【技术实现步骤摘要】
存储器系统相关申请的交叉引用本申请要求2011年9月6日在美国专利商标局递交的No. 61/531，197号美国临时专利申请的优先权，以及2012年5月10日在韩国知识产权局递交的No. 10-2012-0049775 号韩国专利申请的优先权，其公开通过引用被全部包含于此。
示范性实施例涉及存储器系统，更具体地，涉及从存储器单元当中筛查弱位并修复该弱位的半导体器件、包括该半导体器件的存储器模块和存储器系统。
技术介绍
在高性能电子系统中广泛使用的半导体器件具有增大的容量和速度。根据工艺缩放，作为半导体器件范例的动态随机存取存储器(DRAM)可以具有减小的单元电容器和小的特征尺寸。但是，由于减小的单元电容器和小的特征尺寸所致，各种器件特性可能恶化。例如，具有较短刷新时间的单元的数量可能增加，单元写特性可能恶化，或者，具有可变保持时间的单元的数量可能增加。但是，当通过使用冗余DRAM单元替换具有前述弱特性的弱单元时，可能导致DRAM芯片的面积代价问题。
技术实现思路
示范性实施例提供了一种从存储器单元当中筛查弱位并修改该弱位的半导体器件，以及包括该半导体器件的存储器模块和...
【技术保护点】
一种半导体器件，包含：包括多个RAM存储器单元的第一存储器区域；测试单元，被配置成检测所述多个RAM存储器单元当中的弱单元的位地址；和包括多个RAM存储器单元的第二存储器区域，被配置成把所检测到的地址存储为弱位地址（WBA），并被配置成存储被寻址成要存储在所检测到的地址上的数据。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：柳鹤洙，姜郁成，朴哲佑，崔周善，黄泓善，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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