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本申请提供了一种闪存的制作方法。该制作方法包括：提供半导体基底，半导体基底划分为逻辑电路区、高压电路区和快闪存储区；在半导体基底上依次沉积衬垫氧化层、氮化硅层和缓冲氧化层；形成浅沟槽隔离并去除氮化硅层和缓冲氧化层，在半导体基底上形成浅沟槽隔...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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