半导体存储器件与半导体系统技术方案

一种半导体系统包括半导体存储器件，所述半导体存储器件被配置成在测试模式过程中响应于写入命令在存储器单元中储存接收的数据，响应于读取命令读取储存的数据作为信息数据，并且响应于读取命令与当信息数据的电平变化时产生的脉冲同步地内部储存信息数据。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的示例性实施例涉及半导体
，且更具体而言，涉及一种半导体存储器件与半导体系统。
技术介绍
一般而言，为了提高可靠性，半导体系统执行故障测试以检测有故障的半导体存储器件。通过以下处理来执行故障测试:将相同的数据写入存储器单元，然后读取以检查半导体存储器件是否在故障测试中失效。基于写入的数据是否与读取的数据相同来确定半导体存储器件是否失效(具有故障)。即，当写入的数据与读取的数据相同时，半导体存储器件被确定为好的器件，当写入的数据与读取的数据不同时，半导体存储器件被确定为坏的或者失效的器件。故障测试之后，在内部储存半导体器件的故障信息。与在读取操作过程中在内部产生的延迟时钟信号同步地执行储存操作，并且通过将与读取命令同步地产生的时钟信号延迟来产生所述延迟时钟信号。然而，当由于PVT (工艺、电压及温度)变化在半导体存储器件中发生歪斜(skew)时，与延迟的时钟信号同步地调节定时是困难的，其中按所述定时来储存被确定为故障单元的存储器单元的信息。因此，以可靠的方式储存半导体存储器件的故障信息可能是困难的。
技术实现思路
本专利技术的实施例涉及一种半导体存储器件及一种半导体系统，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体系统，包括：半导体存储器件，所述半导体存储器件被配置成在测试模式期间，响应于写入命令在存储器单元中储存接收的数据；响应于读取命令读取所储存的数据作为信息数据；以及与当所述信息数据响应于所述读取命令而变化时产生的脉冲同步地在内部储存所述信息数据。

【技术特征摘要】
2011.11.04 KR 10-2011-01147991.一种半导体系统,包括: 半导体存储器件，所述半导体存储器件被配置成在测试模式期间，响应于写入命令在存储器单元中储存接收的数据； 响应于读取命令读取所储存的数据作为信息数据；以及 与当所述信息数据响应于所述读取命令而变化时产生的脉冲同步地在内部储存所述信息数据。2.按权利要求1所述的半导体系统，其中所述半导体存储器件响应于测试模式信号来输出所储存的所述信息数据作为输出数据。3.按权利要求2所述的半导体系统，其中，所述半导体存储器件包括: 存储单元，所述存储单元被配置成与响应于所述读取命令而产生的读取时钟信号同步地输出储存在存储器单元中的数据作为测试数据； 感测放大单元，所述感测放大单元被配置成与通过将所述读取时钟信号延迟而产生的延迟时钟信号同步地感测和放大所述测试数据，并且输出放大了的数据作为信息数据； 脉冲产生单元，所述脉冲产生单元被配置成产生包括当所述信息数据的电平变化时产生的脉冲的脉冲信号；以及 储存单元，所述储存单元被配置成响应于所述脉冲信号来储存所述信息数据。4.按权利要求3所述的半导体系统，其中，所述储存单元响应于第一测试模式信号来输出所储存的信息数据作为所述输出数据。5.按权利要求4所述的半导体系统，还包括输出控制单元，所述输出控制单元被配置成响应于第二测试模式信 号将所述输出数据输出到数据焊盘。6.按权利要求3所述的半导体系统，其中，所述感测放大单元包括: 驱动部，所述驱动部被配置成接收所述测试数据并与所述延迟时钟信号同步地驱动内部节点；以及 预充电缓冲器部，所述预充电缓冲器部被配置成对所述内部节点预充电，缓冲所述内部节点的信号，并且在读取操作时段输出缓冲了的信号作为所述信息数据。7.按权利要求3所述的半导体系统，其中，所述脉冲产生单元响应于所述信息数据的下降沿来产生脉冲。8.按权利要求3所述的半导体系统，其中，所述储存单元通过锁存响应于第一测试模式信号而被预充电的控制信号来产生所述输出数据，并且通过在产生所述脉冲信号的脉冲时接收和锁存所述信息数据来产生所述输出数据。9.按权利要求8所述的半导体系统，其中，所述储存单元包括: 输入部，所述输入部被配置成响应于测试时钟信号来接收所述信息数据；以及 控制信号产生部，所述控制信号产生部被配置成响应于所述第一测试模式信号传送经由所述输入部而输入的数据作为控制信号，并且响应于所述测试时钟信号锁存所述控制信号。10.按权利要求9所述的半导体系统，其中，所述储存单元还包括: 缓冲器部，所述缓冲器部被配置成缓冲所述控制信号并且输出缓冲了的信号作为所述输出数据；以及 测试时钟产生部，所述测试时钟产生部被配置成响应于所述控制信号和所述脉冲信号...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜泰珍，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：