）上依次沉积衬垫氧化层（101）、氮化硅层（102）和缓冲氧化层（103）；步骤S3，形成浅沟槽隔离并去除所述氮化硅层（102）和缓冲氧化层（103），在半导体基底（100）上形成浅沟槽隔离结构（105）；步骤S4，在所述快闪存储区（Ⅲ）和所述高压电路区（Ⅱ）形成N阱区；步骤S5，在所述高压电路区（Ⅱ）形成P阱区；步骤S6，对所述快闪存储区（Ⅲ）欲设置控制栅极的第一位置以及欲设置选择栅极的第二...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李天慧，潘晶，王琪，宁先捷，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31