【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路领域，具体涉及电流基准电路。
技术介绍
在集成电路中，电流基准电路得到了十分广泛的应用。随着外围应用环境对芯片性能要求的不断提高，对电流基准电路提供电流的范围及精度的要求也越来越高。现有的提供高精度、大范围基准电流较为常见的做法是在芯片内设计一个高精度电压基准电路，产生与电源电压、温度、工艺无关的基准电压，然后将此基准电压加到片外电阻上，通过改变片外电阻的大小得到各种电流值。如图I所示，为典型的电流基准电路的电路图。v’Mf为片内产生的高精度基准电压，R’ ext为外接电阻，放大器AMP’ ,与NM0S’ I形成负反馈回路，使得R’-上的压降恒定为V’Mf，因此得到基准电流权利要求1.一种电流基准电路，包括基准电压源、至少两个第一 MOS管、与第一 MOS管数量相等的第二 MOS管、与第一 MOS管及第二 MOS管数量之和相等的可控开关及一可调电阻，所述基准电压源用于提供一基准电压Vrefl以加载到可调电阻上，产生基准电流，其特征在于，全部第一 MOS管和全部第二 MOS管通过所述全部的可控开关组成电流镜，用于镜像输出基准电流至电流输出端，...
【技术保护点】
一种电流基准电路，包括基准电压源、至少两个第一MOS管、与第一MOS管数量相等的第二MOS管、与第一MOS管及第二MOS管数量之和相等的可控开关及一可调电阻，所述基准电压源用于提供一基准电压Vref1以加载到可调电阻上，产生基准电流，其特征在于，全部第一MOS管和全部第二MOS管通过所述全部的可控开关组成电流镜，用于镜像输出基准电流至电流输出端，所述电流基准电路还包括一电压比较电路；所述电压比较电路用于控制全部可控开关的导通与断开，并在产生的基准电流小于或等于第一预定值时，通过与全部第一MOS管对应的可控开关控制一个第一MOS管接入电流基准电路，作为电流镜的一侧，通过与全部...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：万为，曾明辉，毛锴，
申请(专利权)人：广州润芯信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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