【技术实现步骤摘要】
播放静音电路和方法
[0001]本公开总体上涉及电子系统和方法,并且,在具体实施例中涉及播放静音电路和方法。
技术介绍
[0002]图1示出了示例性模拟输入音频放大器100的示意图。放大器100包括前置放大器级102和第二级122。
[0003]在正常操作期间,输入Inp和Inm接收差分音频输入信号Vin(V
inp
‑
V
inm
)并且输出Outp和Outm基于差分音频输入信号Vin而产生放大的差分音频输出信号Vout(Voutp
‑
Voutm)。如图所示,第二级122的增益是Rf/Re。
[0004]图2示出了示例性前置放大器级102的示意图。如图所示,前置放大器级102能够基于信号PM在播放模式与静音模式之间转换。
[0005]当电压PM高于电压V
ref
时,晶体管204和206接通,并且晶体管212和214关断,从而使前置放大器级102以播放模式操作。例如,当电压PM高于电压V
ref
时,播放晶体管230和232以及234和236分别被电流Iplay_p和Iplay_m偏置,而静音晶体管222、224、226和228关断。因此,在播放模式期间,晶体管230、232以及234和236基于差分输入电压Vin(V
inp
‑
V
inm
)而生成差分输出电压Vout_pre(Vop_pre
‑
Vom_pre)。
[0006]当电压P ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种放大器电路,被配置为以播放模式和静音模式操作,所述放大器电路包括:输入级,被配置为接收输入信号;以及第二级,具有耦合到所述输入级的输出的输入,所述第二级包括包含第一端子和第二端子的第一开关电路、耦合在所述第一开关电路的所述第一端子与所述第二端子之间的多个电阻元件以及被配置为控制所述第一开关电路的所述第一端子与所述第二端子之间的等效电阻的多个开关,其中:在所述播放模式期间,所述放大器电路被配置为基于所述输入信号在所述第二级的输出处生成输出信号,其中,在播放模式期间,所述第二级在所述第二级的所述输入与所述第二级的所述输出之间具有第一值的增益,在从所述静音模式到所述播放模式的转换期间,所述放大器电路被配置为通过逐步接通或逐步关断所述多个开关而将所述第二级的所述增益从所述第二值逐步增加到所述第一值,以及在从所述播放模式到所述静音模式的转换期间,所述放大器电路被配置为通过逐步接通或逐步关断所述多个开关而将所述第二级的所述增益从所述第一值逐步减小到所述第二值。2.根据权利要求1所述的放大器电路,其中所述多个电阻元件中的每个电阻元件与所述多个开关中的相应开关串联耦合,其中,在从所述静音模式到所述播放模式的所述转换期间,所述放大器电路被配置为通过逐步接通所述多个开关而将所述第二级的所述增益从所述第二值逐步增加到第一值,并且其中,在从所述播放模式到所述静音模式的所述转换期间,所述放大器电路被配置为通过逐步关断所述多个开关而将所述第二级的所述增益从所述第一值逐步减小到所述第二值。3.根据权利要求2所述的放大器电路,其中所述多个电阻元件中的每个电阻元件具有彼此不同的电阻。4.根据权利要求2所述的放大器电路,其中所述多个电阻元件包括具有第一电阻的第一电阻器和具有第二电阻的第二电阻器,其中所述第一电阻器与所述多个开关中的第一开关串联耦合并且所述第二电阻器与所述多个开关中的第二开关串联耦合,其中所述第一电阻是所述多个电阻元件中的所述电阻元件的所有电阻中的最低电阻,其中所述第二电阻是所述多个电阻元件中的所述电阻元件的所有电阻中的最高电阻,并且其中,在从所述静音模式到所述播放模式的所述转换期间,所述放大器电路被配置为首先接通所述第一开关并且最后接通所述第二开关。5.根据权利要求2所述的放大器电路,其中所述多个电阻元件包括具有第一电阻的第一电阻器和具有第二电阻的第二电阻器,其中所述第一电阻器与所述多个开关中的第一开关串联耦合并且所述第二电阻器与所述多个开关中的第二开关串联耦合,其中所述第一电阻是所述多个电阻元件中的所述电阻元件的所有电阻中的最低电阻,其中所述第二电阻是所述多个电阻元件中的所述电阻元件的所有电阻中的最高电阻,并且其中,在从所述播放模式到所述静音模式的所述转换期间,所述放大器电路被配置为首先关断所述第二开关并且最后关断所述第一开关。6.根据权利要求2所述的放大器电路,其中所述放大器电路被配置为基于所述多个开关中的每个开关的控制电压超过阈值电压的时间而逐步接通或逐步关断所述多个开关。
7.根据权利要求6所述的放大器电路,其中所述放大器电路被配置为通过顺序地向所述多个开关中的每个开关施加电压斜坡而逐步接通或逐步关断所述多个开关,其中所述放大器电路被配置为向所述多个开关中的第一开关施加第一电压斜坡,并且当所述第一电压斜坡达到所述阈值电压时向所述多个开关中的第二开关施加第二电压斜坡。8.根据权利要求7所述的放大器电路,其中所述第一开关包括第一金属氧化物半导体MOS晶体管,并且其中所述阈值电压对应于在所述第一MOS晶体管的源极端子与漏极端子之间创建导电路径所需的最小栅极至源极电压。9.根据权利要求6所述的放大器电路,其中所述多个开关中的每个开关包括包含n型晶体管和p型晶体管的通过门。10.根据权利要求9所述的放大器电路,其中所述多个开关中的所述n型晶体管中的每个n型晶体管包括控制端子,所述控制端子被配置为接收第一电源电压与第二电源电压之间的控制电压,所述第二电源电压高于所述第一电源电压,其中所述多个开关包括n个开关,并且其中n是大于1且小于所述第二电源电压除以所述阈值电压的正整数。11.根据权利要求10所述的放大器电路,其中n等于小于所述第二电源电压除以所述阈值电压的最大整数。12.根据权利要求9所述的放大器电路,进一步包括被配置为向所述多个开关提供控制信号的控制电路,所述控制电路包括:第一端子,被配置为接收播放模式电压;第一电流源电路,被配置为基于所述播放模式电压生成第一电流;第一多个电流支路,被配置为基于所述第一电流而生成相应的第一支路电流,所述第一多个电流支路中的每个电流支路具有电阻元件和耦合到所述电阻元件的内部节点,其中所述第一多个电流支路中的每个电流支路的所述内部节点耦合到所述多个开关的相应晶体管的控制节点;第二电流源电路,被配置为生成第二电流;以及第二多个电流支路,被配置为基于所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员:文剑,D,
申请(专利权)人:意法半导体研发深圳有限公司,
类型:发明
国别省市:
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