一种基准电压源电路制造技术

本发明专利技术提供了一种基准电压源电路，包括基准源电路与输出极；所述基准源单元接收电源电压信号与输出极单元的反馈信号，输出第一基准电压信号；再由输出极单元的所述第一电阻接收所述第一基准电压信号，由反馈单元反馈信息至所述基准源单元，由第二电阻输出第二基准电压信号，即对地的基准电压信号；本发明专利技术公开的基准电压源电路加入了所述第一电阻与第二电阻，将所述基准源单元输出的所述第一基准电压信号，即所述对电源的基准电压信号加载到所述第一电阻上转化为相应电流，流过第二电阻，所述第二电阻两端的压降即为对地的基准电压信号，即所述基准电压源电路的输出电压信号，通过改变所述第一电阻与第二电阻的比值可以实现基准电压值可调。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及基准电压源
，尤其涉及一种基准电压值可调的低温漂基准电压源电路。
技术介绍
基准电压源电路是模拟集成电路的核心単元电路，尤其是电源管理类芯片中，基准电压源往往决定了此类芯片的性能指标。基准电压源实现方式种类繁多，有带隙基准源、具有ニ阶温度补偿的带隙基准、齐纳基准源、E/D基准源。图I是典型的E/D NMOS基准结构。它的设计思想是将两个工作在饱和区的增强型NMOS管和耗尽型NMOS管串联，利用其电流相等，可得出输出电压为增强型NMOS管阈值电压和耗尽型NMOS管阈值电压的函数。由于增强型管阈值电压为负温度系数，耗尽型管阈值电压为正温度系数，通过调整两种管子的宽长比，就能得到低温漂的基准电压。具体来说，耗尽型NMOS管Ml与增强型NMOS管M2串联，对基准电压进行初调。所述耗尽型NMOS管Ml管决定支路电流，所述增强型NMOS管M2决定初调电压。初调电压通过耗尽型NMOS管M3进行源极跟随给耗尽型NMOS管M4和增强型NMOS管M5提供初调电位。所述耗尽型NMOS管M4决定支路电流，所述增强型NMOS管M5决定输出基准电压，由于所述增强型NMOS管M5的源极与漏极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基准电压源电路，其特征在于，包括：基准源单元，用于接收电源电压信号，将所述电源电压信号转换为第一基准电压信号后输出，所述第一基准电压信号为对电源的基准电压信号；一端连接所述基准源单元的输出端，另一端连接电源的第一电阻；一端与所述基准源单元的输出端相连，另一端接地的第二电阻。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：彭韶华，刘祖韬，
申请(专利权)人：上海新进半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：