自刷新脉冲产生电路制造技术

一种自刷新脉冲产生电路包括：控制信号产生器，配置来产生在自刷新模式的初始周期中确定的控制信号；和自刷新脉冲产生器，配置来产生在自刷新模式中具有响应于控制信号控制的周期的自刷新脉冲。

【技术实现步骤摘要】
自刷新脉冲产生电路相关申请的交叉引用本申请要求2011年11月4日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请：编号10-2011-0114797的优先权，其通过引入整体并入。
本专利技术涉及一种自刷新脉冲产生电路以及刷新存储器的方法，具体地本专利技术涉及一种自刷新脉冲产生电路以及刷新存储器的方法，能够通过在进入自刷新模式之后产生具有在初始周期处受控的周期的自刷新脉冲。
技术介绍
有别于SRAM(静态随机存取存储器)或闪存存储器，DRAM(动态随机存取存储器)可能会随着时间的推移丢失存储在存储器单元中的数据。为了防止这种现象，要求在每个预定的时间段恢复存储在存储器单元中的数据的操作。这样的操作称为刷新。通过在存储体中的单元的保留时间内激活字线至少一次以及感测和放大存储在单元中的数据来执行刷新。保留时间是指期间存储在单元中的数据可以维持而无需刷新的时间。图1是示出当字线被激活时在字线之间发生的干扰的图。参考图1，第二字线WL<2>邻近第一和第三字线WL<1>和WL<3>。一般，当字线被激活时，高电压VPP被施加到字线，这样电磁干扰在字线之间发生。当激活第一和第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种自刷新脉冲产生电路，包括：控制信号产生器，配置来产生在自刷新模式的初始周期中确定的控制信号；和自刷新脉冲产生器，配置来产生在自刷新模式中具有响应于控制信号控制的周期的自刷新脉冲。

【技术特征摘要】
2011.11.04 KR 10-2011-01147971.一种自刷新脉冲产生电路，包括：控制信号产生器，配置来产生在自刷新模式的初始周期中确定的控制信号；自刷新脉冲产生器，配置来产生在自刷新模式中具有响应于控制信号控制的周期的自刷新脉冲；脉冲产生单元，配置来响应于自刷新信号产生第一和第二脉冲；和自刷新脉冲输出单元，配置来响应于控制信号选择地输出第一或第二脉冲以作为自刷新脉冲。2.根据权利要求1所述的自刷新脉冲产生电路，其中该初始周期是从自刷新模式的开始到行地址的计数处于其最大值的时间。3.根据权利要求1所述的自刷新脉冲产生电路，其中控制信号产生器包括：地址计数器，配置来响应于自刷新脉冲计数行地址；和控制信号输出单元，配置来响应于自刷新信号和行地址输出该控制信号。4.根据权利要求3所述的自刷新脉冲产生电路，其中无论何时产生自刷新脉冲，地址计数器都将行地址增加一。5.根据权利要求3所述的自刷新脉冲产生电路，其中控制信号输出单元包括：第一电平脉冲产生部分，配置来响应于自刷新信号产生第一电平脉冲；第二电平脉冲产生部分，配置来响应于行地址产生第二电平脉冲；和输出部分，配置来响应于第一和第二电平脉冲中的一个驱动和输出该控制信号。6.根据权利要求5所述的自刷新脉冲产生电路，其中输出部分包括：上拉驱动器，配置为响应第一电平脉冲上拉驱动一节点；下拉驱动器，配置为响应第二电平脉冲下拉驱动该节点；以及锁存器，配置为锁存在节点的信号。7.根据权利要求6所述的自刷新脉冲产生电路，还包括缓冲器，配置为缓存锁存器的输出信号。8.根据权利要求1所述的自刷新脉冲产生电路，其中第一脉冲具有比第二脉冲短的周期。9.根据权利要求1所述的自刷新脉冲产生电路，其中当控制信号被确定时选择地输出第一脉冲。10.一种自刷新脉冲产生电路，包括：脉冲产生单元，配置来响应于自刷新信号产生第一和第二脉冲；和自刷新脉冲输出单元，配置来响应于在自刷新模...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁钟烈，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：