半导体存储器信息储存装置及其写入控制方法制造方法及图纸

一种半导体存储器信息储存装置，储存部（１）的块在使用中的情况下，将使用中的块登录到使用中列表（４１２）中，在未使用的情况下，将写入次数与最大使用次数相同的块登录到未使用高列表（４１３）中，将写入次数小于最大使用次数的块登录到未使用低列表（４１４）中。而后，从登录在未使用低列表（４１４）中未使用块中选择写入块，写入素材数据。另外，在从块中擦除素材数据时，根据写入次数和最高使用次数将该块登录到未使用高列表（４１３）或未使用低列表（４１４）中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在半导体存储器中储存素材数据等信息的半导体存储器信 息储存装置、以及在半导体存储器中存储素材数据等信息的写入控制方法。
技术介绍
在储存素材数据的信息储存装置中，作为它的存储介质，利用能够以 块为单位写入、读出数据的半导体存储器。其中，该半导体存储器因为没有运转部分所以具有可靠性高的优点，但是另一方面，相比硬盘等，可写 入的次数少。特别是如果总是使用特定的块，那么该块成为不能写入的不 佳部位(称为后天性丢失(只7夕K口、乂7))。因此，作为改善这种问题的现有技术，有日本专利公开公报平11一14447S。在其中的半导体存储器 信息储存装置中，每当在半导体存储器中写入素材数据，就对每个块计数 写入次数。而后，在写入时读出各块的写入次数，使得从写入次数少的未 使用块开始依次写入素材数据。但是，近年，随着半导体存储器的容量大型化，像专利文献1那样， 每当写入数据时，都在读出全部块的写入次数后，选择写入次数少的未使 用块的方法已经不是有效率的方法了。因此，要求一种信息存储装置，在 素材数据的写入动作中，可以实时并且使得各块的写入次数均匀地选择未 使用块。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体存储器信息储存装置和写入控制方 法，在素材数据的写入动作中，能够实时地选择未使用块，可以使各块的 写入次数均匀。本专利技术涉及的半导体存储器信息储存装置具备储存部，将能够以块 为单位擦除的非易失性存储器作为信息存储介质；写入次数管理单元，分5别计数并管理上述非易失性存储器中的全部块的写入次数；列表管理单元， 以使用中/未使用来分类上述非易失性存储器中的块，用使用中列表来管理 上述使用中的块，用第1未使用列表来管理上述未使用的块之中的上述写 入次数与最大值相同的块，用第2未使用列表来管理上述未使用的块之中 的上述写入次数小于上述最大值的块；以及控制部，对上述储存部进行信 息数据的写入、擦除控制，在写入上述信息数据时，选择性地指定由上述 第2未使用列表管理的块的某一个，并在该块中写入上述信息数据，在擦 除上述信息数据时，将该信息数据从上述块中擦除，并且将擦除的块通知 给上述列表管理单元并使上述块的管理更新；上述列表管理单元在由上述 控制部指定了由上述第2未使用列表管理的块的某一个作为写入块时，将 上述指定的写入块从上述第2未使用列表中除去并使其转移至上述使用中 列表的管理下；上述写入次数管理单元对于上述指定的写入块的写入次数 递增计数。另外，本专利技术涉及的写入部位分散化方法为将能够以块为单位擦除 的非易失性存储器作为信息存储介质；分别计数并管理上述非易失性存储 器中的全部块的写入次数；以使用中/未使用来分类上述非易失性存储器中 的块；用使用中列表来管理上述使用中的块；用第1未使用列表来管理上 述未使用的块之中的上述写入次数与最大值相同的块；用第2未使用列表 来管理上述未使用的块之中的上述写入次数小于上述最大值的块；在向上 述非易失性存储器中的块写入上述信息数据时，参照上述第2未使用列表， 选择性地指定由该第2未使用列表来管理的块的某一个，并写入上述信息 数据；在擦除上述信息数据时，将该信息数据从上述块中擦除，并且更新 上述各列表中对擦除的块的管理；在指定了由上述第2未使用列表来管理 的块的某一个作为写入块时，将上述指定的写入块从上述第2未使用列表 中除去并转移至上述使用中列表的管理下；对于上述指定的写入块的写入 次数递增计数。附图说明图1是示出本专利技术涉及的半导体存储器信息储存装置的一个实施方式 的结构的框图。图2是示出在图1的块管理部中，未使用块未被登录在free—low list中，而只被登录在free—highlist中的情况下的未使用块的登录的转移的概念图。图3是示出在向图1的储存部写入素材数据时的辅助控制器对块的管理动作的流程图。图4是示出在向图1的储存部写入素材数据时的块的管理的概念图。图5是示出在向图1的储存部写入素材数据时的块的管理的概念图。