非易失性存储器的基准电流的内置自微调制造技术

本发明专利技术公开了一种非易失性存储器的基准电流的内置自微调机制，通过该内置微调机制，产品的可靠性能够通过使用于访问非易失性存储器以及用于执行对基准电流的初始微调的基准电流的漂移最小化来提高。实施例通过以下操作来执行这些任务：使用模数转换器（330，530）来提供基准电流（Iref）的数字表示，然后将该数字表示与Iref的所存储的目标范围值比较，并且然后相应地调整Iref的源。对于由NVM基准位单元（310）生成的基准电流，编程或擦除脉冲被施加于基准单元，作为微调过程的一部分。对于由基于带隙的电路（510）生成的基准电流，比较结果能够被用来调整基准电流电路。另外，环境因素（例如，温度）能够被用来调整基准电流的测量值和目标范围值。

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器的基准电流的内置自微调
本公开内容一般地涉及非易失性存储器，并且更特别地，涉及在访问非易失性存储器中使用的基准电流的内置自微调机制。
技术介绍
非易失性存储器通常依靠基准电流（Iref）来区分存储单元存储的是值0（例如，小于Iref）还是值1（例如，大于Iref）。为了生成Iref，许多非易失性存储器的设计将非易失性存储器的位单元（bitcell）用作基准单元。为了确保非易失性存储器阵列的性能和可靠性，基准单元应当是稳定的，并且不随时间显著漂移。但是，像许多其他半导体器件一样，基准单元会遇到环境影响，以及数据保留错误和读取干扰错误。虽然基准单元在开始时通常由非易失性存储器的制造商来微调，但是没有用于在现场或由将非易失性存储器并入后续产品中的客户调整或重新微调基准单元的机制。此外，基准单元的初始微调是使用在非易失性存储器之外的或者在并入了非易失性存储器的封装之外的设备的耗时过程，并因此就资源和生产量降低而言是昂贵的。因此，所希望的是将内置自微调机制并入非易失性存储器的封装之内。此外，所希望的是这样的内置自微调机制可用来使在现场的基准漂移最小化，并且帮助基准单元的初始微调。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：将非易失性存储器（NVM）的基准电流转换为NVM基准电流的数字值，其中所述转换通过与所述NVM基准电流的发生器耦接的模数转换器（ADC）来执行；将所述NVM基准电流的数字值与目标值的范围比较；如果所述NVM基准电流的数字值处于所述目标值的范围之外，则调整所述NVM基准电流的发生器以产生所调整的NVM基准电流，其中与所调整的NVM基准电流关联的所调整的NVM基准电流的数字值处于所述目标值的范围之内；以及其中所述转换、比较和调整由包括NVM的片上系统的构件执行。

【技术特征摘要】
2011.10.31 US 13/286,1751.一种非易失性存储器系统，包括：非易失性存储器(NVM)阵列；配置用于生成用来访问所述NVM阵列的NVM基准电流的NVM基准电流的发生器；模数转换器(ADC)，与所述NVM基准电流的发生器耦接，并且被配置用于将所述NVM基准电流转换成NVM基准电流的数字值；比较器，与所述ADC耦接，并且被配置用于将所述NVM基准电流的数字值与目标值比较；以及微调逻辑块，与所述比较器耦接，并且被配置用于给所述NVM基准电流的发生器提供控制信号以在所述NVM基准电流的数字值处于所述目标值的范围之外时产生所调整的NVM基准电流，其中所调整的NVM基准电流的数字值处于所述目标值的范围之内；一个或更多个寄存器，与所述比较器耦接，存储所述目标值的范围的下限和所述目标值的范围的上限；温度传感器，与所述ADC和所述一个或更多个寄存器中的一个或更多个耦接，并且被配置用于给所述ADC和所述寄存器中的所述一个或更多个提供温度数据；所述ADC还被配置用于在需要时响应于所述温度数据来调整所述NVM基准电流的数字值；并且所述一个或更多个寄存器还被配置用于在需要时响应于所述温度数据来调整所述目标值的范围的下限和所述目标值的范围的上限。2.根据权利要求1所述的非易失性存储器系统，还包括：NVM编程/擦除控制器，与所述微调逻辑块和所述NVM基准电流的发生器耦接，并且被配置用于接收来自所述微调逻辑块的所述控制信号，如果所述控制信号包括所述NVM基准电流的数字值低于所述目标值的范围的下限的标记，则响应于所述控制信号给所述NVM基准电流的发生器提供擦除脉冲，并且如果所述控...

【专利技术属性】
技术研发人员：何晨，理查德·K·埃谷奇，王艳卓，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：