【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及基准电流生成器电路。基准电流路径运载基准电流。第一晶体管耦合到基准电流路径。第二晶体管也耦合到基准电流路径。第一和第二晶体管并联连接以运载基准电流。第一晶体管由第一电压偏置(其是带隙电压加阈值电压)。第二晶体管由第二电压偏置(其是PTAT电压加阈值电压)。第一和第二晶体管因此被具有不同和相反温度系数的电压所偏置，结果是在第一和第二晶体管中流动的电流的温度系数是相反的并且基准电流因此具有低的温度系数。【专利说明】基准电流生成器电路
本技术总体上涉及电子电路，并且更具体地涉及用于生成基准电流的电路。
技术介绍
参考图1，其图示常规电流基准生成器电路1 0。电路1 0包括具有非反相（正） 输入端1 4和反相（负）输入端1 6的运算放大器12。非反相输入端14被配置为接收基 准电压。在一个示例性实施方式中，基准电压是带隙电压生成器电路（本领域技术人员已 知）生成的带隙基准电压（VBG)。放大器1 2从正电压供应节点和负电压供应节点进行供 电，在这种情况下，正电压供应节点和负电压供应节点如电压Vana3V3 (例如3V的模拟...
【技术保护点】
一种基准电流生成器电路，其特征在于，包括： 被配置为运载基准电流的基准电流路径； 第一晶体管，耦合到所述基准电流路径并且被配置为运载所述基准电流的第一部分，所述第一晶体管具有被配置为由第一电压偏置的控制端子；以及 第二晶体管，耦合到所述基准电流路径并且被配置为运载所述基准电流的第二部分，所述第二晶体管具有被配置为由第二电压偏置控制端子； 其中所述第一晶体管和所述第二晶体管彼此并联耦合；并且 其中在所述第一晶体管中流动的电流的温度系数与在所述第二晶体管中流动的电流的温度系数相反。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘永锋，
申请(专利权)人：意法半导体研发深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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