图6是示出将存储在图1的储存部的块中的素材数据擦除时的辅助控制器的管理动作的流程图。图7是示出将存储在图1的储存部的块中的素材数据擦除时的块的管理的概念图。图8是示出将存储在图1的储存部的块中的素材数据擦除时的块的管理的概念图。图9是图1的半导体存储器信息储存装置启动时块向各列表的分配动作的流程图。具体实施例方式以下，参照附图，对本专利技术的实施方式进行详细说明。图1是示出本专利技术的第1实施方式涉及的半导体存储器信息储存装置的功能结构的框图。在图1中，储存部1将暂时保存在缓冲器2中的素材数据利用写入/擦除控制器3的写入控制来取入，并写入到半导体存储器11 13中。这时，写入素材数据的半导体存储器11 13中的写入块由写入/擦除控制器3参照块管理部4来指定。块管理部4通过将半导体存储器11 13的块的管理信息保存在管理信息保持部41中，并由辅助控制器42控制该管理信息来管理块。另外，储存部1利用写入/擦除控制器3的擦除控制将存储在半导体存储器11 13中的素材数据擦除。这时，写入/擦除控制器3将擦除了素材数据的块通知给块管理部4，使其更新块的管理。上述储存部l由各自能够以块为单位擦除的多个(在此设为3个)非易失性半导体存储器11 13并列连接构成。各自的半导体存储器存储相同7信息的数据。由此，即使在某一个半导体存储器中产生不佳部位的情况下，在剩余的半导体存储器中存储着数据。即，降低了写入错误发生的可能性。上述写入/擦除控制器3具有对储存部1控制素材数据的写入、擦除的功能。写入/擦除控制器3在写入控制时从块管理部4中选择性地指定写入次数少的未使用块。而后，写入/擦除控制器3在该指定的块中写入暂时保存在缓冲器2中的素材数据。另外，写入/擦除控制器3在擦除控制时，将素材数据从块中擦除。而后，写入/擦除控制器3将擦除了素材数据的块通知给块管理部4，使其更新块的管理。上述块管理部4将半导体存储器11 13的块的管理信息保存在管理信息保持部41中。块管理部4通过用辅助控制器42控制该管理信息来管理块。管理信息保持部41具备记录部411 ，列表管理部(以下记为using—list)412、列表管理部(以下记为free—high list) 413、以及列表管理部(以下记为fi'ee — lowlist) 414。记录部411记录半导体存储器11 13的块的使用中/未使用分类结果以及写入次数。using—list (使用中列表)412管理使用中的块。free—high list (未使用高列表)413管理未使用的块之中的写入次数与最大使用次数相同的块。free.—low list (未使用低列表)414管理未使用的块之中的写入次数小于最大使用次数的块。在此，最大使用次数是指未使用的块之中的写入次数成为最大的块的写入次数。辅助控制器42在由写入/擦除控制器3从登录在free—low list 414中的块的某一个中选择性地指定了写入块后，将该块从free—low list 414中除去。而后，辅助控制器42对于该块的写入次数递增计数(countup)，并将写入次数记录在记录部411中。辅助控制器42若记录了写入次数，则将块登录在using—list 412中。另外，辅助控制器42本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储器信息储存装置，其特征在于，具备：　储存部，将能够以块为单位擦除的非易失性存储器作为信息存储介质；　写入次数管理单元，对上述非易失性存储器中的全部块的写入次数分别计数并管理；　列表管理单元，按照使用中或未使用 来对上述非易失性存储器中的块进行分类，由使用中列表来管理上述使用中的块，由第１未使用列表来管理上述未使用的块之中的上述写入次数与最大值相同的块，由第２未使用列表来管理上述未使用的块之中的上述写入次数小于上述最大值的块；以及　控制部，对 于上述储存部进行信息数据的写入、擦除，在写入上述信息数据时，选择性地指定由上述第２未使用列表管理的块的某一个，并在该块中写入上述信息数据，在擦除上述信息数据时，将该信息数据从上述块中擦除，并且将擦除的块通知给上述列表管理单元，来更新上述块的管理；　上述列表管理单元在由上述控制部指定了由上述第２未使用列表管理的块的某一个作为写入块时，将上述指定的写入块从上述第２未使用列表中除去，并使其转移至上述使用中列表的管理下；　上述写入次数管理单元对于上述指定的写入块的写入次数 递增计数。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木俊生，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]