闪存制造技术

本发明专利技术公开一种闪存，该闪存包含：闪存芯片；串并转换电路，用于接收一串行数据，并将该串行数据转换为并行数据；以及数据模式判决器，连接于该串并转换电路的输出端，以通过该并行数据产生一反向控制信号，并在该反向控制信号的控制下对该并行数据进行反向处理后输出一反向并行数据至该闪存芯片，本发明专利技术通过先将串行数据转换成并行数据，再将并行数据写入至闪存芯片，这样跟以前的位反技术相比，在相同编程效率和平均编程功耗的情形下，减少了反相控制信号占所有数据总数的比例，从而减少了面积损失。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种闪存，特别是涉及一种高效率编程的闪存。
技术介绍
闪存以其便捷、存储密度高、可靠性好等优点成为非挥发性存储器中研究的热点。 从二十世纪八十年代第一个闪存产品问世以来，随着技术的发展和各类电子产品对存储的需求，闪存被广泛用于手机、笔记本、掌上电脑和u盘等移动和通讯设备中，闪存为一种非易变性存储器，其运作原理是通过改变晶体管或存储单元的临界电压来控制门极通道的开关以达到存储数据的目的，使存储在存储器中的数据不会因电源中断而消失，而闪存为电可擦除且可编程的只读存储器的一种特殊结构。如今闪存已经占据了非挥发性半导体存储器的大部分市场份额，成为发展最快的非挥发性半导体存储器。一般来说，降低任何嵌入式设计的体积和成本的常用方法是使用具有较少输入/ 输出引脚的通信总线，因此，现有的闪存多采用串行输入/输出方式，图1为现有一种串行输入的闪存示意图。如图1所示，数据DIN<m:0>以串行方式写入到闪存芯片，虽然串行输入 /输出方式可以较为明显的减小体积和降低成本，但其传输速度也受到了相应的限制，导致了数据的传输效率低下，同时，这种串行输入/输出方式若采用位反技术，其反本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨光军，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：