一种基于ＦＴＬ的闪存擦写掉电保护方法技术

本发明专利技术提供一种基于ＦＴＬ的闪存擦写掉电保护方法，涉及嵌入式系统中ＮＯＲＦｌａｓｈ。该方法包括擦除操作掉电保护部分和写操作掉电保护部分。擦除操作掉电保护部分为每个数据块增加一个擦除标记，未擦除成功的数据块挂入脏链表；开机检测，将脏链表中的数据块进行擦除操作。写操作掉电保护部分，扇区标记调整为所支持闪存的物理写单位，开机扫描每个扇区状态，将扇区标记为有效、但扇区号为无效的扇区的扇区状态修改为脏状态，将扇区标记为无效的扇区记录为脏状态，将标记为有效且扇区号不大于最大逻辑扇区号的扇区状态建立信息。本发明专利技术另提供一种运用上述方法的保护装置。本发明专利技术擦除标记不占用多余空间，保证写掉电发生后，只影响到掉电前最后操作的目标数据。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种嵌入式系统中NOR Flash擦写过程中掉电的保护方法，尤其涉及 一种基于FTL的闪存擦写掉电保护方法。
技术介绍
闪存(Flash)由于快速的读写速度、低能耗、不易损失等特点，在很多场合有应 用，特别是便携式消费性产品中应用极广。NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪 存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM(Erasable Programmable ROM,可擦除可编程 ROM)和 EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，电可擦可编程只读存储器一)统天下的局面。NORFlash的特点是芯片 内执行，这样应用程序可以直接在闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输 效率很高，在1 4MB的小容量时具有很高的成本效益。NOR Flash中，将空间划分为多个 Block(块)，擦除是以一个Block为单位进行的，即擦除至少需要擦除一个Block。FTL (Flash Translation Layer,闪存转化层)，是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于ＦＴＬ的闪存擦写掉电保护方法，该闪存具有若干数据块，数据块包括若干扇区，其特征在于，该方法包括擦除操作掉电保护部分以及写操作掉电保护部分，其中，擦除操作掉电保护部分，包括以下步骤：为每个数据块增加一个擦除标记，包含有效状态Ａ和无效状态Ｂ；进行擦除操作之前将擦除标记写为Ａ，擦除成功后写擦除标记为Ｂ，未擦除成功的数据块挂入脏链表；开机检测，将擦除标记仍然为Ａ的数据块进行擦除操作，操作完成后将擦除标记写为Ｂ；写操作掉电保护部分，包括以下步骤：将扇区标记调整为所支持闪存的物理写单位，开机扫描每个扇区状态，将扇区标记为有效、但扇区号为无效的扇区的扇区状态修改为脏状态，将扇区标记为无效的扇区记录为...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：雷杰，
申请(专利权)人：联芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]